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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第285页 > NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G
高电流表面贴装
PNP硅低V
CE- SAT
开关晶体管
在负荷管理
便携式应用
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
35
55
5.0
2.0
7.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
4
BASE
5
辐射源
ChipFET ]
CASE 1206A
方式4
http://onsemi.com
35伏
2.0安培
PNP晶体管
集热器
1, 2, 3, 6, 7, 8
HBM 3级
MM C级
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅＃ 1
器件总功耗
（单脉冲< 10秒）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
最大
635
5.1
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
200
1.35
11
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
P
Dsingle
（注2和3 ）
T
J
, T
英镑
90
15
2.75
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
C 8
C 7
C 6
E 5
1 C
2 C
3 C
4 B
针
连接
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
G4
M
G4 =具体设备守则
M =月守则
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
订购信息
设备
NSS35200CF8T1G
包
ChipFET
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年4月 - 第2版
出版订单号：
NSS35200CF8T1G/D
NSS35200CF8T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= -0.1 MADC ，我
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= -0.1 MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -35伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CES
= -35伏直流）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -6.0 V直流）
基本特征
直流电流增益（注4 ）
(I
C
= -1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -1.5 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集电极发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= -0.1 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -1.0 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -2.0 A，I
B
= 0.02 A)
基地发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= -1.0 A，I
B
= 0.01 A)
基地发射极导通电压（注4 ）
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= 3.0 V)
截止频率
(I
C
= -100毫安，V
CE
= -5.0 V，F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
= -0.5 V，F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= -3.0 V，F = 1.0兆赫）
开启时间（V
CC
= -10 V，I
B1
= -100毫安，我
C
= -1 A，R
L
= 3
W)
关断时间（V
CC
= -10 V，I
B1
= I
B2
= -100毫安，我
C
= 1 ，R
L
= 3
W)
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%
h
FE
100
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
100
CIBO
科博
t
on
t
关闭
600
85
35
225
650
100
pF
pF
nS
nS
0.81
0.875
兆赫
0.68
0.85
V
0.10
0.15
0.30
V
200
200
200
400
V
V
（ BR ） CEO
35
V
（ BR ） CBO
55
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CBO
I
CES
I
EBO
0.01
0.1
0.03
0.1
MADC
0.03
0.1
MADC
7.0
MADC
65
VDC
45
VDC
VDC
符号
民
典型
最大
单位
http://onsemi.com
2
NSS35200CF8T1G
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和
电压（伏）
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和
电压（伏）
0.25
I
C
/I
B
= 50
0.20
100°C
0.15
25°C
0.10
0.05
0
55°C
0.1
I
C
/I
B
= 100
50
10
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1.0
0.001
0.01
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
500
450
400
的hFE ， DC电流增益
350
300
250
200
VBE （星期六） ，基极发射极饱和
电压（伏）
125°C （ 5 V）
125°C （ 2 V）
25 ℃（5 V）的
25 ° C（ 2 V）
-55°C （ 5 V）
-55°C （ 2V）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
55°C
25°C
100°C
150
100
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益随
集电极电流
V BE （上） ，基极发射极导通电压（伏）
1.1
IBO ，输入电容（pF ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.001
0.01
0.1
1.0
100°C
25°C
55°C
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
0
图4.基极发射极饱和电压
与集电极电流
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
C
，集电极电流（ A）
V
EB
，发射极基极电压（ V）
图5.基极发射极导通电压
与集电极电流
图6.输入电容
http://onsemi.com
3
NSS35200CF8T1G
225
科博，输出电容（pF ）
200
175
150
I
C
, (A)
125
100
75
50
25
0
0.01
0
5.0
10
15
20
25
30
35
0.10
1
V
CE
， （VDC ）
10
100
1.00
热极限
0.10
10
1s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
V
CB
，集电极基极电压（ V）
图7.输出电容
图8.安全工作区
R
(t)
，瞬态热阻
1000
D = 0.10
100
D = 0.20
10
D = 0.05
1
D = 0.01
t
1
0.1
单脉冲
t
2
占空比= D = T
1
/t
2
q
JC
= 174 ° C / W
t
1
，时间（秒）
D = 0.50
P（ PK）
0.01
图9.归热响应
http://onsemi.com
4
NSS35200CF8T1G
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -03
初步发行
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过
0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体OFFSET
在水平和垂直线
不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B不包括
模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在TOP
和底部的引脚表面。
MILLIMETERS
民
最大
2.95
3.10
1.55
1.70
1.00
1.10
0.25
0.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.28
0.42
0.55 BSC
5
°
喃
1.80
2.00
英寸
民
最大
0.116 0.122
0.061 0.067
0.039 0.043
0.010 0.014
0.025 BSC
0.004 0.008
0.011 0.017
0.022 BSC
5
°
喃
0.072 0.080
A
8
7
6
5
M
K
5
6
3
7
2
8
1
S
1
2
3
4
B
4
L
G
D
J
C
0.05 (0.002)
方式4 ：
PIN 1.集热器
2.收集
3.收集
4.基地
5.发射
6.集热器
7，集热器
8. COLLECTOR
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
1.727
0.068
2.032
0.08
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.178
0.007
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
方式4
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
NSS35200CF8T1G
35 V ， 7 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
特点
http://onsemi.com
35伏
7.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
78毫瓦
集热器
1, 2, 3, 6, 7, 8
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
35
55
5.0
2.0
7.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
4
BASE
5
辐射源
ChipFET ]
CASE 1206A
方式4
HBM 3级
MM C级
针
连接
C 8
1 C
2 C
3 C
4 B
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
G4
M
G
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结到铅＃ 1
器件总功耗
（单脉冲< 10秒）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
P
Dsingle
（注2和3 ）
T
J
, T
英镑
最大
635
5.1
200
1.35
11
90
15
2.75
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
C 7
C 6
E 5
G4 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NSS35200CF8T1G
包
ChipFET
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2006年3月 - 修订版5
出版订单号：
NSS35200CF8T1G/D
NSS35200CF8T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= -0.1 MADC ，我
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= -0.1 MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -35伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CES
= -35伏直流）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -6.0 V直流）
基本特征
直流电流增益（注4 ）
(I
C
= -1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -1.5 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集电极发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= -0.1 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -1.0 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -2.0 A，I
B
= 0.02 A)
基地发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= -1.0 A，I
B
= 0.01 A)
基地发射极导通电压（注4 ）
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= 3.0 V)
截止频率
(I
C
= -100毫安，V
CE
= -5.0 V，F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
= -0.5 V，F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= -3.0 V，F = 1.0兆赫）
开启时间（V
CC
= -10 V，I
B1
= -100毫安，我
C
= -1 A，R
L
= 3
W)
关断时间（V
CC
= -10 V，I
B1
= I
B2
= -100毫安，我
C
= 1 ，R
L
= 3
W)
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%
h
FE
100
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
100
CIBO
科博
t
on
t
关闭
600
85
35
225
650
100
pF
pF
nS
nS
0.81
0.875
兆赫
0.68
0.85
V
0.10
0.15
0.30
V
200
200
200
400
V
V
（ BR ） CEO
35
V
（ BR ） CBO
55
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CBO
I
CES
I
EBO
0.01
0.1
0.03
0.1
MADC
0.03
0.1
MADC
7.0
MADC
65
VDC
45
VDC
VDC
符号
民
典型
最大
单位
http://onsemi.com
2
NSS35200CF8T1G
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和
电压（伏）
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和
电压（伏）
0.25
I
C
/I
B
= 50
0.20
100°C
0.15
25°C
0.10
0.05
0
55°C
0.1
I
C
/I
B
= 100
50
10
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1.0
0.001
0.01
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
500
450
400
的hFE ， DC电流增益
350
300
250
200
VBE （星期六） ，基极发射极饱和
电压（伏）
125°C （ 5 V）
125°C （ 2 V）
25 ℃（5 V）的
25 ° C（ 2 V）
-55°C （ 5 V）
-55°C （ 2V）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
55°C
25°C
100°C
150
100
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益随
集电极电流
V BE （上） ，基极发射极导通电压（伏）
1.1
IBO ，输入电容（pF ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.001
0.01
0.1
1.0
100°C
25°C
55°C
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
0
图4.基极发射极饱和电压
与集电极电流
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
C
，集电极电流（ A）
V
EB
，发射极基极电压（ V）
图5.基极发射极导通电压
与集电极电流
图6.输入电容
http://onsemi.com
3
NSS35200CF8T1G
225
科博，输出电容（pF ）
200
175
150
I
C
, (A)
125
100
75
50
25
0
0.01
0
5.0
10
15
20
25
30
35
0.10
1
V
CE
， （VDC ）
10
100
1.00
热极限
0.10
10
1s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
V
CB
，集电极基极电压（ V）
图7.输出电容
图8.安全工作区
R
(t)
，瞬态热阻
1000
D = 0.10
100
D = 0.20
10
D = 0.05
1
D = 0.01
t
1
0.1
单脉冲
t
2
占空比= D = T
1
/t
2
q
JC
= 174 ° C / W
t
1
，时间（秒）
D = 0.50
P（ PK）
0.01
图9.归热响应
http://onsemi.com
4
NSS35200CF8T1G
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -03
初步发行
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过
0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体OFFSET
在水平和垂直线
不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B不包括
模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在TOP
和底部的引脚表面。
MILLIMETERS
民
最大
2.95
3.10
1.55
1.70
1.00
1.10
0.25
0.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.28
0.42
0.55 BSC
5
°
喃
1.80
2.00
英寸
民
最大
0.116 0.122
0.061 0.067
0.039 0.043
0.010 0.014
0.025 BSC
0.004 0.008
0.011 0.017
0.022 BSC
5
°
喃
0.072 0.080
A
8
7
6
5
M
K
5
6
3
7
2
8
1
S
1
2
3
4
B
4
L
G
D
J
C
0.05 (0.002)
方式4 ：
PIN 1.集热器
2.收集
3.收集
4.基地
5.发射
6.集热器
7，集热器
8. COLLECTOR
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
1.727
0.068
2.032
0.08
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.178
0.007
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
方式4
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
薄型，小尺寸封装
安森美半导体提供最新的薄型，小外形封装。
我们使超薄最终用户产品的设计和生产
消费市场，通过制造一些最低的轮廓包装
可以在世界上，在广袤卷。无论您是在设计移动
电话，MP3播放器，数码相机，PDA，游戏机，或其他便携式
家电，我们的包装技术使安森美半导体产品
要使用组合中的设计与最苛刻的空间限制。
我们所有的包都可以用无铅引线，以确保符合
符合RoHS标准。
SOD–723
1.00 mm
1.40 mm
0.52 mm
0.60 mm
0.28 mm
2X
SOT - 553 ， 5 LEAD
1.60 mm
0.55 mm
0.20 mm
5
4
0.08 (0.0032)
X Y
0.12 mm
0.20 mm
1.20 mm
1
2
3
1.60 mm
0.50 mm
BSC
0.20 mm
0.08 (0.003)
5 PL
0.13 mm
X Y
SOD–923
0.80 mm
1.00 mm
0.40 mm
0.60 mm
0.20 mm
2X
5
4
SOT953
1.00 mm
0.45 mm
0.10 mm
0.80 mm
X Y
0.12 mm
0.10 mm
0.35 mm
BSC
1 2
3
1.00 mm
0.08 (0.0032)
0.15 mm
5X
0.08 X Y
0.10 mm
不按比例
PAGE =
便携式解决方案
解决方案为当今便携式电子产品你的表现
安森美半导体
PAGE =
高效DC -DC转换器
2 SYN
L
15 H
COUT
10 F
3 VO
4 LX
MBRM120
NCP1500
1 SHD
CB0
CB1
GND
VIN
8
7
6
5
CIN
10 F
VIN
典型的降压转换器
VIN
CIN
2 GND
OFF ON
3 EN
L
COUT
R1
FB 4
R2
EFF （ ％ ）
NCP1521
1 VIN
LX 5
VOUT
100
CFF
90
典型的降压转换器
主要特点
PWM降压转换器的工作无论是作为一个LDO或在PFM模式下，当输出电流
降低（ NCP1500 / 01/ 19 / ？ 1 / ?? / ?? / ？ 9 ） ，在两个光提高效率和
满载
较高的开关频率允许使用更小的输出滤波器，电容器和电感器，
同时保持高效率
80
70
60
50
V
OUT
= 3.3 V
V
in
= 4.2 V
T
A
= 25 C
0
100
200
300
I
OUT
（MA ）
400
500
600
NCP1521 - 效率与输出电流
降压转换器
设备
NCP1500
NCP1501
NCP1510A
NCP1519*
NCP151
NCP15
NCP15*
NCP156
NCP159*
NCP150
NCP1550
*计划？ H06
包（ S）
Micro8
Micro8
MicroBump-9
薄型SOT - ？ - 5
薄型SOT - ?? - 5 ，
薄型DFN - 6
薄型SOT - ？ - 5
MicroBump-8
薄型DFN - 10
薄型SOT - ？ - 5
Micro8
SOT--5
拓扑
PWM /线性
PWM /线性
PWM /脉冲
PWM / PFM
PWM / PFM
PWM / PFM
PWM / PFM
双输出
PWM + LDO
PWM / PFM
PWM / PFM
PWM / PFM
频率
外部同步
？ 70-6 ？ 0千赫
外部同步
？ 50-1000千赫
1 MHz或外部同步
？ 50-1000千赫
1.7兆赫
1.5兆赫
- 兆赫
- 兆赫
- 兆赫
1.7兆赫
600 kHz或外部同步
截至1 ？ 00千赫
600千赫
输入
电压
.7 - 5. V
.5 - 5. V
.7 - 5. V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.5 - 6.0 V
输出电压
1.0 - 1.8 V可选
1.0 - 1.8 V可选
1.0 - 1.8 V可选
ADJ 0.9 - ？ ？ V通过外部
电阻器， 1 。 ？ ，1.5， 1.8伏
可调0.9 - ？ 。 ？ V
通过外部电阻
可调0.9 - ？ 。 ？ V
通过外部电阻
可调0.9 - ？ 。 ？ V
通过外部电阻
PWM 1 ？ V ; LDO ？ 0.8 V
其它选项
ADJ 0.9 - ？ ？ V通过外部
电阻器， 1 。 ？ ，1.5， 1.8伏
.5 - 5.0 V
1.8 - . V
最大
当前
？ 00毫安
？ 00毫安
？ 00毫安
？ 00毫安
600毫安
600毫安
600毫安
PWM ？ 00毫安
LDO 150毫安
1A
600毫安
？ 000毫安
（外部开关）
典型
效率
91%
9%
95%
96%
96%
9%
9%
95%
96%
9%
90%
特点
变成LDO模式时同步不存在
同步录制，打开进入LDO模式时，同步是
缺席
同步录制，打开进入脉冲模式以节省电源
当SYNC引脚为低电平
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超低？ 0
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超薄DFN 0.55毫米厚度
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
可编程软启动
使能引脚
PAGE =
便携式解决方案
高效DC -DC转换器
L1
VIN
C1
10 F
CE
1
OUT
2
NC
3
22 H
NCP1400A
LX
5
特征
D1
VOUT
C2
68 F
输出电压范围
操作电压启动
最大开关频率
感应器
输出纹波电压
GND
4
效率
工作电流@我
OUT
= 0
关断电流
基准电压准确度
NCP1410
1.5 ~ 5.5 V
1.0 ~ 5.5 V
600千赫
15 ??
mH
?? mA的典型值
9 ？ ％典型值
9
mA
典型值
0.05
mA
典型值
1.19 V ± 0.6%
竞争者
.0 ~ 5.5 V
1.1 ~ 5.5 V
500千赫

mH
未指定
91 ％典型值
16
mA
典型值
0.1
mA
典型值
1. V ± .0%
主要特点
高开关频率允许使用
小的电感器和电容器
升压转换器
设备
NCP100A
NCP10
NCP10
NCP106
NCP110
NCP11
NCP1
NCP1
NCP150A
包（ S）
SOT--5
SOT--5
SOT--6
SOT--5
Micro8
Micro8
DFN-10
Micro10
SOT--5
拓扑
PWM
PFM
PFM
PFM
PFM
PFM
PFM
PFM
PWM
频率
180千赫
180千赫
？ 00千赫
1000千赫
600千赫
1 ？ 00千赫
1. ？兆赫
600千赫
180千赫
典型的升压转换器
输入电压
0.8 - 5.5 V
0.8 - 5.5 V
1. - 5.5 V
1. - 5.5 V
1.0 - 5.5 V
1.0 - 5.0 V
1.0 - 5.0 V
0.8 - . V
0.8 - 5.5 V
输出电压
1.8 - 5.0 V
1.8 - 5.0 V
高达15 V
高达5 ·V
1.5 - 5.5 V
1.5 - 5.0 V
1.0 - 5.0 V
1.8 - . V
1.8 - 5.0 V
MAX CURRENT
百毫安
？ 00毫安
50毫安
50毫安
-50毫安
600毫安
800毫安
？ 00毫安
千毫安
（外部开关）
典型效率
88%
85%
8%
85%
9%
9%
9%
9%
88%
特点
使能引脚
使能引脚
使能引脚
使能引脚
同步录像，低电池电量检测
真正的截止，环杀手，低电池电量检测
同步录音，真截止，低电池电量检测
同步录音，真截止，低电池电量检测，
低启动电压（ 0.8 V）
使能引脚
优化图-的，用优异的MOSFET的DC- DC转换器
完整
mCool
投资组合
N沟道& P沟道
单，双，优势互补，
FETKY
8 V, 0 V, 0 V
主要性能特点
低R
DS （ ON）
和栅极电荷交付
低比率数据 - - 优异
（ <110单N沟道）
封装热阻
8°C/W
封装面积小
 mm

低调<0.75毫米
mCool
MOSFET的
设备
同步升压
B
VDSS
0 V
0 V
0 V
0 V
极性
N
N
P
N / P
CON组fi guration
双
FETKY
FETKY
补充
R
DS （ ON）
*
<70米
W
<70米
W
<100米
W
100分之<70米
W
包
WDFN ， ？ X ？毫米
WDFN ， ？ X ？毫米
WDFN ， ？ X ？毫米
WDFN ， ？ X ？毫米
NTJD116N
NTLJF156N
NTLJF117P
NTLJD119C
异步升压
其他新的MOSFET
设备
NTHD10C
同步降压
B
VDSS
0 V
0 V
0 V
0 V
0 V
极性
N / P
P
N / P
P
N
CON组fi guration
补充
单身
补充
FETKY
单身
R
DS （ ON）
*
< ？八十五分之五米
W
<110米
W
1分之<80 ？ 5米
W
<80米
W
<85米
W
包
ChipFET ， ？ X ？毫米
TSOP- 6 ， ？ X ？毫米
TSOP- 6 ， ？ X ？毫米
TSOP- 6 ， ？ X ？毫米
SC- 88 ？ X ？毫米
NTGS1P
NTGD1C
NTGF1F
NTJS160N
异步降压
* R
DS （ ON）
.5 V
gs
安森美半导体
第5页
NSS35200CF8T1G
高电流表面贴装
PNP硅低V
CE- SAT
开关晶体管
在负荷管理
便携式应用
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
35
55
5.0
2.0
7.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
4
BASE
5
辐射源
ChipFET ]
CASE 1206A
方式4
http://onsemi.com
35伏
2.0安培
PNP晶体管
集热器
1, 2, 3, 6, 7, 8
HBM 3级
MM C级
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅＃ 1
器件总功耗
（单脉冲< 10秒）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
最大
635
5.1
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
200
1.35
11
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
P
Dsingle
（注2和3 ）
T
J
, T
英镑
90
15
2.75
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
C 8
C 7
C 6
E 5
1 C
2 C
3 C
4 B
针
连接
1
2
3
4
记号
图
8
7
6
5
G4
M
G4 =具体设备守则
M =月守则
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
订购信息
设备
NSS35200CF8T1G
包
ChipFET
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年4月 - 第2版
出版订单号：
NSS35200CF8T1G/D
NSS35200CF8T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= -0.1 MADC ，我
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= -0.1 MADC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -35伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CES
= -35伏直流）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -6.0 V直流）
基本特征
直流电流增益（注4 ）
(I
C
= -1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -1.5 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集电极发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= -0.1 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -1.0 A，I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -2.0 A，I
B
= 0.02 A)
基地发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= -1.0 A，I
B
= 0.01 A)
基地发射极导通电压（注4 ）
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= 3.0 V)
截止频率
(I
C
= -100毫安，V
CE
= -5.0 V，F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
= -0.5 V，F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= -3.0 V，F = 1.0兆赫）
开启时间（V
CC
= -10 V，I
B1
= -100毫安，我
C
= -1 A，R
L
= 3
W)
关断时间（V
CC
= -10 V，I
B1
= I
B2
= -100毫安，我
C
= 1 ，R
L
= 3
W)
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%
h
FE
100
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
100
CIBO
科博
t
on
t
关闭
600
85
35
225
650
100
pF
pF
nS
nS
0.81
0.875
兆赫
0.68
0.85
V
0.10
0.15
0.30
V
200
200
200
400
V
V
（ BR ） CEO
35
V
（ BR ） CBO
55
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CBO
I
CES
I
EBO
0.01
0.1
0.03
0.1
MADC
0.03
0.1
MADC
7.0
MADC
65
VDC
45
VDC
VDC
符号
民
典型
最大
单位
http://onsemi.com
2
NSS35200CF8T1G
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和
电压（伏）
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极饱和
电压（伏）
0.25
I
C
/I
B
= 50
0.20
100°C
0.15
25°C
0.10
0.05
0
55°C
0.1
I
C
/I
B
= 100
50
10
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1.0
0.001
0.01
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
500
450
400
的hFE ， DC电流增益
350
300
250
200
VBE （星期六） ，基极发射极饱和
电压（伏）
125°C （ 5 V）
125°C （ 2 V）
25 ℃（5 V）的
25 ° C（ 2 V）
-55°C （ 5 V）
-55°C （ 2V）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
55°C
25°C
100°C
150
100
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益随
集电极电流
V BE （上） ，基极发射极导通电压（伏）
1.1
IBO ，输入电容（pF ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.001
0.01
0.1
1.0
100°C
25°C
55°C
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
0
图4.基极发射极饱和电压
与集电极电流
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
C
，集电极电流（ A）
V
EB
，发射极基极电压（ V）
图5.基极发射极导通电压
与集电极电流
图6.输入电容
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3
NSS35200CF8T1G
225
科博，输出电容（pF ）
200
175
150
I
C
, (A)
125
100
75
50
25
0
0.01
0
5.0
10
15
20
25
30
35
0.10
1
V
CE
， （VDC ）
10
100
1.00
热极限
0.10
10
1s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
V
CB
，集电极基极电压（ V）
图7.输出电容
图8.安全工作区
R
(t)
，瞬态热阻
1000
D = 0.10
100
D = 0.20
10
D = 0.05
1
D = 0.01
t
1
0.1
单脉冲
t
2
占空比= D = T
1
/t
2
q
JC
= 174 ° C / W
t
1
，时间（秒）
D = 0.50
P（ PK）
0.01
图9.归热响应
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4
NSS35200CF8T1G
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -03
初步发行
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过
0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体OFFSET
在水平和垂直线
不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B不包括
模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在TOP
和底部的引脚表面。
MILLIMETERS
民
最大
2.95
3.10
1.55
1.70
1.00
1.10
0.25
0.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.28
0.42
0.55 BSC
5
°
喃
1.80
2.00
英寸
民
最大
0.116 0.122
0.061 0.067
0.039 0.043
0.010 0.014
0.025 BSC
0.004 0.008
0.011 0.017
0.022 BSC
5
°
喃
0.072 0.080
A
8
7
6
5
M
K
5
6
3
7
2
8
1
S
1
2
3
4
B
4
L
G
D
J
C
0.05 (0.002)
方式4 ：
PIN 1.集热器
2.收集
3.收集
4.基地
5.发射
6.集热器
7，集热器
8. COLLECTOR
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
1.727
0.068
2.032
0.08
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.178
0.007
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
方式4
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
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5
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NJU7231U15
NMC27C16Q-35
NCP1051ST44T3G
NLAS2066USG
NJU3552L
NTE2079
NM24W02LZN
NKA1212DC
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厂家
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数量
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