NSS30101LT1G
30 V ， 2 A，低V
CE （ SAT ）
NPN晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
http://onsemi.com
30伏特
2.0安培
NPN低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
100毫瓦
集热器
3
1
BASE
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
最大
30
50
5.0
1.0
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
2
辐射源
3
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
（单脉冲< 10秒。 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
最大
310
2.5
R
θJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
403
710
5.7
R
θJA
（注2 ）
P
Dsingle
T
J
, T
英镑
176
575
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
°C
1
器件标识
3
VS6
2
VS6 =具体设备守则
订购信息
设备
NSS30101LT1G
包
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版0
出版订单号：
NSS30101L/D
NSS30101LT1G
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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