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NSS20201MR6T1G

产品预览

20 V ， 3 A，低V

CE （ SAT ）

NPN晶体管

安森美半导体的电子商务

的PowerEdge系列低V的

CE （ SAT ）

晶体管是微型表面贴装器件具有超低

饱和电压（V

CE （ SAT ）

）和高电流增益的能力。这些

被设计为在低电压，高速开关应用中使用

其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。

典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理

在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳

电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。

其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制

产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车

行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用

集群。高电流增益允许ê

的PowerEdge设备是

直接从PMU的控制输出，线性增益驱动

（测试版），使它们非常适合组件的模拟放大器。

最大额定值

= 25°C)

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极电流 - 峰值

符号

首席执行官

CBO

EBO

最大

5.0

2.0

3.0

单位

http://onsemi.com

20伏

3.0安培

NPN低V

CE （ SAT ）

晶体管

等效

DS （ ON）

100毫瓦

集热器

1, 2, 5, 6

BASE

辐射源

热特性

特征

器件总功耗

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

结到铅＃ 1

器件总功耗

（单脉冲< 10秒）

结存储

温度范围

符号

（注1 ）

最大

535

4.3

qJA

（注1 ）

（注2 ）

234

1.180

9.4

qJA

（注2 ）

qJL

（注1 ）

qJL

（注2 ）

Dsingle

（注2 ）

, T

英镑

106

110

1.75

-55

+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

CASE 318G

TSOP6

类型6

器件标识

VS0

VS0 =具体设备守则

=日期代码

订购信息

°C

设备

NSS20201MR6T1G

包

航运

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1. FR-4 ，1盎司和3.9毫米

铜区。

2. FR-4 ，1盎司和645毫米

铜区。

本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体

保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。

TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年6月 - 修订版P1

出版订单号：

NSS20201MR6/D

NSS20201MR6T1G

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压

= 10 mA时，我

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

= 0.1毫安，我

= 0)

发射-Base击穿电压

= 0.1毫安，我

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= 40 V，I

= 0)

集电极 - 发射极截止电流

CES

= 20 V)

发射Cuto FF电流

= 5.0 V)

基本特征

DC电流增益（注3）

= 1.0毫安， V

= 5.0 V)

= 0.5 A ，V

= 5.0 V)

= 1.0 A，V

= 5.0 V)

集电极发射极饱和电压（注3 ）

= 1.0 A，I

= 100 mA时）

= 0.5 A，I

= 50 mA）的

= 0.1 A，I

= 10 mA）的

基地发射极饱和电压（注3）

= 1.0 A，I

= 0.1 A)

基地发射极导通电压（注3 ）

= 1.0 A，V

= 2.0 V)

截止频率

= 100毫安， V

= 5.0 V ， F = 100 MHz的

输出电容（ F = 1.0兆赫）

3.脉冲条件：脉冲宽度

≤

300

毫秒，

占空比

≤

2%.

300

200

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

BE（上）

200

敖包

0.90

兆赫

0.95

0.150

0.100

0.025

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

5.0

CBO

CES

EBO

0.1

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NSS20201MR6T1G

包装尺寸

TSOP6

CASE 318G -02

ISSUE

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.最大引线厚度INCLUDES

铅涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。作者：

4.尺寸A和B不包括

塑模毛边，突出物，或门

毛刺。

MILLIMETERS

DIM MIN

最大

2.90

3.10

1.30

1.70

0.90

1.10

0.25

0.50

0.85

1.05

0.013 0.100

0.10

0.26

0.20

0.60

1.25

1.55

2.50

3.00

类型6 ：

PIN 1.集热器

2.收集

3. BASE

4.发射器

5.集热器

6.集热器

英寸

民

最大

0.1142 0.1220

0.0512 0.0669

0.0354 0.0433

0.0098 0.0197

0.0335 0.0413

0.0005 0.0040

0.0040 0.0102

0.0079 0.0236

0.0493 0.0610

0.0985 0.1181

0.05 (0.002)

焊接足迹*

2.4

0.094

1.9

0.075

0.95

0.037

0.95

0.037

0.7

0.028

1.0

0.039

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

http://onsemi.com

NSS20201MR6T1G

安森美半导体

和

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