安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
特点
NSS1C200MZ4,
NSV1C200MZ4
100 V， 2.0 A ，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
http://onsemi.com
100
伏， 2.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
集热器
2,4
1
BASE
3
辐射源
NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素，符合RoHS标准
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
连续
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
I
CM
符号
P
D
（注1 ）
最大
100
140
7.0
1.0
2.0
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
A
A
Y
W
1C200
G
SOT223
CASE 318E
风格1
记号
图
AYW
1C200G
1
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
= Pb-Free包装
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
最大
800
6.5
155
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
引脚分配
4
C
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
B
1
C
2
E
3
2.0
15.6
64
55
to
+150
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
顶视图引脚
R
qJA
（注2 ）
T
J
, T
英镑
订购信息
设备
NSS1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G
NSS1C200MZ4T3G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
1000/
磁带&卷轴
4000/
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR- 4 @ 7.6毫米
2
， 1盎司铜的痕迹。
2. FR- 4 @ 645毫米
2
， 1盎司铜的痕迹。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NSS1C200MZ4/D
半导体元件工业有限责任公司， 2013
三月， 2013-启示录5
1
NSS1C200MZ4 ， NSV1C200MZ4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（I
C
=
10
MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压（I
C
=
0.1
MADC ，我
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压（I
E
=
0.1
MADC ，我
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
=
140
VDC ，我
E
= 0)
发射极截止电流（V
EB
=
6.0
VDC ）
基本特征
DC电流增益（注3）
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
500
毫安，V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
1.0
A，V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
2.0
A，V
CE
=
2.0
V)
集热器
：辐射源
饱和电压（注3）
(I
C
=
0.1
A，I
B
=
0.010
A)
(I
C
=
0.5
A，I
B
=
0.050
A)
(I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.100
A)
(I
C
=
2.0
A，I
B
=
0.200
A)
BASE
：辐射源
饱和电压（注3）
(I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.100
A)
BASE
：辐射源
导通电压（注3 ）
(I
C
=
1.0
A，V
CE
=
2.0
V)
截止频率
(I
C
=
100
毫安，V
CE
=
5.0
V，F = 100兆赫）
输入电容（V
EB
= 3.0 V，F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
150
120
80
50
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
100
140
7.0
100
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
360
V
CE （ SAT ）
V
0.040
0.080
0.125
0.220
V
0.950
V
0.850
兆赫
120
200
22
pF
pF
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
CIBO
科博
典型特征
2.5
P
D
，功耗（ W）
2.0
T
C
1.5
1.0
T
A
0.5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
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2
NSS1C200MZ4 ， NSV1C200MZ4
典型特征
500
400
300
200
55°C
100
0
150°C
V
CE
= 2 V
h
FE
，直流电流增益
400
300
200
55°C
100
0
500
150°C
V
CE
= 4 V
h
FE
，直流电流增益
25°C
25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图2.直流电流增益
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
1
I
C
/I
B
= 20
图3.直流电流增益
150°C
0.1
25°C
0.1
150°C
25°C
55°C
0.001
0.01
0.1
1
10
55°C
0.01
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图4.集电极 - 发射极饱和电压
1.2
V
BE （ SAT ）
，基极发射极饱和
TION电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.8
55°C
0.6
0.4
0.2
25°C
V
BE （ SAT ）
，基极发射极饱和
TION电压（ V）
1.2
图5.集电极 - 发射极饱和电压
I
C
/I
B
= 50
1.0
0.8
55°C
0.6
0.4
0.2
25°C
150°C
150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图6.基射极饱和电压
图7.基射极饱和电压
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3
NSS1C200MZ4 ， NSV1C200MZ4
典型特征
1.2
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 2 V
1.0
0.8
55°C
0.6
0.4
0.2
25°C
1
3.0 A
1.0 A
0.5 A
0.1
I
C
= 0.1 A
2.0 A
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
T
J
= 25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
B
，基极电流（ A）
图8.基射极电压
400
C
ob
，输出电容（ pF）的
C
ib
，输入电容（ pF）的
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
300
120
100
80
60
40
20
0
图9.集电极饱和区
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
V
BE
，发射极基极电压（ V）
V
CB
，集电极基极电压（ V）
图10.输入电容
120
f
头
，电流增益带宽
产品（兆赫）
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
V
CE
= 10 V
10
图11.输出电容
0.5毫秒
1
100毫秒
1毫秒
10毫秒
0.1
T
J
= 25°C
0.01
1
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
100
I
C
，集电极电流（ A）
图12.电流增益带宽积
图13.安全工作区
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4
NSS1C200MZ4 ， NSV1C200MZ4
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
H
E
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
0°
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
0°
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
D
b1
4
H
E
E
1
2
3
e1
b
e
A
q
L
L1
C
q
0.08 (0003)
A1
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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