安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE ( SAT )
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压(V
CE ( SAT )
)和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压,高速开关应用中使用
其中,经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品,例如蜂窝和无绳
电话,PDA,计算机,打印机,数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品,如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业,他们可以在气囊展开,并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出,线性增益驱动
(测试版) ,使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
12
12
7.0
5.0
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
NSS12600CF8T1G
12 V , 6.0 A,低V
CE ( SAT )
PNP晶体管
http://onsemi.com
12
伏, 6.0 AMPS
PNP低V
CE ( SAT )
晶体管
等效
DS ( ON)
45毫瓦
集热器
1, 2, 3, 6, 7, 8
4
BASE
5
辐射源
ChipFET ]
CASE 1206A
方式4
HBM 3B类
MM C级
标记图
VE M
G
VE =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
热特性
特征
器件总功耗,T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗,T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
热阻,
结到铅# 1
器件总功耗
(单脉冲< 10秒)
结存储
温度范围
符号
P
D
(注1 )
R
qJA
(注1 )
P
D
(注2 )
R
qJA
(注2 )
R
qJL
(注2 )
P
Dsingle
(注2和3 )
T
J
, T
英镑
最大
830
6.7
150
1.4
11.1
90
15
2.75
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
针
连接
C 8
C 7
C 6
E 5
1 C
2 C
3 C
4 B
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
订购信息
设备
NSS12600CF8T1G
包
ChipFET
(无铅)
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
2007年3月,
第1版
1
出版订单号:
NSS12600CF8/D
NSS12600CF8T1G
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -03
ISSUE摹
D
8
7
6
5
q
L
5
6
3
7
2
8
1
H
E
1
2
3
4
E
4
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体偏移水平
和垂直不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B ,不包括模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在顶部和底部的铅
表面。
暗淡
A
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
q
MILLIMETERS
喃
最大
1.05
1.10
0.30
0.35
0.15
0.20
3.05
3.10
1.65
1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28
0.35
0.42
1.80
1.90
2.00
5 ° NOM
民
1.00
0.25
0.10
2.95
1.55
民
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
英寸
喃
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.011
0.071
0.075
5 ° NOM
最大
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
e1
e
b
c
A
0.05 (0.002)
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
1.727
0.068
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.178
0.007
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
方式4
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
ChipFET为Vishay Siliconix公司的一个注册商标。
安森美半导体
和
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5
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