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安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE ( SAT )
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压(V
CE ( SAT )
)和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压,高速开关应用中使用
其中,经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品,例如蜂窝和无绳
电话,PDA,计算机,打印机,数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品,如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业,他们可以在气囊展开,并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出,线性增益驱动
(测试版) ,使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
12
12
7.0
5.0
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
NSS12600CF8T1G
12 V , 6.0 A,低V
CE ( SAT )
PNP晶体管
http://onsemi.com
12
伏, 6.0 AMPS
PNP低V
CE ( SAT )
晶体管
等效
DS ( ON)
45毫瓦
集热器
1, 2, 3, 6, 7, 8
4
BASE
5
辐射源
ChipFET ]
CASE 1206A
方式4
HBM 3B类
MM C级
标记图
VE M
G
VE =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
热特性
特征
器件总功耗,T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗,T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
热阻,
结到铅# 1
器件总功耗
(单脉冲< 10秒)
结存储
温度范围
符号
P
D
(注1 )
R
qJA
(注1 )
P
D
(注2 )
R
qJA
(注2 )
R
qJL
(注2 )
P
Dsingle
(注2和3 )
T
J
, T
英镑
最大
830
6.7
150
1.4
11.1
90
15
2.75
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
连接
C 8
C 7
C 6
E 5
1 C
2 C
3 C
4 B
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
订购信息
设备
NSS12600CF8T1G
ChipFET
(无铅)
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
2007年3月,
第1版
1
出版订单号:
NSS12600CF8/D
NSS12600CF8T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
=
0.1
MADC ,我
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
=
0.1
MADC ,我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
12
VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
7.0
VDC )
基本特征
直流电流增益(注4 )
(I
C
=
10
毫安,V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
500
毫安,V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
1.0
A,V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
2.0
A,V
CE
=
2.0
V)
(I
C
=
3.0
A,V
CE
=
2.0
V)
集热器
:辐射源
饱和电压(注4 )
(I
C
=
0.1
A,I
B
=
0.010
A) (注5 )
(I
C
=
1.0
A,I
B
=
0.100
A)
(I
C
=
1.0
A,I
B
=
0.010
A)
(I
C
=
2.0
A,I
B
=
0.020
A)
(I
C
=
3.0
A,I
B
=
0.030
A)
(I
C
=
4.0
A,I
B
=
0.400
A)
BASE
:辐射源
饱和电压(注4 )
(I
C
=
1.0
A,I
B
=
0.01
A)
BASE
:辐射源
导通电压(注4 )
(I
C
=
2.0
A,V
CE
=
3.0
V)
截止频率
(I
C
=
100
毫安,V
CE
=
5.0
V,F = 100兆赫)
输入电容(V
EB
=
0.5
V,F = 1.0兆赫)
输出电容(V
CB
=
3.0
V,F = 1.0兆赫)
开关特性
延迟(V
CC
=
10
V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
上升(V
CC
=
10
V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
存储(V
CC
=
10
V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
秋季(V
CC
=
10
V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
4.脉冲条件:脉冲宽度= 300
毫秒,
占空比
2%.
5.设计保证,但未经测试。
t
d
t
r
t
s
t
f
130
220
350
240
ns
ns
ns
ns
h
FE
250
250
250
200
180
100
300
0.005
0.045
0.070
0.095
0.120
0.140
0.010
0.060
0.080
0.120
0.160
0.170
0.90
0.90
800
300
V
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
12
12
7.0
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
符号
典型
最大
单位
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
CIBO
科博
V
V
兆赫
pF
pF
http://onsemi.com
2
NSS12600CF8T1G
0.25
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
I
C
/I
B
= 10
0.20
0.15
25°C
0.10
55°C
0.05
0
V
CE ( SAT )
= 150°C
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
150°C
25°C
I
C
/I
B
= 100
V
CE ( SAT )
=
55°C
0.001
0.01
0.1
1.0
10
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
800
V
BE ( SAT )
,基极发射极
饱和电压( V)
700
h
FE
,直流电流增益
600
500
25 ℃(5 V)的
400
300
55°C
(5 V)
200
100
55°C
(2 V)
0.001
0.01
0.1
1.0
10
25 ° C( 2 V)
150 ℃(5 V)的
150C ( 2 V )
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
150°C
0.001
0.01
0.1
1.0
10
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图3.直流电流增益与
集电极电流
图4.基极发射极饱和电压与
集电极电流
V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.001
0.01
0.1
1.0
10
150°C
25°C
V
CE
=
1.0
V
55°C
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
1.0
0.8
10毫安
百毫安
I
C
= 500毫安
300毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1.0
10
100
I
C
,集电极电流( A)
I
B
,基极电流(毫安)
图5.基极发射极导通电压与
集电极电流
http://onsemi.com
3
图6.饱和区
NSS12600CF8T1G
C
IBO
(PF )
C
敖包
,输出电容( pF)的
900
850
800
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
450
C
敖包
(PF )
400
350
300
250
200
150
C
IBO
,输入电容( pF)的
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
V
EB
,发射极基极电压( V)
V
CB
,集电极基极电压( V)
图7.输入电容
图8.输出电容
10
1.0毫秒
1.0
I
C
(A)
10毫秒
100毫秒
1.0 S
极限
0.1
0.01
0.01
0.1
1.0
V
CE
(V
dc
)
10
100
图9.安全工作区
http://onsemi.com
4
NSS12600CF8T1G
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -03
ISSUE摹
D
8
7
6
5
q
L
5
6
3
7
2
8
1
H
E
1
2
3
4
E
4
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13mm的每一面。
4.引线框架成型体偏移水平
和垂直不得超过0.08的MM。
5.尺寸A和B ,不包括模具浇口毛刺。
6.无毛边允许在顶部和底部的铅
表面。
暗淡
A
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
q
MILLIMETERS
最大
1.05
1.10
0.30
0.35
0.15
0.20
3.05
3.10
1.65
1.70
0.65 BSC
0.55 BSC
0.28
0.35
0.42
1.80
1.90
2.00
5 ° NOM
1.00
0.25
0.10
2.95
1.55
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
英寸
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.011
0.071
0.075
5 ° NOM
最大
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
e1
e
b
c
A
0.05 (0.002)
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
1.727
0.068
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.178
0.007
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
BASIC
方式4
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
ChipFET为Vishay Siliconix公司的一个注册商标。
安森美半导体
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    终端采购配单精选

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