NSS12100UW3TCG
12 V ， 1 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
特点
http://onsemi.com
12伏， 1.0安
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
400毫瓦
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
高电流能力（ 1 ）
高功率处理（最多740毫瓦）
低V
CE （S ）
（ 200 mV的典型@ 500毫安）
小型
低噪音
这是一个Pb - Free设备
3
2
1
WDFN3
CASE 506AU
好处
高比电流和功率容量减少所需PCB面积
降低寄生损耗增加电池寿命
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
-12
-12
-5.0
-1.0
-2.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
标记图
VG M
G
1
VG =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NSS12100UW3TCG
包
WDFN3
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
HBM 3B类
MM C级
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年4月 - 修订版0
出版订单号：
NSS12100UW3/D
NSS12100UW3TCG
热特性
特征
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅6
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @百毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR- 4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
（注2 ）
T
J
, T
英镑
最大
740
6.0
169
1.1
9.0
110
33
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压， （我
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压， （我
C
= -0.1 MADC ，我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压， （我
E
= -0.1 MADC ，我
C
= 0)
集电极截止电流（ V
CB
= -12伏直流，我
E
= 0)
发射极截止电流（ V
CES
= -5.0伏，我
E
= 0)
基本特征
DC电流增益（注3）
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -2.0 V)
(I
C
= -500毫安，V
CE
= -2.0 V)
(I
C
= -1.0 A，V
CE
= -2.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= -0.05 A，I
B
= -0.005 A） （注4 ）
(I
C
= -0.1 A，I
B
= -0.002 A)
(I
C
= -0.1 A，I
B
= -0.010 A)
(I
C
= -0.5 A，I
B
= -0.050 A)
(I
C
= -1.0 A，I
B
= -0.100 A)
基地 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= -1.0 A，I
B
= -0.01 A)
基地 - 发射极导通电压（注3 ）
(I
C
= -2.0 A，V
CE
= -1.0 V)
输入电容（V
EB
= -0.5 V，F = 1.0兆赫）
输出电容（V
CB
= -3.0 V，F = 1.0兆赫）
开关特性
延迟（V
CC
= -10 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
上升（V
CC
= -10 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
存储（V
CC
= -10 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
秋季（V
CC
= -10 V，I
C
= 750 mA时，我
B1
= 15 mA）的
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积， （我
C
= -100毫安，V
CE
= -5 VDC ， F = 100兆赫）
噪声系数， （我
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5 VDC ，R
S
= 2千瓦， F = 1 kHz时， BW = 200Hz时）
3.脉冲条件：脉冲宽度= 300
毫秒，
占空比
≤
2%.
4.设计保证，但未经测试。
f
T
NF
200
-
-
-
-
5.0
兆赫
dB
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
20
90
140
100
ns
ns
ns
ns
h
FE
200
100
75
V
CE （ SAT ）
-
-
-
-
-
V
BE （ SAT ）
-
V
BE（上）
-
CIBO
科博
-
-
-1.05
40
15
-1.20
50
20
pF
pF
-0.95
-1.15
V
-0.030
-0.080
-0.050
-0.200
-0.400
-0.040
-0.100
-0.060
-0.225
-0.440
V
-
-
-
400
250
-
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
-12
-12
-5.0
-
-
-
-
-
-0.02
-0.03
-
-
-
-0.1
-0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NSS12100UW3TCG
包装尺寸
WDFN3
CASE 506AU -01
发行
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端与
实测0.25 0.30毫米端子。
4.共面性适用于裸露焊盘以及
的端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
民
0.70
0.00
0.25
1.40
0.90
MILLIMETERS
喃
最大
0.75
0.80
0.05
0.20 REF
0.30
0.35
2.00 BSC
1.50
1.60
2.00 BSC
1.00
1.10
1.30 BSC
0.35 REF
0.40
0.45
民
0.028
0.000
0.010
英寸
喃
0.030
最大
0.031
0.002
0.014
0.063
0.043
D
A
B
销1
参考
2X
0.10 C
2X
0.10 C
0.10 C
8X
0.08 C
座位
飞机
A1
2X
L
K
0.400
1.600
E2
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
0.275
安森美半导体
和
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P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
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D2
e
1
E
0.35
0.008 REF
0.012
0.079 BSC
0.055
0.059
0.079 BSC
0.035
0.039
0.051 BSC
0.014 REF
0.014
0.016
0.018
顶视图
焊接足迹*
A
2X
1.300
0.400
0.600
C
0.250
1.100
SIDE VIEW
(A3)
e/2
2
0.300
3
3X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
底部视图
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5
NSS12100UW3/D
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