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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第201页 > NSR0320XV6T1
NSR0320XV6T1
肖特基二极管
这些肖特基势垒二极管被设计用于高电流,
处理能力和低正向电压的性能。
低正向电压 - 0.35伏(典型值) @我
F
= 10 MADC
高电流能力
http://onsemi.com
HIGH CURRENT
肖特基二极管
1, 2, 5, 6
阴极
3, 4
阳极
最大额定值
(T
J
= 125 ° C除非另有说明)
等级
反向电压
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向工作电流(DC)的
连续
正向电流
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
结温
存储温度范围
符号
V
R
P
F
200
2.0
I
F
1
I
F
7.5
T
J
T
英镑
125最大
-55到+150
°C
°C
A
mW
毫瓦/°C的
A
价值
23
单位
V
6
1
SOT563
CASE 463A
记号
6
RD
1
RD =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
设备
NSR0320XV6T1
SOT563
航运
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2003
2003年7月 - 第2版
出版订单号:
NSR0320XV6T1/D
NSR0320XV6T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
总电容(V
R
= 5.0 V , F = 1.0兆赫)
反向漏电流(V
R
= 15 V)
正向电压(I
F
= 10 MADC )
正向电压(I
F
= 100 MADC )
正向电压(I
F
= 900 MADC )
符号
C
T
I
R
V
F
V
F
V
F
典型值
30
10
0.24
0.30
0.45
最大
35
50
0.27
0.35
0.50
单位
pF
MADC
VDC
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
NSR0320XV6T1
包装尺寸
SOT - 563 ,比6领先
塑料包装
CASE 463A -01
发行
A
X
C
K
4
6
5
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
0.024
0.007
0.011
0.020 BSC
0.003
0.007
0.004
0.012
0.059
0.067
1
2
3
B
Y
S
D
G
5
6 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
发射器1
基地1
器2
发射器2
基地2
集热器1
方式2 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
发射器1
EMITTER2
基地2
器2
基地1
集热器1
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
阴极1
阴极1
阳极/阳极2
阴极2
阴极2
阳极/阳极1
方式4 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
http://onsemi.com
3
NSR0320XV6T1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改,恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证,声明或担保
特定用途,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
NSR0320XV6T1/D
NSR15ADXV6T1,
NSR15ADXV6T5
双射频
肖特基二极管
这些二极管被设计用于模拟和数字应用
包括直流基于信号检测和混合应用。
http://onsemi.com
特点
低电容( <1.0 pF的)
低V
F
( 390 mV的典型@ 1.0毫安)
低V
FD
( 1.0 mV的典型@ 1.0毫安)
这些无铅器件
RF肖特基
垒二极管
15伏, 30毫安
好处
降低寄生损耗
准确的信号检测
最大额定值
等级
峰值反向电压
正向电流
工作和存储
温度范围
ESD额定值:
符号
V
R
I
F
T
J
, T
英镑
最大
15
30
-65
+150
单位
V
mA
°C
6
1
6
5
4
1
2
3
记号
每个人体模型类1
每个机器型号A类
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
5RD
SOT563
CASE 463A
5R =具体设备守则
D
=日期代码
订购信息
设备
NSR15ADXV6T1
NSR15ADXV6T5
SOT563
SOT563
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 第3版
出版订单号:
NSR15ADXV6T1/D
NSR15ADXV6T1 , NSR15ADXV6T5
电气特性
特征
击穿电压(I
R
= 10
毫安)
反向漏电流(V
R
= 1.0 V)
正向电压(I
F
= 1.0 mA)的
正向电压(I
F
= 10 mA)的
台达V
F
电容( V
F
= 0 V , F = 1.0兆赫)
符号
V
BR
I
R
V
F1
V
F2
DV
F
C
T
15
典型值
20
2
390
530
1
0.8
最大
50
415
680
15
1
单位
V
nA
mV
mV
mV
pF
100
I
F
,正向电流(mA )
100 k
I
R
,反向电流( NA)
10 k
10
25°C
125°C
75°C
1
125°C
0.1
25°C
1k
75°C
100
25°C
10
1
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
F
,正向电压( V)
0.6
0.7
0
5
10
V
R
,反向电压(V)的
15
图1.正向电流与正向
电压温度
图2.反向电流与反向
电压
1
1000
R
D
,动态电阻( W)
0
1
2
3
4
5
6
V
R
,反向电压(V)的
7
8
C
T
,电容(pF )
0.9
100
0.8
0.7
10
0.6
0.5
1
0.1
1
10
I
F
,正向电流(mA )
100
图3.总电容与反向
电压
图4.动态电阻与正向
当前
http://onsemi.com
2
NSR15ADXV6T1 , NSR15ADXV6T5
DV
F
,正向电压差分(MV )
DV
F
,正向电压差(MV )
I
F
,正向电流(mA )
100
I
F
,正向电流(mA )
I
F
(左轴)
100
100
10
I
F
(左轴)
10
DV
F
(右轴)
1
10
10
1
1
DV
F
(右轴)
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
F
,正向电压( V)
0.8
0.1
1
0.1
0.175
0.275
0.225
V
F
,正向电压( V)
0.325
图5.典型的V
F
在混频器偏置电平匹配
图6.典型的V
F
在检测器偏置电平匹配
1
DC偏压= 3
mA
10
1
0.1
V
DET
, (VDC )
0.01
0.001
在RF
68
W
100 pF的
V
O
4.7千瓦
V
DET
, (VDC )
0.1
在RF
0.01
3.3 nH的
18 nH的
100 pF的
V
O
100千瓦
0.0001
0.00001
0.001
40
35
30
25 20
15
10
P
in
输入功率(dBm )
5
0
0.000001
20 15 10
5
10 15
5
0
P
in
输入功率(dBm )
20
25
30
图7.典型输出电压与输入功率,
小信号检测器工作在850 MHz的
图8.典型输出电压与输入
动力方面,大信号检测器工作频率为915MHz
12
转换损耗(dB )
10
9
8
7
6
2
0
2
4
6
8
10
本振功率(dBm )
12
图9.典型变频损耗与L.O.驱动器,
2.0 GHz的
http://onsemi.com
3
NSR15ADXV6T1 , NSR15ADXV6T5
包装尺寸
SOT5636
CASE 463A -01
版本C
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者:
MILLIMETERS
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
最大
0.059 0.067
0.043 0.051
0.020 0.024
0.007 0.011
0.020 BSC
0.003 0.007
0.004 0.012
0.059 0.067
A
X
C
K
4
6
5
1
2
3
B
Y
S
D
G
5
6 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
SOT563
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
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2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
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4
NSR15ADXV6T1/D
NSR0320XV6T1
肖特基二极管
这些肖特基势垒二极管被设计用于高电流,
处理能力和低正向电压的性能。
低正向电压 - 0.35伏(典型值) @我
F
= 10 MADC
高电流能力
http://onsemi.com
HIGH CURRENT
肖特基二极管
1, 2, 5, 6
阴极
3, 4
阳极
最大额定值
(T
J
= 125 ° C除非另有说明)
等级
反向电压
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向工作电流(DC)的
连续
正向电流
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
结温
存储温度范围
符号
V
R
P
F
200
2.0
I
F
1
I
F
7.5
A
mW
毫瓦/°C的
A
价值
23
单位
V
6
1
SOT563
CASE 463A
风格5
记号
6
RD
1
RD =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
T
J
T
英镑
125最大
-55到+150
°C
°C
设备
NSR0320XV6T1
SOT563
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
2004年3月 - 第3版
出版订单号:
NSR0320XV6T1/D
NSR0320XV6T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
总电容(V
R
= 5.0 V , F = 1.0兆赫)
反向漏电流(V
R
= 15 V)
正向电压(I
F
= 10 MADC )
正向电压(I
F
= 100 MADC )
正向电压(I
F
= 900 MADC )
符号
C
T
I
R
V
F
V
F
V
F
典型值
30
10
0.24
0.30
0.45
最大
35
50
0.27
0.35
0.50
单位
pF
MADC
VDC
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
NSR0320XV6T1
包装尺寸
SOT - 563 ,比6领先
塑料包装
CASE 463A -01
问题B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
0.024
0.007
0.011
0.020 BSC
0.003
0.007
0.004
0.012
0.059
0.067
A
X
C
K
4
6
5
1
2
3
B
Y
S
D
G
5
6 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
风格5 :
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
4.阳极
5.阴极
6.阴极
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3
NSR0320XV6T1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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文学履行:
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日本:
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电话:
81357733850
安森美半导体网站:
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为了文学:
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有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
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4
NSR0320XV6T1/D
NSR0320XV6T1
肖特基二极管
这些肖特基势垒二极管被设计用于高电流,
处理能力和低正向电压的性能。
低正向电压 - 0.35伏(典型值) @我
F
= 10 MADC
高电流能力
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HIGH CURRENT
肖特基二极管
1, 2, 5, 6
阴极
3, 4
阳极
最大额定值
(T
J
= 125 ° C除非另有说明)
等级
反向电压
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
正向工作电流(DC)的
连续
正向电流
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
结温
存储温度范围
符号
V
R
P
F
200
2.0
I
F
1
I
F
7.5
T
J
T
英镑
125最大
-55到+150
°C
°C
A
mW
毫瓦/°C的
A
价值
23
单位
V
6
1
SOT563
CASE 463A
记号
6
RD
1
RD =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
设备
NSR0320XV6T1
SOT563
航运
3000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2003
2003年7月 - 第2版
出版订单号:
NSR0320XV6T1/D
NSR0320XV6T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
总电容(V
R
= 5.0 V , F = 1.0兆赫)
反向漏电流(V
R
= 15 V)
正向电压(I
F
= 10 MADC )
正向电压(I
F
= 100 MADC )
正向电压(I
F
= 900 MADC )
符号
C
T
I
R
V
F
V
F
V
F
典型值
30
10
0.24
0.30
0.45
最大
35
50
0.27
0.35
0.50
单位
pF
MADC
VDC
VDC
VDC
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2
NSR0320XV6T1
包装尺寸
SOT - 563 ,比6领先
塑料包装
CASE 463A -01
发行
A
X
C
K
4
6
5
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
0.024
0.007
0.011
0.020 BSC
0.003
0.007
0.004
0.012
0.059
0.067
1
2
3
B
Y
S
D
G
5
6 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
发射器1
基地1
器2
发射器2
基地2
集热器1
方式2 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
发射器1
EMITTER2
基地2
器2
基地1
集热器1
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
阴极1
阴极1
阳极/阳极2
阴极2
阴极2
阳极/阳极1
方式4 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
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3
NSR0320XV6T1
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改,恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证,声明或担保
特定用途,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
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N.美国技术支持:
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日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
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电话:
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安森美半导体网站:
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有关更多信息,请联系您当地的
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4
NSR0320XV6T1/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NSR0320XV6T1
    -
    -
    -
    -
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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ON
15+
8800
SOT563
原装正品支持实单
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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24+
10000
SOT-563
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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ONS
24+
8420
SOT-563-6
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
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ON
2025+
26820
SOT-563
【原装优势★★★绝对有货】
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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ON
22+
35455
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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ONS
2024+
9675
SOT-563-6
优势现货,全新原装进口
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NSR0320XV6T1
ON Semiconductor
24+
22000
455¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
NSR0320XV6T1
ON
25+23+
39262
SOT
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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联系人:夏先生 朱小姐
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NSR0320XV6T1
ON
25+
4500
SOT
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ON/安森美
2024
26000
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