NSI50350ADT4G
恒流稳压器
& LED驱动器
50 V， 350毫安
+
10％，11 W包装
线性恒流稳压器（ CCR ）是一种简单，经济的
和鲁棒设备旨在提供一种具有成本效益的解决方案
调节LED电流。在CCR是基于自偏置
晶体管（ SBT ）技术，调节电流在很宽的电压
范围内。它被设计为具有负温度系数，以保护
从LED灯，在极端电压和电流的热失控。
在CCR立即导通，并在规定的20％
只有0.5 V VAK 。它无需外部组件使其成为
设计成高或低侧调节器。高阳极 - 阴极
额定电压可承受浪涌常见于汽车，工业
和商业标志应用。这款CCR采用热
可靠的封装，且符合AEC- Q101标准， UL94- V0
认证。
也可在SMC ： NSI50350AST3G 。
特点
http://onsemi.com
I
寄存器（ SS ）
= 350毫安
@ VAK = 7.5 V
阳极1
阴极4
4
1 2
强大的功率封装：11瓦
宽工作电压范围
立即导通
电压浪涌抑制
保护LED
AEC - Q101标准和PPAP能干， UL94- V0认证
SBT （自偏置晶体管）技术
负温度COEF网络cient
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
3
DPAK
CASE 369C
标记图
A
NC
1
YWW
NSI
350AG
4
C
典型应用
汽车：雪佛兰后视镜标记，仪表，显示器&
仪表背光灯，高位刹车灯，地图灯
AC照明面板，显示屏看板，装饰照明，通道
刻字
应用笔记AND8349 / D
汽车CHMSL
应用笔记AND8391 / D ， AND9008 / D
功耗
注意事项
Y
=年
WW
=工作周
NSI350A =具体设备守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NSI50350ADT4G
包
DPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年5月
第3版
1
出版订单号：
NSI50350AD/D
NSI50350ADT4G
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
阳极 - 阴极电压
反向电压
工作和存储结温范围
ESD额定值：
人体模型
机器型号
符号
VAK最大
V
R
T
J
, T
英镑
ESD
价值
50
500
55
到+175
3B类（ 8000 V）
C级（ 400 V）
单位
V
mV
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
稳态电流@ VAK = 7.5 V（注1 ）
高压架空（注2 ）
脉冲电流@ VAK = 7.5 V（注3 ）
符号
I
寄存器（ SS ）
V
架空
I
寄存器（ P）
376.5
民
315
典型值
350
1.8
424
474.5
最大
385
单位
mA
V
mA
1. I
寄存器（ SS ）
稳定状态是电压（ VAK）施加的持续时间
≥
300秒，使用900毫米
2
DENKA K1 ， 1.5毫米铝， 2kV的热
导电介质， 2盎司铜（或同等学历） ，在静止空气中。
2. V
架空
= V
in
V
LED灯
. V
架空
对于70 ％I典型值
寄存器（ SS ）
.
3. I
寄存器（ P）
非重复性脉冲测试。脉冲宽度t
≤
360
毫秒。
热特性
特征
器件总功耗（注4 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注4 ）
热参考，结到选项卡（注4 ）
器件总功耗（注5 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注5 ）
热参考，结到选项卡（注5 ）
器件总功耗（注6 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注6 ）
热参考，结到选项卡（注6 ）
器件总功耗（注7 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注7 ）
热参考，结到选项卡（注7 ）
器件总功耗（注8 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境（注8 ）
热参考，结到选项卡（注8 ）
符号
P
D
R
θ
JA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
JL
P
D
R
θ
JA
R
ψ
JL
最大
4144
27.62
36.2
1.16
6383
42.6
23.5
1.07
8671
57.8
17.3
0.76
11029
73.5
13.6
0.72
4202
28.01
35.7
5.4
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
注：铅测量是通过非接触方法制得的诸如IR与经处理的表面，以增加发射到0.9。
铅的温度测量通过附着T / C可产生值高达高30％
° C / W
根据经验值
测量和附件的方法。
4. 400 mm
2
，请参阅下面的PCB说明，静止的空气中。
5. 900 mm
2
，请参阅下面的PCB说明，静止的空气中。
6. 1600 mm
2
，请参阅下面的PCB说明，静止的空气中。
7. 2500 mm
2
，请参阅下面的PCB说明，静止的空气中。
（用于笔记4-7 ： PCB是DENKA K1 ， 1.5毫米铝， 2kV的热传导介质， 2盎司铜，或同等）。
8. 1000 mm
2
， FR4 ， 3盎司铜，静止的空气中。
http://onsemi.com
2
NSI50350ADT4G
（最低DENKA K1 @ 900毫米
2
， 1.5毫米铝， 2kV的导热介质， 2盎司铜，或同等学历）
I
寄存器（ SS ）
稳态电流（mA）
400
I
REG
，电流调节（毫安）
350
300
250
200
150
100
50
0
50
10
0
10
20
30
40
T
A
= 25°C
50
60
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
直流测试稳定状态，静止空气
7
8
9 10 11 12 13 14 15
T
A
= 125°C
T
J
，最高芯片温度上限为175℃
T
A
=
40°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
≈0.894
毫安/ ℃的典型值
≈0.860
毫安/ ℃的典型值
≈0.508
毫安/ ℃的典型值
典型性能曲线
VAK ，阳极 - 阴极电压（V）的
VAK ，阳极 - 阴极电压（V）的
图1.一般性能曲线CCR
I
寄存器（ SS ）
稳态电流（mA）
500
I
寄存器（ P）
，脉冲电流（mA）
450
400
350
300
250
200
非重复性脉冲测试
150
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
T
A
= 25°C
390
380
370
360
350
340
330
320
图2.稳态电流（I
寄存器（ SS ）
）与
阳极 - 阴极电压（ VAK）
VAK @ 7.5 V
T
A
= 25°C
310
375 385 395 405 415 425 435 445 455 465 475
I
寄存器（ P）
，脉冲电流（mA）
VAK ，阳极 - 阴极电压（V）的
图3的脉冲电流（I
寄存器（ P）
）与
阳极 - 阴极电压（ VAK）
430
I
REG
，电流调节（毫安）
420
410
400
390
380
370
360
350
340
0
50
100
150
200
250
300
350
VAK @ 7.5 V
T
A
= 25°C
16000
P
D
，功耗（毫瓦）
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
图4.稳态电流和脉冲
电流测试
2500 mm
2
，登卡K1 ， 2盎司
1600 mm
2
，登卡K1 ， 2盎司
900 mm
2
，登卡K1 ， 2盎司
1000 mm
2
， FR4 ， 3盎司
20
0
20
400 mm
2
，登卡K1 ， 2盎司
40
60
80
100
120
0
40
时间（s）
T
A
，环境温度（ ° C）
图5.电流调节与时间
图6.功耗与环境
温度@ T
J
= 1755C
http://onsemi.com
3
NSI50350ADT4G
其它电流
可调节CCR可以放置在平行与任何
其它CCR以获得所需的电流。可调节的CCR
提供调整电流LED的效率的能力
增大，以获得相同的光输出（图10） 。
产生可听见的声音。调光通过转动来实现
LED的打开和关闭单个周期的一部分。这种开/关
周期称为占空比（D）和由表示
通过将总分割量的时间的指示灯上（吨）
的开/关周期（ Ts）的（图12）的时间。
图12 。
电流通过LED的期间恒定
它们被接通产生的光被具有一致
色度（颜色）无移位。亮度成比例
到的时候，该发光二极管被导通的百分比。
图13是亮度的VS占空比的典型响应。
6000
网络连接gure 10 。
采用PWM调光
5000
照度（ LX ）
4000
3000
2000
1000
0
0
勒克司
线性
10
20
30
40 50
60 70
占空比（ ％ ）
80
90 100
一个LED串的调光可以通过很容易地实现
放置一个双极结型晶体管串联在CCR （图11） 。
图13.夜光Emmitance与占空比
降低EMI
图11 。
脉冲电流的过LED的方法是
被称为脉冲宽度调制（PWM） ，并已成为
改变光水平的优选方法。 LED灯是
硅元件，接通和关断迅速响应于
电流通过它们被打开和关闭。开关
时间为100毫微秒，这相当于一个
10 MHz的最高频率，并会应用
通常从100赫兹至100千赫兹操作。低于100赫兹
人眼将检测到的闪烁从发射的光
从LED 。在500 Hz到20 kHz的电路可
设计师创造电路交换中高
电流需要被关注的电磁
干扰（EMI） 。 LED和CCR的开关
速度极快，不到100纳秒。为了帮助消除
电磁干扰，电容器可以被添加到R2两端的电路。
（图11 ），这将导致斜坡上的上升和下降
上的电流通过电路边缘可以延长。该
CCR中的开/关电流斜率可由控制
R1和C1的值。
所选择的延迟/斜坡将影响频率
选择操作的调光电路。的时间越长
延迟，较低的频率将是。如若延迟时间
不小于10 ：时间1的比例的最小值。该
频率也由分辨率和调光的影响
所必需的步骤。为1.5微秒的延迟
上升和下降边缘，最小导通时间是
30微秒。如果要求100的分辨率设计
调光步骤，那么总工作周期时间（ TS ）的
3毫秒或333 Hz的频率是必要的。
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5
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