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NSF8AT THRU NSF8MT
玻璃钝化通用塑料整流器
反向电压 -
50到1000伏特
ITO-220AC
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
DI
0.122 (3.08)
正向电流 -
8.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
较高的正向电流能力
高浪涌电流能力
低正向压降
玻璃钝化结
高温焊接保证:
250℃, 0.25" ( 6.35mm)时,从壳体10秒
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
0.676 (17.2)
0.646 (16.4)
2
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
机械数据
案例:
JEDEC ITO - 220AC模压塑体
终端:
镀导致每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性:
由于标
安装位置:
任何
重量:
0.08盎司, 2.24克
安装扭矩:
5 - 磅。最大。
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
销1
销2
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
NSF8
AT
NSF8
BT
NSF8
DT
NSF8
GT
NSF8
JT
NSF8
KT
NSF8
MT
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
=100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在8.0A最大正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻
(注1 )
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
, T
英镑
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
175.0
1.1
10.0
100.0
55.0
3.0
-55到+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
安培
安培
A
pF
° C / W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
(注2 )
工作结存储温度范围
注意事项:
( 1 )测得1.0 MH
Z
和应用4.0伏特的电压反转
( 2 )热阻结到外壳上安装散热片
9/1/98
额定值和特性曲线NSF8AT THRU NSF8MT
图。 2 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流
图1 - 正向电流降额曲线
平均正向电流,
安培
60 H
Z
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌电流,
安培
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
175
150
125
1.0循环
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
100
75
50
25
0
1
10
周期数的AT 60 H
Z
50
100
150
外壳温度
100
图。 3 - 典型瞬时
正向特性
图。 4 - 典型的反向特性
100
100
瞬时正向电流,
安培
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
10
瞬时反向电流,
微安
10
T
J
=100°C
1
1
T
J
=75°C
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T
J
=25°C
正向电压,伏
0.1
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压%
图。 5 - 典型结电容
120
结电容, pF的
100
80
60
40
20
0
0.1
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=50mp-p
1
10
反向电压,伏
100
1,000
NS (F , B) 8AT通NS (F , B) 8MT
威世通用半导体
玻璃钝化通用塑料整流器
TO-220AC
ITO-220AC
特点
玻璃钝化结
低正向压降
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF
245 ° C(用于TO- 263AB最大峰值
包)
浸焊260 ° C, 40秒(对于TO- 220AC和
ITO - 220AC封装)
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
2
1
NS8xT
销1
销2
2
1
NSF8xT
销1
销2
TO-263AB
K
2
1
NSB8xT
销1
销2
K
散热器
对于通用整流电源的使用
电源,逆变器,转换器和续流
二极管的应用。
机械数据
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
8.0 A
50 V到1000 V.
125 A
1.1 V
150 °C
案例:
TO- 220AC , ITO - 220AC , TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 100 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
隔离电压( ITO - 220AC只)
从终端到散热片T = 1分
SYMBOL NS8AT NS8BT NS8DT NS8GT NS8JT NS8KT NS8MT单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
V
AC
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
125
- 55至+ 150
1500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
V
文档编号: 88690
修订: 08- NOV- 07
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
NS (F , B) 8AT通NS (F , B) 8MT
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大
瞬时
正向电压
(1)
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型结
电容
注意:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
测试条件
8.0 A
T
J
= 25 °C
符号
V
F
NS8AT
NS8BT
NS8DT
NS8GT
1.1
NS8JT
NS8KT
NS8MT
单位
V
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
I
R
10
100
A
4.0 V, 1 MHz的
C
J
55
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
结点的典型热阻到外壳
符号
R
θJC
NSxT
3.0
NSFxt
5.0
NSBxt
3.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
TO-220AC
ITO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
首选的P / N
NS8JT-E3/45
NSF8JT-E3/45
NSB8JT-E3/45
NSB8JT-E3/81
NS8JTHE3/45
(1)
NSF8JTHE3/45
(1)
NSB8JTHE3/45
(1)
NSB8JTHE3/81
(1)
单位重量(g )
1.80
1.95
1.77
1.77
1.80
1.95
1.77
1.77
封装代码
45
45
45
81
45
45
45
81
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
带盘
带盘
www.vishay.com
2
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文档编号: 88690
修订: 08- NOV- 07
NS (F , B) 8AT通NS (F , B) 8MT
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
10
100
60赫兹电阻或电感性负载
8
瞬时反向电流( μA )
平均正向电流( A)
10
T
J
= 100 °C
6
4
1
T
J
= 75 °C
2
T
J
= 25 °C
0.1
0
0
50
100
150
0
20
40
60
80
100
外壳温度( ° C)
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向特性
175
120
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流( A)
150
125
100
75
50
25
0
1
结电容(pF )
100
100
80
1.0循环
60
40
20
0
10
0.1
1
10
100
1000
环,在60赫兹的
反向
电压
(V)
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图5.典型结电容每支架
100
正向电流(A )
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
10
1
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
正向
电压
(V)
图3.典型正向特性
文档编号: 88690
修订: 08- NOV- 07
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3
NS (F , B) 8AT通NS (F , B) 8MT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AC
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 ( 3.91 ) DIA 。
0.148 ( 3.74 ) DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
ITO-220AC
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.076 ( 1.93 ) REF 。
0.076 ( 1.93 ) REF 。
7 ° REF 。
0.140 ( 3.56 ) DIA 。
0.125 ( 3.17 ) DIA 。
0.135 ( 3.43 ) DIA 。
0.122 ( 3.08 ) DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
2
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
7 ° REF 。
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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4
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修订: 08- NOV- 07
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日前,Vishay
放弃
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可靠性,功能,设计或其他原因。
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没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
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文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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