NSDEMP11XV6T1,
NSDEMP11XV6T5
共阳极四
阵列开关二极管
这些共阳极外延平面QUAD二极管是
设计用于超高速开关应用中使用。该
NSDEMP11XV6T1设备被容纳在所述的SOT- 563封装该
是专为低功耗表面贴装应用中，电路板
空间是十分宝贵的。
快速吨
rr
低C
D
可在8毫米; 7英寸磁带和卷轴
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
1. t = 1
mS
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM
（注1 ）
价值
80
80
100
300
2.0
单位
VDC
VDC
MADC
MADC
ADC
6
54
2
3
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
(6)
记号
图
1
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
2. FR-4 @最低垫
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
R
qJA
T
A
= 25°C
符号
P
D
最大
357
（注2 ）
2.9
（注2 ）
350
（注2 ）
最大
500
（注2 ）
4.0
（注2 ）
250
（注2 ）
- 55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT-563
CASE 463A
塑料
P9
P9 =具体设备守则
D =日期代码
订购信息
设备
包
SOT-563
SOT-563
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
NSDEMP11XV6T1
NSDEMP11XV6T5
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
符号
I
R
V
F
V
R
C
D
t
rr
（注2 ）
条件
V
R
= 70 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
mA
V
R
= 6.0 V，F = 1.0 MHz的
I
F
= 5.0毫安， V
R
= 6.0 V ，R
L
= 100
W,
I
rr
= 0.1 I
R
民
-
-
-0
-
-
最大
0.1
1.2
—
3.5
4.0
单位
MADC
VDC
VDC
pF
ns
3. t
rr
测试电路NSDEMP11XV6T1如图4所示。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年2月 - 第1版
出版订单号：
NSDEMP11XV6T1/D
NSDEMP11XV6T1 ， NSDEMP11XV6T5
典型电气特性
100
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ，反向电流（ μA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图1.正向电压
图2.反向电流
1.75
CD ，二极管电容（PF ）
1.5
1.25
1.0
0.75
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图3.二极管电容
t
r
t
p
t
10%
I
F
t
rr
t
A
R
L
90%
V
R
t
p
= 2
ms
t
r
= 0.35纳秒
I
rr
= 0.1 I
R
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 6 V
R
L
= 100
W
恢复时间等效测试电路
输入脉冲
输出脉冲
图4.反向恢复时间测试电路的NSDEMP11XV6T1
http://onsemi.com
2
NSDEMP11XV6T1 ， NSDEMP11XV6T5
对于采用SOT- 563表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.35
0.0531
1.0
0.0394
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
SOT-563
SOT- 563功耗
采用SOT -563的功耗是一个函数
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接给定的最大功率耗散垫尺寸
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
被T开采
J（下最大）
时，最大额定结温
在模具中，R的
qJA
从装置的热阻
结点到环境，以及工作温度，T
A
.
使用提供的数据表中的值
SOT- 563封装，P
D
可以计算如下：
P
D
=
T
J（下最大）
- T
A
R
qJA
焊接注意事项
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程用于将环境温度T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为150毫瓦。
P
D
=
150°C - 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
为SOT- 563封装的833 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板实现150毫秒的功率耗散
瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 563封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合
。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊料的熔融温度比更高
该装置的额定温度。当整个装置是
加热到高温时，不能完成焊接
很短的时间内可能会导致器件失效。 There-
脱颖而出，下列项目应始终在观察
为了最大限度地减少热应力，以使设备
承受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
http://onsemi.com
3
NSDEMP11XV6T1 ， NSDEMP11XV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
发行
A
-X-
C
K
4
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
民
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
0.024
0.007
0.011
0.020 BSC
0.003
0.007
0.004
0.012
0.059
0.067
6
5
1
2
3
B
-Y-
S
D
G
5
6 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
发射器1
基地1
器2
发射器2
基地2
集热器1
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
发射器1
EMITTER2
基地2
器2
基地1
集热器1
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
阴极1
阴极1
阳极/阳极2
阴极2
阴极2
阳极/阳极1
方式4 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81-3-5773-3850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
NSDEMP11XV6T1/D
NSDEMP11XV6T1,
NSDEMP11XV6T5
共阳极四
阵列开关二极管
这些共阳极外延平面QUAD二极管是
设计用于超高速开关应用中使用。该
NSDEMP11XV6T1设备被容纳在所述的SOT- 563封装该
是专为低功耗表面贴装应用中，电路板
空间是十分宝贵的。
特点
http://onsemi.com
(3)
(2)
(1)
快速吨
rr
低C
D
这些无铅器件
(4)
(5)
(6)
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM
（注1 ）
价值
80
80
100
300
2.0
单位
VDC
VDC
1
MADC
MADC
ADC
SOT563
CASE 463A
塑料
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
R
qJA
T
A
= 25°C
标记图
符号
P
D
最大
357
（注2 ）
2.9
（注2 ）
350
（注2 ）
最大
500
（注2 ）
4.0
（注2 ）
250
（注2 ）
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
P9 =器件代码
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
P9 M
G
G
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
NSDEMP11XV6T1
包
航运
SOT- 563 * 4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. t = 1
mS
2. FR-4 @最低垫
NSDEMP11XV6T1G SOT- 563 * 4000 /磁带&卷轴
NSDEMP11XV6T5
SOT- 563 * 8000 /磁带&卷轴
NSDEMP11XV6T5G SOT- 563 * 8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第3版
出版订单号：
NSDEMP11XV6T1/D
NSDEMP11XV6T1 ， NSDEMP11XV6T5
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
符号
I
R
V
F
V
R
C
D
t
rr
（注3）
条件
V
R
= 70 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
mA
V
R
= 6.0 V，F = 1.0 MHz的
I
F
= 5.0毫安， V
R
= 6.0 V ，R
L
= 100
W,
I
rr
= 0.1 I
R
民
0
最大
0.1
1.2
3.5
4.0
单位
MADC
VDC
VDC
pF
ns
3. t
rr
测试电路NSDEMP11XV6T1如图4所示。
典型电气特性
100
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ，反向电流（
μ
A)
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图1.正向电压
1.75
CD ，二极管电容（PF ）
图2.反向电流
1.5
1.25
1.0
0.75
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图3.二极管电容
t
r
t
p
t
10%
A
R
L
90%
V
R
t
p
= 2
ms
t
r
= 0.35纳秒
I
rr
= 0.1 I
R
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 6 V
R
L
= 100
W
I
F
t
rr
t
恢复时间等效测试电路
输入脉冲
输出脉冲
图4.反向恢复时间测试电路的NSDEMP11XV6T1
http://onsemi.com
2
NSDEMP11XV6T1 ， NSDEMP11XV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
本期
D
X
A
L
4
6
5
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
1
2
3
E
Y
H
E
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
e
b
6 PL
5
0.08 (0.003)
C
M
X Y
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您当地的
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3
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