NSDEMN11XV6T1,
NSDEMN11XV6T5
共阴极四
阵列开关二极管
这种共阴极外延平面四二极管是专为
在超高速开关应用中使用。此装置被安置在
采用SOT - 563封装，适用于低功率表面贴装
应用中，电路板空间非常珍贵。
特点
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(3)
(2)
(1)
快速吨
rr
低C
D
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM
（注1 ）
价值
80
80
100
300
2.0
单位
VDC
VDC
1
MADC
MADC
ADC
SOT563
CASE 463A
塑料
(4)
(5)
(6)
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗@T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗@T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
符号
P
D
最大
357
（注2 ）
2.9
（注2 ）
350
（注2 ）
最大
500
（注2 ）
4.0
（注2 ）
250
（注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
N9 M
G
G
1
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
N9 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NSDEMN11XV6T1
包
航运
SOT - 563 4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. t = 1
mS
2. FR-4 @最低垫
NSDEMN11XV6T1G SOT - 563 4000 /磁带&卷轴
（无铅）
NSDEMN11XV6T5
SOT - 563 8000 /磁带&卷轴
NSDEMN11XV6T5G SOT - 563 8000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第2版
出版订单号：
NSDEMN11XV6T1/D
NSDEMN11XV6T1 ， NSDEMN11XV6T5
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
3. t
rr
测试电路下页上。
符号
I
R
V
F
V
R
C
D
t
rr
（注3）
条件
V
R
= 70 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
mA
V
R
= 6.0 V，F = 1.0 MHz的
I
F
= 5.0毫安， V
R
= 6.0 V ，R
L
= 100
W,
I
rr
= 0.1 I
R
民
80
最大
0.1
1.2
3.5
4.0
单位
MADC
VDC
VDC
pF
ns
典型电气特性
100
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ，反向电流（ μA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图1.正向电压
图2.反向电流
1.0
CD ，二极管电容（PF ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图3.二极管电容
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2
NSDEMN11XV6T1 ， NSDEMN11XV6T5
t
r
t
p
t
10%
A
R
L
90%
V
R
t
p
= 2
ms
t
r
= 0.35纳秒
I
rr
= 0.1 I
R
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 6 V
R
L
= 100
W
I
F
t
rr
t
恢复时间等效测试电路
输入脉冲
输出脉冲
图4.反向恢复时间测试电路的NSDEMN11XV6T1
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3
NSDEMN11XV6T1 ， NSDEMN11XV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
本期
D
X
A
L
4
6
5
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
1
2
3
E
Y
H
E
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
b
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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