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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第385页 > NSBC144EPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G,
NSVBC114EPDXV6T1G系列
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在NSBC114EPDXV6T1
系列中，两个互补的BRT装置被收容在SOT -563
封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
SOT563
CASE 463A
塑料
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求
这些无铅器件*
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
XX MG
G
XX =具体设备守则
（见表2页）
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
包
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
NSBC114EPDXV6T1G
SOT563
NSBC114EPDXV6T5G
SOT563
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
启示录7
1
出版订单号：
NSBC114EPDXV6/D
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
热特性
特点（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻（注1 ）
结到环境
特性（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻（注1 ）
结到环境
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
符号
P
D
最大
357
2.9
350
最大
500
4.0
250
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
器件标识和电阻值
设备
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G
NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G
NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G （注2）
NSBC143TPDXV6T1G （注2）
NSVB143TPDXV6T1G （注2）
NSBC113EPDXV6T1G （注2）
NSBC123EPDXV6T1G （注2）
NSBC143EPDXV6T1G （注2）
NSBC143ZPDXV6T1G （注2）
NSVB143ZPDXV6T1G （注2）
NSBC124XPDXV6T1G （注2）
NSVB124XPDXV6T1G （注2）
NSBC123JPDXV6T1G （注2）
NSVB123JPDXV6T1G （注2）
包
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
记号
11
12
13
13
14
14
15
16
16
30
31
32
33
33
34
34
35
35
R 1 （ kW）的
10
22
47
47
10
10
10
4.7
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
R 2 （千瓦）
10
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
47
47
47
http://onsemi.com
2
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
V
CE （ SAT ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
VDC
VDC
100
500
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
特征
基本特征
（注3）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC113EPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
输入电阻
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
电阻率
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
V
OL
V
OH
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.8
0.8
0.17
0.8
0.8
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
1.0
1.0
0.21
1.0
1.0
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
1.2
1.2
0.25
1.2
1.2
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R1/R2
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
4
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
5
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NJU6358C24
NAND01GW3A0AZA6
NTC3510-20MHZ
NAND512R3A2AZB1
NM1608
NRU105M35
NUF6001MUT2G
NCP4626HMX045TCG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NSBC144EPDXV6T1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市昭兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：575915585 复制

电话：0755-23991909
联系人：林裕忠
地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
NSBC144EPDXV6T1G
ONSEMI/安森美
14+
1800000
SOT563
原装进口低价实单必成
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NSBC144EPDXV6T1G
ON/安森美
21+
10000
SOT563
全新原装正品/质量有保证
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NSBC144EPDXV6T1G
ON/安森美
2418+
4500
SOT563
正规报关原装现货系列订货技术支持
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
NSBC144EPDXV6T1G
ON/安森美
19+
10000
绝对全新原装/自己库存现货
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
NSBC144EPDXV6T1G
ON
25+23+
12500
SOT563
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
深圳山琅电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1210757800 复制
电话：755-83229865
联系人：刘红样
地址：深圳市福田区红荔路301号上步工业区23栋上航大厦东座4楼
NSBC144EPDXV6T1G
onsemi(安森美)
23+
4000
SOT-563
公司宗旨:只做原装
深圳市昭兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：575915585 复制

电话：0755-23991909
联系人：林裕忠
地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
NSBC144EPDXV6T1G
ON
24+
200
SOT563
全新原装正品，热卖价优
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NSBC144EPDXV6T1G
-
22+
32570
NA
全新原装正品/质量有保证
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ：1363272801 复制 点击这里给我发消息 QQ：1294342618 复制
电话：13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人：张
地址：广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
NSBC144EPDXV6T1G
ON(安森美)
22+
8410
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北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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