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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第368页 > NSBC124EPDXV6T1G
MUN5312DW1,
NSBC124EPDXV6,
NSBC124EPDP6
互补的偏差
电阻晶体管
R 1 = 22千瓦， R2 = 22千瓦
NPN和PNP晶体管与单片
偏置电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
(5)
R
1
(6)
http://onsemi.com
引脚连接
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他应用程序
需要独特的网站和控制变化的要求;
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
标记DIAGRAMS
6
SOT363
CASE 419B
1
12 M
G
G
SOT563
CASE 463A
1
12 M
G
G
SOT963
CASE 527AD
1
M
G
G
R
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
12/R
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MUN5312DW1T1G,
SMUN5312DW1T1G
MUN5312DW1T2G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDP6T5G
包
SOT363
SOT363
SOT563
SOT563
SOT963
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和
磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
DTC124EP/D
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
热特性
特征
MUN5312DW1 （ SOT- 363 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
MUN5312DW1 （ SOT- 363 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
NSBC124EPDXV6 （ SOT- 563 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBC124EPDXV6 （ SOT- 563 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
NSBC124EPDP6 （ SOT- 963 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBC124EPDP6 （ SOT- 963 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
5.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0
1.0英寸的垫。
这两个路口加热值假设总功率是两个同样动力的通道总和。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
339
408
2.7
3.3
369
306
55
+150
MW
毫瓦/°C的
° C / W
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
231
269
1.9
2.2
540
464
MW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
500
4.0
250
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
357
2.9
350
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
250
385
2.0
3.0
493
325
188
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
187
256
1.5
2.0
670
490
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJA
R
qJL
° C / W
T
J
, T
英镑
C
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
C
http://onsemi.com
2
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
电气特性
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
直流电流增益（注6 ）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
（ NPN ）
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
（ PNP）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的（ NPN ）
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的（ PNP ）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
6.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
60
4.9
15.4
0.8
100
1.2
1.2
1.9
2.0
22
1.0
0.25
0.2
28.6
1.2
V
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
V
我（上）
VDC
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
VDC
VDC
kW
400
P
D
，功耗（毫瓦）
350
300
250
200
150
100
50
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
(1) (2) (3)
（ 1 ） SOT- 363 ; 1.0
1.0英寸的垫
（ 2 ） SOT- 563 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 963 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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3
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
典型特征
NPN晶体管
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25C
75C
h
FE
，直流电流增益
25C
0.1
1000
25C
V
CE
= 10 V
T
A
= 75C
25C
100
0.01
0.001
10
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
3.2
C
ob
，输出电容（ pF）的
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25C
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.直流电流增益
75C
10
1
25C
T
A
=
25C
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
2
4
6
V
in
，输入电压（ V）
8
10
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25C
V
in
，输入电压（ V）
10
25C
1
75C
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
4
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6 ， NSBC124EPDP6
典型特征
PNP晶体管
MUN5312DW1 ， NSBC124EPDXV6
V
CE （SAT） ，
集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE ，
直流电流增益（标准化）
10
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25C
25C
1
75C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75C
100
25C
25C
0.1
0.01
0
40
20
60
I
C
，集电极电流（毫安）
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
10
C
OB ，
输出电容（pF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25C
I
C,
集电极电流（毫安）
9
100
75C
10
25C
T
A
=
25C
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
V
O
= 5 V
8
9
10
0.001
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25C
V
IN，
输入电压（ V）
10
75C
25C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
NSBC114EPDXV6T1G,
NSVBC114EPDXV6T1G系列
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在NSBC114EPDXV6T1
系列中，两个互补的BRT装置被收容在SOT -563
封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
SOT563
CASE 463A
塑料
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求
这些无铅器件*
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
XX MG
G
XX =具体设备守则
（见表2页）
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
包
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
NSBC114EPDXV6T1G
SOT563
NSBC114EPDXV6T5G
SOT563
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
启示录7
1
出版订单号：
NSBC114EPDXV6/D
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
热特性
特点（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻（注1 ）
结到环境
特性（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻（注1 ）
结到环境
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
符号
P
D
最大
357
2.9
350
最大
500
4.0
250
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
器件标识和电阻值
设备
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G
NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G
NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G （注2）
NSBC143TPDXV6T1G （注2）
NSVB143TPDXV6T1G （注2）
NSBC113EPDXV6T1G （注2）
NSBC123EPDXV6T1G （注2）
NSBC143EPDXV6T1G （注2）
NSBC143ZPDXV6T1G （注2）
NSVB143ZPDXV6T1G （注2）
NSBC124XPDXV6T1G （注2）
NSVB124XPDXV6T1G （注2）
NSBC123JPDXV6T1G （注2）
NSVB123JPDXV6T1G （注2）
包
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
记号
11
12
13
13
14
14
15
16
16
30
31
32
33
33
34
34
35
35
R 1 （ kW）的
10
22
47
47
10
10
10
4.7
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
4.7
22
22
2.2
2.2
R 2 （千瓦）
10
22
47
47
47
47
∞
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
47
47
47
http://onsemi.com
2
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
V
CE （ SAT ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
VDC
VDC
100
500
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
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3
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
特征
基本特征
（注3）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC113EPDXV6T1G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
输入电阻
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
电阻率
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC144EPDXV6T1G ， NSVB144EPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T1G ， NSVBC114YDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC143TPDXV6T1G ， NSVB143TPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G ， NSVB143ZPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G ， NSVB124XPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G ， NSVB123JPDXV6T1G
V
OL
V
OH
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.8
0.8
0.17
0.8
0.8
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
1.0
1.0
0.21
1.0
1.0
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
1.2
1.2
0.25
1.2
1.2
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R1/R2
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
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4
NSBC114EPDXV6T1G ， NSVBC114EPDXV6T1G系列
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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5
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