NSBC114EDXV6T1,
NSBC114EDXV6T5
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在NSBC114EDXV6T1
系列2的BRT设备被容纳在SOT -563封装，是
非常适用于低功率表面贴装应用中，电路板空间
溢价。
特点
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
NSBC114EDXV6T1
(6)
http://onsemi.com
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅焊料电镀
这些无铅器件
1
记号
图
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT563
CASE 463A
塑料
XX M
G
1
XX =设备代码（参见第2页）
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗;牛逼
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗;牛逼
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
范围
1. FR-4 @最低垫
订购信息
符号
P
D
R
qJA
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
357 （注1 ）
2.9 （注1 ）
350 （注1 ）
最大
500 （注1 ）
4.0 （注1 ）
250 （注1 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
NSBC1xxxDXV6T5G SOT- 563 * 8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
设备
NSBC1xxxDXV6T1
包
航运
SOT- 563 * 4000 /磁带&卷轴
NSBC1xxxDXV6T1G SOT- 563 * 4000 /磁带&卷轴
NSBC1xxxDXV6T5
SOT- 563 * 8000 /磁带&卷轴
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 修订版6
出版订单号：
NSBC114EDXV6/D
NSBC114EDXV6T1 ， NSBC114EDXV6T5
器件标识，归类和电阻值，
设备
NSBC114EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
NSBC144EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1 （注2）
NSBC143TDXV6T1 （注2 ）
NSBC113EDXV6T1 （注2）
NSBC123EDXV6T1 （注2 ）
NSBC143EDXV6T1 （注2 ）
NSBC143ZDXV6T1 （注2 ）
NSBC124XDXV6T1 （注2 ）
NSBC123JDXV6T1 （注2）
NSBC115EDXV6T1 （注2 ）
NSBC144WDXV6T1 （注2 ）
包*
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
SOT563
记号
7A
7B
7C
7D
7E
7F
7G
7H
7J
7K
7L
7M
7N
7P
R 1 （ kW）的
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R 2 （千瓦）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
的“G ”后缀表示无铅封装。
*这个包本身是无铅。
2.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
NSBC114EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
NSBC144EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1
NSBC113EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC124XDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
NSBC115EDXV6T1
NSBC144WDXV6T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ） （我
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
NSBC114EDXV6T1 ， NSBC114EDXV6T5
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
）（续）
特征
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
NSBC114EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
NSBC144EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1
NSBC113EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC124XDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
NSBC115EDXV6T1
NSBC144WDXV6T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
0.25
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
NSBC113EDXV6T1/NSBC123EDXV6T1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
NSBC114TDXV6T1/NSBC143TDXV6T1
NSBC143EDXV6T1/NSBC143ZDXV6T1/NSBC124XDXV6T1
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBC114EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1
NSBC113EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC124XDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
NSBC144EDXV6T1
NSBC115EDXV6T1
NSBC144WDXV6T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
NSBC113EDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC114EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1
NSBC144EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1
NSBC143TDXV6T1
NSBC113EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC124XDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
NSBC115EDXV6T1
NSBC144WDXV6T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
VDC
输入电阻
k
W
电阻率
NSBC114EDXV6T1/NSBC124EDXV6T1/
NSBC144EDXV6T1/NSBC115EDXV6T1
NSBC114YDXV6T1
NSBC114TDXV6T1/NSBC143TDXV6T1
NSBC113EDXV6T1/NSBC123EDXV6T1/NSBC143EDXV6T1
NSBC143ZDXV6T1
NSBC124XDXV6T1
NSBC123JDXV6T1
NSBC144WDXV6T1
R1/R2
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
http://onsemi.com
3
NSBC114EDXV6T1 ， NSBC114EDXV6T5
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
4
NSBC114EDXV6T1 ， NSBC114EDXV6T5
电气特性 - NSBC114EDXV6T1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
0.01
0.001
的hFE ， DC电流增益（标准化）
50
100
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
0.01
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（伏）
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
