NSBA114EF3T5G系列
首选设备
数字晶体管（ BRT ）
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 1123封装，适用于低功率表面贴装
应用程序。
特点
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PNP硅数字
晶体管
3脚
集热器
（输出）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 1123封装可以采用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
这些都是不含卤化物设备
销1
BASE
（输入）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
3
1
2
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
xM
x
M
G或
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NSBA114EFT5G
包
SOT1123
（无铅）
航运
8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
第2版
1
出版订单号：
NSBA114EF3/D
NSBA114EF3T5G系列
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
热阻（注1 ）
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
热阻（注2 ）结到环境
热阻（注1 ）结对铅3
结温和存储温度
1. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
符号
P
D
最大
254
2.0
493
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
P
D
297
2.4
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息，设备标识和电阻值
设备
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA114TF3T5G
NSBA115TF3T5G
标记*
F (0°)
Y (0°)
E (0°)
K (0°)
F (90°)
A (90°)
E (90°)
J (90°)
D (90°)
L (90°)
Q (90°)
R1 （ K）
10
22
47
10
2.2
4.7
4.7
2.2
47
10
100
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
4.7
47
47
22
∞
∞
SOT1123
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* （ⅩⅩ °） =度沿着顺时针方向旋转。
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2
NSBA114EF3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G
NSBA114TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA115T53T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
4.0
0.9
1.5
0.1
0.18
0.2
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA115TF3T5G/NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA114TF3T5G
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
15
80
80
80
160
60
100
140
140
350
27
140
140
140
250
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
NSBA114EF3T5G/NSBA124EF3T5G/NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5G/NSBA123TF3T5G/NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
NSBA143ZF3T5G/NSBA143EF3T5G/NSBA114TF3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
NSBA115TF3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA114TF3T5G
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA114YF3T5G
NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA115TF3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
VDC
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA114EF3T5G/NSBA124EF3T5G/NSBA144EF3T5G
NSBA114YEF3T5G/NSBA143ZF3T5G/NSBA123JF3TG
NSBA144WF3T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA123TF3T5G/NSBA143EF3T5G/NSBA114TF3T5G/
NSBA115TF3T5G
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
OH
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3
NSBA114EF3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
NSBA114TF3T5C
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA115TF3T5G
NSBA114EF3T5G/NSBA124EF3T5G/
NSBA144EF3T5G/NSBA143EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G/NSBA114TF3T5G/
NSBA115TF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
符号
R1
民
7.0
7.0
15.4
32.9
7.0
1.5
3.3
3.3
1.54
32.9
70
典型值
10
10
22
47
10
2.2
4.7
4.7
2.2
47
100
最大
13
13
28.6
61.1
13
2.9
6.1
6.1
2.86
61.1
130
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.055
0.038
1.7
1.0
0.21
0.1
0.047
2.1
1.2
0.25
0.185
0.056
2.6
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4
QQ：2880707522 复制
