NSBA114EDP6T5G系列
首选设备
双数字晶体管
（ BRT ）
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 963封装，适用于低功率表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -963封装可以用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
这些都是不含卤化物设备
记号
图
XM
1
SOT963
CASE 527AD
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
X
M
G
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NSBA114EDP6T5G
包
SOT963
（无铅）
航运
8000 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年10月，
启5
1
出版订单号：
NSBA114EDP6/D
NSBA114EDP6T5G系列
热特性
特征
单HEATED
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
热阻（注1 ）
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
热阻（注2 ）结到环境
双HEATED
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
热阻（注1 ）
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
热阻（注2 ）结到环境
结温和存储温度
P
D
339
2.7
369
mW
毫瓦/°C的
° C / W
P
D
231
1.9
540
269
2.2
464
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
R
qJA
P
D
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
R
qJA
P
D
408
3.3
306
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
1. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
3.双热值，假设总功率是两个同样动力的通道总和。
订购信息，设备标识和电阻值
设备
NSBA114EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
NSBA123TDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
NSBA114TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
标记*
F (180°)
E (90°)
E (270°)
Q (0°)
L (90°)
F (90°)
K (90°)
P (90°)
J (90°)
T (180°)
V (180°)
R1 （ K）
10
22
47
10
2.2
4.7
4.7
2.2
47
10
100
R2 （ K）
10
22
47
47
∝
4.7
47
47
22
∝
∝
SOT963
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* （ⅩⅩ °） =度沿着顺时针方向旋转。
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2
NSBA114EDP6T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
NSBA114EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
NSBA123TDP6T5G
NSBA114TDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
4.0
0.9
1.5
0.1
0.18
0.2
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注4 ）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
NSBA114EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
NSBA115TDP6T5G/NSBA123TDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
NSBA114TDP6T5G
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
15
80
80
80
160
60
100
140
140
350
27
140
140
140
250
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
NSBA114EDP6T5G/NSBA124EDP6T5G/NSBA144EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G/NSBA123TDP6T5G
NSBA123JDP6T5G/NSBA144EDP6T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
NSBA143ZDP6T5G/NSBA143EDP6T5G/NSBA114TDP6T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
NSBA115TPD6T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA114TDP6T5G
NSBA114EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
NSBA123TDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
NSBA144EDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
VDC
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA114EDP6T5G/NSBA124EDP6T5G/NSBA144EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G/NSBA143ZDP6T5G/NSBA123JDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA123TDP6T5G/NSBA143EDP6T5G/
NSBA114TDP6T5G/NSBA115TDP6T5G
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
OH
http://onsemi.com
3
NSBA114EDP6T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
NSBA114TDP6T5G
NSBA114EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
NSBA123TDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
NSBA114EDP6T5G/NSBA124EDP6T5G
NSBA144EDP6T5G/NSBA143EDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
NSBA123TDP6T5G/NSBA114TDP6T5G/
NSBA115TDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
NSBA144WDP6T5G
符号
R1
民
7.0
7.0
15.4
32.9
7.0
1.5
3.3
3.3
1.54
32.9
70
0.8
0.17
0.055
0.038
1.7
典型值
10
10
22
47
10
2.2
4.7
4.7
2.2
47
100
1.0
0.21
0.1
0.047
2.1
最大
13
13
28.6
61.1
13
2.9
6.1
6.1
2.86
61.1
130
1.2
0.25
0.185
0.056
2.6
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
