MUN5116DW1,
NSBA143TDXV6
双PNP偏置电阻
晶体管
R 1 = 4.7千瓦，R 2 =
8
kW
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
(5)
R
1
(6)
http://onsemi.com
引脚连接
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他应用程序
需要独特的网站和控制变化的要求;
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25 ° C，常见的Q
1
和Q
2
中，除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
30
5
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
标记DIAGRAMS
6
SOT363
CASE 419B
1
0F M
G
G
SOT563
CASE 463A
1
0F
M
G
0F M
G
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MUN5116DW1T1G,
SMUN5116DW1T1G
NSBA143TDXV6T1G
NSBA143TDXV6T5G
包
SOT363
SOT563
SOT563
航运
3000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和
磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
DTA143TD/D
MUN5116DW1 ， NSBA143TDXV6
热特性
特征
MUN5116DW1 （ SOT- 363 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
MUN5116DW1 （ SOT- 363 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
NSBA143TDXV6 （ SOT- 563 ）一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
NSBA143TDXV6 （ SOT- 563 ）两个路口加热
（注3）
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0
1.0英寸的垫。
3.两个路口加热值假设总功率为两个同样动力的通道总和。
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
500
4.0
250
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
P
D
357
2.9
350
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
250
385
2.0
3.0
493
325
188
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
187
256
1.5
2.0
670
490
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJA
R
qJL
° C / W
T
J
, T
英镑
C
R
qJA
R
qJA
T
J
, T
英镑
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2
MUN5116DW1 ， NSBA143TDXV6
电气特性
(T
A
= 25 ° C，常见的Q
1
和Q
2
中，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
直流电流增益（注4 ）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注4 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 10 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
4.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
160
4.9
3.3
250
0.58
1.0
4.7
0.25
0.2
6.1
V
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
1.9
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
400
P
D
，功耗（毫瓦）
350
300
250
200
150
100
50
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
(1) (2)
（ 1 ） SOT- 363 ; 1.0
1.0英寸的垫
（ 2 ） SOT- 563 ;最小焊盘
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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3
MUN5116DW1 ， NSBA143TDXV6
典型特征
MUN5116DW1 ， NSBA143TDXV6
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
1000
150C
h
FE
，直流电流增益
25C
100
55C
0.1
150C
25C
55C
10
V
CE
= 10 V
1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
0.01
0
20
40
30
10
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
C
ob
，输出电容（ pF）的
I
C
，集电极电流（毫安）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25C
图3.直流电流增益
100
10
1
0.1
0.01
150C
25C
55C
V
O
= 5 V
0
1
2
3
V
in
，输入电压（ V）
4
5
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
V
in
，输入电压（ V）
10 25C
55C
1
150C
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
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4
MUN5116DW1 ， NSBA143TDXV6
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
6
5
4
H
E
1
2
3
E
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
A3
C
A
A1
L
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
SC88/SC706/SOT363
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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