NSBA114EF3T5G系列
首选设备
数字晶体管（ BRT ）
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。数字晶体管
包含一个带有整体式偏置网络由单个晶体管
两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。该
数字晶体管被消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用数字晶体管可以
同时降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SOT- 1123封装，适用于低功率表面贴装
应用程序。
特点
http://onsemi.com
PNP硅数字
晶体管
3脚
集热器
（输出）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT - 1123封装可以采用波或回流焊接。
可在4毫米， 8000单位带卷&
这些无铅器件
这些都是不含卤化物设备
销1
BASE
（输入）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
3
1
2
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
xM
x
M
G或
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NSBA114EFT5G
包
SOT1123
（无铅）
航运
8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
第2版
1
出版订单号：
NSBA114EF3/D
NSBA114EF3T5G系列
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
热阻（注1 ）
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
热阻（注2 ）结到环境
热阻（注1 ）结对铅3
结温和存储温度
1. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
2. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
符号
P
D
最大
254
2.0
493
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
P
D
297
2.4
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息，设备标识和电阻值
设备
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA114TF3T5G
NSBA115TF3T5G
标记*
F (0°)
Y (0°)
E (0°)
K (0°)
F (90°)
A (90°)
E (90°)
J (90°)
D (90°)
L (90°)
Q (90°)
R1 （ K）
10
22
47
10
2.2
4.7
4.7
2.2
47
10
100
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
4.7
47
47
22
∞
∞
SOT1123
（无铅）
8000 /磁带&卷轴
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* （ⅩⅩ °） =度沿着顺时针方向旋转。
http://onsemi.com
2
NSBA114EF3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G
NSBA114TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA115T53T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
50
50
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
4.0
0.9
1.5
0.1
0.18
0.2
0.13
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注3）
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA115TF3T5G/NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA114TF3T5G
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
VDC
h
FE
35
60
80
80
160
15
80
80
80
160
60
100
140
140
350
27
140
140
140
250
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
E
= 0.3 mA）的
NSBA114EF3T5G/NSBA124EF3T5G/NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5G/NSBA123TF3T5G/NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的
NSBA143ZF3T5G/NSBA143EF3T5G/NSBA114TF3T5G
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的
NSBA115TF3T5G
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA114TF3T5G
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA114YF3T5G
NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA115TF3T5G
V
CE （ SAT ）
V
OL
VDC
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.0 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA114EF3T5G/NSBA124EF3T5G/NSBA144EF3T5G
NSBA114YEF3T5G/NSBA143ZF3T5G/NSBA123JF3TG
NSBA144WF3T5G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
NSBA123TF3T5G/NSBA143EF3T5G/NSBA114TF3T5G/
NSBA115TF3T5G
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
V
OH
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3
NSBA114EF3T5G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输入电阻
NSBA114TF3T5C
NSBA114EF3T5G
NSBA124EF3T5G
NSBA144EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G
NSBA143EF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
NSBA115TF3T5G
NSBA114EF3T5G/NSBA124EF3T5G/
NSBA144EF3T5G/NSBA143EF3T5G
NSBA114YF3T5TG
NSBA123TF3T5G/NSBA114TF3T5G/
NSBA115TF3T5G
NSBA143ZF3T5G
NSBA123JF3T5G
NSBA144WF3T5G
符号
R1
民
7.0
7.0
15.4
32.9
7.0
1.5
3.3
3.3
1.54
32.9
70
典型值
10
10
22
47
10
2.2
4.7
4.7
2.2
47
100
最大
13
13
28.6
61.1
13
2.9
6.1
6.1
2.86
61.1
130
单位
kW
电阻率
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.055
0.038
1.7
1.0
0.21
0.1
0.047
2.1
1.2
0.25
0.185
0.056
2.6
http://onsemi.com
4
MUN2112 ， MMUN2112L ，
MUN5112 ， DTA124EE ，
DTA124EM3 ， NSBA124EF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 22千瓦， R2 = 22千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA124E/D
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
表1.订购信息
设备
MUN2112T1G ， SMUN2112T1G
MMUN2112LT1G
MUN5112T1G ， SMUN5112T1G
DTA124EET1G
DTA124EM3T5G
NSBA124EF3T5G
最热
6B
A6B
6B
6B
6B
Y
包
SC59
SOT23
SC70/SOT323
SC75
SOT723
SOT1123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4) (5)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2112 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MUNN2112L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5112 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA124EE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA124EM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
http://onsemi.com
3
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBA124EF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
（注3）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
60
4.9
15.4
0.8
100
1.2
2.0
22
1.0
0.25
0.2
28.6
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
4
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
典型特征
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3
h
FE ，
直流电流增益（标准化）
10
V
CE （SAT） ，
集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25°C
25°C
1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.1
0.01
0
20
40
60
I
C
，集电极电流（毫安）
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
10
C
OB ，
输出电容（pF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
I
C,
集电极电流（毫安）
9
100
75°C
10
25°C
T
A
=
25°C
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
V
O
= 5 V
8
9
10
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25°C
V
IN，
输入电压（ V）
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
MUN2112 ， MMUN2112L ，
MUN5112 ， DTA124EE ，
DTA124EM3 ， NSBA124EF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 22千瓦， R2 = 22千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
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引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101标准
和PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
2013年3月
第3版
1
出版订单号：
DTA124E/D
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
表1.订购信息
设备
MUN2112T1G
MMUN2112LT1G
MUN5112T1G ， SMUN5112T1G
DTA124EET1G
DTA124EM3T5G
NSBA124EF3T5G
最热
6B
A6B
6B
6B
6B
Y
包
SC59
（无铅）
SOT23
（无铅）
SC70/SOT323
（无铅）
SC75
（无铅）
SOT723
（无铅）
SOT1123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1) (2) (3) (4) (5)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SC- 59 ;最小焊盘
（ 3 ） SOT- 23 ;最小焊盘
（ 4 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 5 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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2
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 59 ） （ MUN2112 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注2 ）
减免上述25℃
（注1 ）
（注2 ）
热阻，
结到环境
（注1 ）
（注2 ）
P
D
230
338
1.8
2.7
540
370
264
287
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
P
D
热阻，
（注1 ）
交界处领导（注2 ）
结温和存储温度范围
热特性（ SOT -23 ） （ MMUN2112L ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注2 ）
减免上述25℃
（注1 ）
（注2 ）
热阻，
结到环境
（注1 ）
（注2 ）
246
400
2.0
3.2
508
311
174
208
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
P
D
热阻，
（注1 ）
交界处领导（注2 ）
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5112 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注2 ）
减免上述25℃
（注1 ）
（注2 ）
热阻，
结到环境
（注1 ）
（注2 ）
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
P
D
热阻，
（注1 ）
交界处领导（注2 ）
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA124EE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注2 ）
减免上述25℃
（注1 ）
（注2 ）
热阻，
结到环境
（注1 ）
（注2 ）
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
P
D
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA124EM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
（注1 ）
（注2 ）
减免上述25℃
（注1 ）
（注2 ）
热阻，
结到环境
（注1 ）
（注2 ）
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
http://onsemi.com
3
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
表2.热特性
特征
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBA124EF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
（注3）
（注4 ）
减免上述25℃
（注3）
（注4 ）
热阻，
结到环境
（注3）
（注4 ）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
热阻，结领导
（注3）
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集电极 - 发射极饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
= 0.3 V，I
C
= 5.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
≤
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
60
2.5
4.9
15.4
0.8
100
1.2
1.7
22
1.0
0.25
0.8
0.2
28.6
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
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4
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3 ， NSBA124EF3
典型特征
MUN2112 ， MMUN2112L ， MUN5112 ， DTA124EE ， DTA124EM3
h
FE ，
直流电流增益（标准化）
10
V
CE （SAT） ，
集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
/I
B
= 10
T
A
=
25°C
25°C
1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
0.1
0.01
0
40
20
60
I
C
，集电极电流（毫安）
80
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
10
C
OB ，
输出电容（pF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
50
F = 10千赫
l
E
= 0 A
T
A
= 25°C
I
C,
集电极电流（毫安）
9
100
75°C
10
25°C
T
A
=
25°C
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
V
O
= 5 V
8
9
10
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V
O
= 0.2 V
T
A
=
25°C
V
IN，
输入电压（ V）
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
