NS32FX211微处理器兼容实时时钟
1993年5月
NS32FX211微处理器兼容实时时钟
概述
该NS32FX211使用门槛低的CMOS制造
技术与被设计在总线导向MI-操作
croprocessor系统，其中实时时钟和日历
功能所需的芯片上32 768千赫兹晶体CON-
受控振荡器将保持报时下降到2至2V
让低功耗待机电池操作
特点
Y
Y
Y
Y
Y
应用
Y
Y
Y
Y
Y
Y
低功耗待机操作（ 10
mA
2 2V ）
16引脚DIP和20引脚PLCC
从零点报时，以秒为几十年中
独立访问的寄存器
闰年登记
时间计数器可编程的12或24小时
手术
完全TTL CMOS兼容
传真机
激光打印机
文字处理器
数据记录
工业过程控制
连接图
双列直插式封装
PCC包
TL F 11011 - 2
TL F 11011 - 1
顶视图
图1
订单号NS32FX211N NS32FX211V
见NS包装数N16A或V20A
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 11011
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
工作条件
工作电源电压
待机模式下电源电压
DC输入或输出电压
工作温度范围
民
4 75
22
0
0
最大
5 25
55
V
DD
70
单位
V
V
V
C
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
DC输入或输出电压
DC输入或输出二极管的电流
存储温度（T
英镑
)
电源电压（V
DD
)
功耗（P
D
)
焊接温度
（焊接10秒）
b
0 3V至V
DD
a
0 3V
g
5 0毫安
b
65℃，以
a
150 C
6 5V
500毫瓦
260 C
T
e
0 ℃
a
70℃除非另有说明
民
20
08
I
OH
E B
20
mA
I
OH
E B
1 6毫安
I
OH
E B
20
mA
（在测试模式下）
I
OL
e
20
mA
I
OL
e
1 6毫安
V
IN
e
V
SS
（注2 ）
V
IN
e
V
SS
（注2 ）
V
IN
e
V
SS
（注2 ）
V
OUT
e
V
DD
所有V
IN
e
V
CC
或开路
V
DD
e
2 2V （待机模式）
V
DD
e
5 0V （静态模式）
b
5
b
5
b
5
电气特性
V
DD
e
5V
g
5%
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
I
IL
I
IL
I
IL
I
OZH
I
DD
参数
高电平输入电压
（除XTAL IN）
低电平输入电压
（除XTAL IN）
高电平输出电压
(DB0–DB3)
高电平输出
电压（ INT）的
低电平输出电压
（ DB0 - DB3 INT ）
低电平输入电流
（ AD0 - AD3 DB0 - DB3 ）
低电平输入电流
（ WR RD ）
低电平输入
电流（ CS）的
输出高电平
泄漏电流（ INT）的
平均电源电流
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
DD
b
0 1
37
V
DD
b
0 1
01
04
b
90
b
200
b
570
V
V
mA
mA
mA
mA
20
4
5
10
1
10
mA
mA
pF
pF
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
（输出禁用）
10
注1
绝对最大额定值超出其损害可能发生对地参考电压的所有设备，除非另有说明，否则这些值
注2
该DB0 - DB3和AD0 - AD3线都有积极的P沟道上拉晶体管将输出电流的CS RD和WR具有内部上拉
电阻到V
DD
2
AC开关特性
读时序数据从外周微处理器
V
DD
e
5V
g
5% C
L
e
100 pF的
商品规格
符号
参数
民
t
AD
t
惩教署
t
RD
t
RW
t
RA
t
CSH
t
RH
t
HZ
地址总线有效到数据有效
芯片选择上，以数据有效
读选通论到数据有效
读选通脉冲宽度（注3注7 ）
地址总线保持时间从追踪
读选通的边缘
芯片选择保持时间从追踪
读选通的边缘
数据保持时间从尾随
读选通的边缘
从读选通的后沿时间
自已的O·P驱动器为三态
300
0
0
70
160
250
T
A
e
0 ℃
a
75 C
典型值
390
140
140
最大
650
300
300
DC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
写时序数据来自微处理器外围
V
DD
e
5V
g
5%
商品规格
符号
参数
民
t
AW
t
CSW
t
DW
t
WW
t
WCS
t
WA
t
WD
t
AWS
地址总线有效到写选通
O
（注4注6 ）
片选就写选通
O
数据总线有效到写选通
O
写选通脉冲宽度（注6 ）
芯片选择保持时间之后
写选通
O
地址总线保持时间之后
写选通
O
数据总线保持时间之后
写选通
O
地址总线才有效
启动或写选通
400
250
400
250
0
0
100
70
35
20
T
A
e
0 ℃
a
70 C
典型值
125
100
220
95
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注3
除特殊情况限制在中断程序的最大读取控制寄存器的选通脉冲宽度（ ADDR 0 ）为30ms见的中断
程序设计
注4
测到写选通脉冲的后沿所有的定时（锁存由WR的后沿数据）
注5
输入测试波形的峰值电压2 4V和0 4V的输出信号被测量到其2 4V和0 4V级别
注6
写stobe如在写时序表中使用的定义为周期当两个片选和写输入是低的，即WS
e
CS
a
WR因此写
选通开始时两个信号变低并终止时的第一信号返回高
注7：
读选通信号中的读时序表中使用的定义为周期当两个芯片选择和读输入是低的，即RS
e
CS
a
RD
注8
典型值是在V
CC
e
5 0V和T
A
e
25 C
3
开关时间波形
读周期时序（注5,7 ）
TL F 11011 - 3
写周期时序（注5,6 ）
TL F 11011 - 4
图2
功能说明
该NS32FX211是一个面向总线的微处理器实时
时钟
晶体振荡器
这由一个CMOS反相放大器的同一个片
偏置电阻外部一个22 pF的电容6 PF- 40 pF的
微调电容器和晶体被提出来完成
32 768 kHz的计时振荡电路
6 PF- 40 pF的微调微调晶体负载阻抗
ANCE优化振荡器的稳定性。当AD-正确
justed （即晶振频率为32千赫768 ）的税务局局长
扣器将显示具有较小的电压的频率变化
低于3 ppm V当外部振荡器是用来连接
为振荡器输入和浮动（不连接）振荡器
产量
当芯片使能为测试模式时，振荡器是
门上的中断输出引脚提供一个缓冲的振荡
器的输出可以被用来设置晶振频率
当装置被安装在一个系统
分频器链
晶体振荡器分三个阶段来亲向下分
达斯10赫兹频率设定脉冲的第一阶段是一
非整数除法器而降低了32 768千赫输入到
20 720千赫这是由一个9级二进制纹波进一步划分
柜台给60赫兹3级的输出频率
4
约翰逊计数器由六个产生10赫兹把这个输出
把10赫兹的时钟门控与32 768 kHz晶振
频率提供时钟设置为15 26脉冲
ms
持续时间
和灰设定脉冲驱动器上的所有的时间寄存器
装置，它是由该信号同步的时钟的所有
时间数据和数据改变的标志变化的下降沿
时钟设置脉冲
数据改变标志
数据改变的标志由时钟设定脉冲设定
指示该时间数据已由于时钟改变
最后看这个标志占据了控制寄存器的第3位
在那里可以由处理器进行测试，以检测数据 -
改它将由控制寄存器的读出复位
请参见'的设备操作方法''的伊赛格
使用此标志gested时钟阅读技巧
秒计数器
有三个计数器秒
几秒钟的十分之
秒B单元
几十秒
这些寄存器在TA-显示的地址访问
竹叶提取我的秒的十分之一寄存器复位为0时，
时钟开始停止位（控制寄存器的第2位）设置为
功能说明
（续）
RCH仅用于
recharageable电池
TL F 11011 - 5
图3典型的系统连接图
逻辑1的单位几十秒，并成立了由
处理器提供时间设置到最近的第二次全
三个寄存器可以由所述处理器进行时间输出被读
分钟计数器
还有2分计数器
分的一个单位
B数十分钟
两个寄存器可以被读取或根据需要写入
小时计数器
有2小时计数器
一个小时的单元
B数十小时
两个计数器可以用于读或写操作访问
根据需要
在12小时模式的几十个小时登记只有一个
活跃位，前三位位被设置为逻辑0数据位1
时钟设置寄存器为AM PM指示逻辑0
表明了AM PM逻辑1
在24小时模式进行编程的几十个小时的稳压
存器中读出的数据的两个比特和两个最显著
位设置为逻辑0没有上午下午指示和位
1时钟设置寄存器会读出一个逻辑0
在这两个12 24小时模式的时间单位会读出
12位或24小时模式四个活动数据选择位0
时钟设置寄存器逻辑0的12小时模式的逻辑
1为24小时模式
天计数器
还有两天时间计数器
一天中的某个单元
B数十天
天计数器将计数到28 29 30 31 depend-
荷兰国际集团上月柜的状态和闰年
对付微处理器具有完全的读写访问权限
这些寄存器
个计数器
有2个月计数器
个月的单位
B几十个月
这两个计数器具有完全的读写访问权限
几年计数器
有2年计数器
的年单位
B几十年
这两个计数器具有完全的读写访问年
会数到99 ，并翻转到00
5
QQ：2880707522 复制
