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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第213页 > NP89N04PUK-E1-AY
初步
数据表
NP89N04PUK
MOS场效应
描述
R07DS0562EJ0100
Rev.1.00
2011年11月7日
该NP89N04PUK是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 2.95 m MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 45 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3900 pF的典型。 （V
DS
= 25 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
订购信息
产品型号
NP89N04PUK-E1-AY
*
1
NP89N04PUK-E2-AY
*
注意：
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
大坪（ E1型）
带800的P /卷
大坪（ E2型）
包
TO- 263 （ MP- 25ZP ）
*1
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
*
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
重复性雪崩电流
*
2
重复性雪崩能量
*
2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
40
20
90
360
147
1.8
175
-55至175
37
136
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项：
*1
T
C
= 25 ° C，P
W
10
s,
占空比
1%
*2
R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.02
83.3
° C / W
° C / W
R07DS0562EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第1页6
NP89N04PUK
电气特性
(T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
*
1
漏极至源极导通电阻
*
1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
*
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
*1
脉冲测试
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
分钟。
—
—
2.0
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
3.0
60
2.45
3900
530
200
25
12
65
8
68
18
18
0.9
47
68
马克斯。
1
100
4.0
—
2.95
5850
800
360
60
30
130
20
102
—
—
1.5
—
—
单位
A
nA
V
S
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 5 V，I
D
= 45 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 45 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V，I
D
= 45 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
V
DD
= 32 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 90 A
I
F
= 90 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 90 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A / μs的
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
电波表
V
GS
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
D
V
DD
I
AS
V
DS
V
GS
0
V
DS
电波表
V
DS
0
t
D（上）
t
on
τ
τ
= 1
μs
占空比
≤
1%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0562EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第2 6
NP89N04PUK
典型特征
(T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
总功耗对比
外壳温度
160
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
P
T
- 总功率Disslpation - 含
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
1000
I
D（脉冲）
= 360 A
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
=10 V)
I
D（ DC）的
= 90 A
I
D
- 漏电流 - 一个
100
PW
=1
00
μ
s
PW
功耗有限公司
=1
10
ms
PW
=1
0m
1
T
C
= 25°C
单脉冲
二次击穿有限公司
s
DC
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
R
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.02 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
0.1 m
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0562EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第3页6
NP89N04PUK
漏电流与
漏源极电压
400
350
正向传递特性
100
10
I
D
- 漏电流 - 一个
250
200
150
100
50
0
0
0.2
0.4
0.6
V
GS
= 10 V
脉冲
0.8
1.0
I
D
- 排水个当前 - 一个
300
1
0.1
0.01
T
A
= –55°C
25°C
85°C
150°C
175°C
V
DS
= 10 V
脉冲
0
1
2
3
4
5
6
0.001
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
门源阈值电压 -
通道温度
正向转移导纳主场迎战
漏电流
|y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4
100
T
A
= –55°C
25°C
85°C
150°C
175°C
3
2
10
1
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
0
–100
–50
0
50
100
150
200
V
DS
= 5 V
脉冲
1
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 10 V
脉冲
1
10
100
1000
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
6
5
4
3
2
1
0
I
D
= 45 A
脉冲
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0562EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第4 6
NP89N04PUK
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
6
5
4
3
2
1
0
–100
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
脉冲
–50
0
50
100
150
200
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容-PF
C
国际空间站
1000
C
OSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.1
1
10
C
RSS
100
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
动态输入/输出特性
35
14
12
V
DD
= 32 V
20 V
8V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
V
DS
30
40
50
I
D
= 90 A
60
70
V
GS
100
10
8
6
4
2
0
80
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
1
0.1
1
10
t
f
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管的正向电压
1000
100
反向恢复时间对比
漏电流
100
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
10
10
1
脉冲
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 漏电流 - 一个
R07DS0562EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
分页： 5 6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
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