数据表
MOS场效应
NP82N055EHE ， NP82N055KHE
NP82N055CHE ， NP82N055DHE ， NP82N055MHE ， NP82N055NHE
开关
N沟道功率MOS FET
描述
这些产品是N沟道MOS场效应设计用于高电流开关应用晶体管。
<R>
订购信息
产品型号
NP82N055EHE-E1-AY
NP82N055EHE-E2-AY
NP82N055KHE-E1-AY
NP82N055KHE-E2-AY
注1 ， 2
注1 ， 2
Note1
Note1
注1 ， 2
注1 ， 2
Note1
Note1
铅电镀
填料
包
TO- 263 （ MP - 25ZJ ） （典型值） 。 1.4克
纯Sn （锡）
带800的P /卷
TO- 263 （ MP - 25ZK ） （典型值） 。 1.5克
NP82N055CHE-S12-AZ
NP82N055DHE-S12-AY
NP82N055MHE-S18-AY
NP82N055NHE-S18-AY
锡 - 银 - 铜
管50的P /管
TO- 220 （ MP - 25 ） （典型值） 。 1.9克
TO- 262 （ MP -25鳍片切割） （典型值） 。 1.8克
TO- 220 （ MP - 25K ） （典型值） 。 1.9克
TO- 262 （ MP - 25SK ） （典型值） 。 1.8克
纯Sn （锡）
注意事项1 。
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）。
2.
不适用于新设计
(TO-220)
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 8.6 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 3500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-262)
(TO-263)
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D14138EJ6V0DS00 （第6版）
发布日期2007年10月NS
日本印刷
1999, 2007
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NP82N055EHE ， NP82N055KHE ， NP82N055CHE ， NP82N055DHE ， NP82N055MHE ， NP82N055NHE
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note2
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
55
±20
±82
±300
1.8
163
175
55
to
+175
72/49/17
51/240/289
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
I
AS
E
AS
注意事项1 。
根据计算出的最大恒定电流。许路温度。
2.
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 28 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V （见
图4 ）
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.92
83.3
° C / W
° C / W
2
数据表D14138EJ6V0DS
NP82N055EHE ， NP82N055KHE ， NP82N055CHE ， NP82N055DHE ， NP82N055MHE ， NP82N055NHE
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 44 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 82 A
I
F
= 82 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 82 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
测试条件
V
DS
= 55 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 10 V，I
D
= 41 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 28 V，I
D
= 41 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 1
Ω
2.0
19
3.0
38
6.9
3500
550
270
31
18
61
19
65
18
24
1.0
45
63
8.6
5250
830
490
69
45
120
47
100
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
4.0
单位
μ
A
μ
A
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
数据表D14138EJ6V0DS
3
NP82N055EHE ， NP82N055KHE ， NP82N055CHE ， NP82N055DHE ， NP82N055MHE ， NP82N055NHE
典型特征（T
A
= 25°C)
图1 。正向偏置的降额因子
安全工作区
175
图2 。总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
25
50
75
100 125 150 175 200
100
80
60
40
20
0
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
T
C
- 外壳温度 -
°C
图三正向偏置安全工作区
1000
I
D（脉冲）
PW
T
C
- 外壳温度 -
°C
4所示。单雪崩能量
降额因子
I
D
- 漏电流 - 一个
100
d
ITE
IM V ）
)
L 0
on
1
S(
R
D
GS
=
(V
=1
单脉冲雪崩能量 - 兆焦耳
350
300
289兆焦耳
240兆焦耳
I
D（ DC）的
DC
Po
林WER
ITE派息
d
SIP
ATI
on
1m
10
s
0
μ
s
0
μ
s
250
200
150
100
51兆焦耳
10
I
AS
= 17 A
49 A
72 A
1
T
C
= 25°C
0.1单脉冲
0.1
50
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
起始物为
ch
- 起始通道温度 -
°C
Figure5 。瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 0.92C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
4
数据表D14138EJ6V0DS
NP82N055EHE ， NP82N055KHE ， NP82N055CHE ， NP82N055DHE ， NP82N055MHE ， NP82N055NHE
Figure6 。正向传递特性
1000
脉冲
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
175°C
300
250
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
Figure7 。漏电流与
漏源极电压
V
GS
=10 V
100
200
150
100
50
10
1
0.1
2
3
4
5
V
DS
= 10 V
6
7
0
0
1
2
3
4
脉冲
5
6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
10
T
A
= 175°C
75°C
25°C
50°C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
图8.。远期转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
脉冲
Figure9 。漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
1
10
I
D
= 41 A
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
Figure11 。门源阈值电压 -
通道温度
4.0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
3.0
20
脉冲
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
Figure10 。漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
10
V
GS
= 10 V
2.0
1.0
0
0
1
10
100
1000
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 -
°C
数据表D14138EJ6V0DS
5
数据表
MOS场效应
NP82N055CHE,NP82N055DHE,NP82N055EHE,NP82N055KHE
开关
N沟道功率MOS FET
描述
这些产品是N-沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
NP82N055CHE
NP82N055DHE
NP82N055EHE
包
TO-220AB
TO-262
TO- 263 （ MP- 25ZJ ）
TO- 263 （ MP- 25ZK ）
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 8.6 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
5
NP82N055KHE
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
55
±20
±82
±300
1.8
163
175
-55到+175
72 / 49 / 17
51 / 240 / 289
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-263)
(TO-262)
漏电流（脉冲）
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
I
AS
E
AS
注意事项1 。
根据计算出的最大恒定电流。允许通道
温度。
2.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 28 V ，R
G
= 25
, V
GS
= 20
→
0 V （参见图4 ）
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.92
83.3
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D14138EJ5V0DS00 （第5版）
发布日期2002年12月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999
NP82N055CHE,NP82N055DHE,NP82N055EHE,NP82N055KHE
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 44 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 82 A
I
F
= 82 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 82 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 55 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 10 V，I
D
= 41 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 28 V，I
D
= 41 A
V
GS （ ON）
= 10 V
R
G
= 1
2.0
19
3.0
38
6.9
3500
550
270
31
18
61
19
65
18
24
1.0
45
63
8.6
5250
830
490
69
45
120
47
100
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
4.0
单位
A
A
V
S
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D14138EJ5V0DS
NP82N055CHE,NP82N055DHE,NP82N055EHE,NP82N055KHE
典型特征（T
A
= 25°C)
图1 。正向偏置的降额因子
安全工作区
175
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
图2 。总功耗对比
外壳温度
100
80
60
40
20
0
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度 - C
图三正向偏置安全工作区
1000
I
D（脉冲）
I
D
- 漏电流 - 一个
PW
T
C
- 外壳温度 - C
4所示。单雪崩能量
降额因子
单脉冲雪崩能量 - 兆焦耳
350
300
289兆焦耳
240兆焦耳
100
d
ITE ）
Lim10 V
)
on
=
S(
R
D
吨V
GS
(a
=1
I
D（ DC）的
DC
Po
林WER
ITE派息
d
SIP
ATI
on
1m
10
0
s
0
s
s
250
200
150
100
51兆焦耳
10
I
AS
= 17 A
49 A
72 A
1
T
C
= 25C
0.1单脉冲
0.1
50
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
V
DS -
漏源极电压 - V
起始物为
ch
- 起始通道温度 - C
Figure5 。瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 0.92C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14138EJ5V0DS
3
NP82N055CHE,NP82N055DHE,NP82N055EHE,NP82N055KHE
Figure6 。正向传递特性
1000
脉冲
T
A
=
55C
25C
75C
150C
175C
300
250
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
Figure7 。漏电流与
漏源极电压
V
GS
=10 V
100
200
150
100
50
10
1
0.1
2
3
4
5
V
DS
= 10 V
6
7
0
0
1
2
3
4
脉冲
5
6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
10
T
A
= 175C
75C
25C
50C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
图8.。远期转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
脉冲
Figure9 。漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
1
10
I
D
= 41 A
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
Figure11 。门源阈值电压 -
通道温度
4.0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
A
3.0
20
脉冲
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
Figure10 。漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
10
V
GS
= 10 V
2.0
1.0
0
0
1
10
100
1000
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14138EJ5V0DS
NP82N055CHE,NP82N055DHE,NP82N055EHE,NP82N055KHE
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
图12所示。漏极至源极导通电阻与
通道温度
18
脉冲
16
14
12
10
8
6
4
2
0
50
0
50
100
I
D
= 41 A
150
V
GS
= 10 V
1000
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
Figure13 。源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
10
100
1
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
Figure14 。电容与漏极TO
源极电压
100000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
Figure15 。开关特性
1000
t
f
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
0.1
10
1
10
100
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
Figure16 。反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
，图17 。动态输入/输出特性
80
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
16
14
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
60
V
DD
= 44 V
28 V
11 V
40
V
GS
12
10
8
6
10
20
V
DS
0
0
20
40
60
I
D
= 82 A
4
2
80
1
0.1
1.0
10
100
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D14138EJ5V0DS
5
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