【初步数据表NP75P03YDGMOS场效应描述R07DS0020EJ0200Rev.2.002011】,IC型号NP75P03YDG,NP75P03YDG PDF资料,NP75P03YDG经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

NP75P03YDG

MOS场效应

描述

R07DS0020EJ0200

Rev.2.00

2011年3月16日

该NP75P03YDG是P沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

特点

低通态电阻

R

DS （ ON）

= 6.2 mΩ以下。（V

GS

=

10

V，I

D

=

37.5

A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 3200 pF的典型。（V

DS

=

25

V, V

GS

= 0 V)

逻辑电平驱动器类型

专为汽车应用和AEC- Q101标准

小尺寸封装8脚HSON

订购信息

产品型号

NP75P03YDG -E1 - AY

1

NP75P03YDG -E2 - AY

1

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

带2500 P /卷

包

8引脚HSON ，大坪（ E1型）

8引脚HSON ，大坪（ E2型）

注意：

1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

项

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

1

漏电流（脉冲）

总功率耗散（T

C

= 25°C)

2

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

3

单雪崩能量

3

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

I

AS

E

AS

评级

30

m20

m75

m225

138

1.0

175

55

to

+175

27

73

单位

V

A

W

°C

A

mJ

<R>

热阻

通道到外壳热阻

2

通道到环境的热阻

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

1.09

150

° C / W

<R>

注意事项：

1. T

C

= 25 ° C， PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2.安装在40毫米×40毫米× 0.8万吨环氧玻璃基板

* 3 。起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

=

15

V ，R

G

= 25

Ω,

L = 100

μH,

V

GS

=

20 →

0 V

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

R07DS0020EJ0200 Rev.2.00

2011年3月16日

第1页6

NP75P03YDG

章标题

电气特性（T

A

= 25°C)

项

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

1

漏极至源极导通状态

1

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

1

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意：

1.脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

=

20

→

0 V

50

Ω

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

民

典型值

1.0

30

1.6

60

4.8

6.2

3200

660

390

13

270

180

94

18

29

1.0

62

65

最大

1

m100

2.5

6.2

9.6

4800

990

700

26

32

540

440

141

1.5

单位

μ

A

nA

V

S

mΩ

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试条件

V

DS

=

30

V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

m20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

=

250

μ

A

V

DS

=

5

V，I

D

=

37.5

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

37.5

A

V

GS

=

5

V，I

D

=

37.5

A

V

DS

=

25

V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

=

15

V，I

D

=

37.5

A,

V

GS

=

10

V,

R

G

= 0

Ω

V

DD

=

24

V,

V

GS

=

10

V,

I

D

=

75

A

I

F

=

75

A，V

GS

= 0 V

I

F

=

75

A，V

GS

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

μ

s

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS （ - ）

R

L

V

DD

V

DS （ - ）

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS （ - ）

0

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

=

2

mA

PG 。

50

Ω

R

L

V

DD

R07DS0020EJ0200 Rev.2.00

2011年3月16日

第2 6

NP75P03YDG

章标题

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置安全的降额因子

工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

160

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

总功耗对比

外壳温度

P

T

- 总功耗 - W

140

120

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

-1000

d

IT ê

IM V ）

)

L

0

on

S(

1

R

S

=

G

(V

1

T

C

- 外壳温度 -

°C

I

D（脉冲）

PW

I

D

- 漏电流 - 一个

-100

=1

1

00

μ

s

功耗有限公司

-10

1毫秒

-1

10毫秒

T

C

= 25°C

单脉冲

-0.1

-1

-10

-100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

R

第（章-a）的

： 150 ° C / W

100

10

R

TH（ CH-C ）

： 1.09 ° C / W

1

0.1

单脉冲

装在40毫米×40毫米× 0.8万吨环氧玻璃基板

0.01

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R07DS0020EJ0200 Rev.2.00

2011年3月16日

第3页6

NP75P03YDG

漏电流与

漏源极电压

-300

-250

-1000

-100

T

A

=

55°C

25°C

75°C

-10

125°C

-1

-0.1

-0.01

脉冲

-0

-1

-2

-3

-4

-0.001

-1

-2

-3

150°C

175°C

章标题

正向传递特性

I

D

- 漏电流 - 一个

-200

-150

-100

-50

-0

5

V

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

=

10

V

DS

=

10

V

脉冲

-4

-5

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源阈值电压

与通道温度

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

V

DS

= V

GS

I

D

=

250 μA

-2

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0

-100

远期转移导纳主场迎战漏

当前

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

T

A

=

55°C

25°C

75°C

125°C

175°C

10

0

100

200

1

-0.1

V

DS

=

5

V

脉冲

-1

-10

-100

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

30

25

20

15

10

V

GS

=

5

V

5

0

-0.1

10

V

-1

-10

-100

-1000

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

20

I

D

=

75

A

37.5

A

15

A

脉冲

15

10

5

0

-0

-5

-10

-15

-20

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R07DS0020EJ0200 Rev.2.00

2011年3月16日

第4 6

NP75P03YDG

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

15

12

9

V

GS

=

5

V

6

10

V

3

0

-100

I

D

=

37.5

A

脉冲

10000

章标题

电容与漏源极电压

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

C

国际空间站

1000

C

OSS

C

RSS

100

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

-1

-10

-100

0

100

200

10

-0.1

T

ch

- 通道温度 -

°C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

-30

-12

V

DD

=

24

V

15

V

6

V

-10

V

GS

-8

-6

-4

V

DS

I

D

=

75

A

0

20

40

60

80

-2

-0

100

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

-25

-20

-15

-10

-5

-0

100

t

f

t

D（上）

10

t

r

V

DD

=

15

V

GS

=

10

V

R

G

= 0

Ω

-1

-10

-100

1

-0.1

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

反向恢复时间对比

漏电流

1000

源极到漏极二极管的正向电压

-1000

-100

V

GS

=

10

V

-10

0V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

10

的di / dt =

100

A / μs的

V

GS

= 0 V

-1

-10

-100

-1

脉冲

0

0.5

1

1.5

-0.1

1

-0.1

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 漏电流 - 一个

R07DS0020EJ0200 Rev.2.00

2011年3月16日

分页： 5 6

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

t

D（关闭）