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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第138页 > NP55N04SLG
初步
数据表
NP55N04SLG
MOS场效应
描述
R07DS0242EJ0100
Rev.1.00
2011年2月23日
该NP55N04SLG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
通道温度175度评价
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 6.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
=
28
A)
R
DS(on)2
= 8.5 mΩ以下。 （V
GS
= 5 V，I
D
=
28
A)
R
DS(on)3
= 15 mΩ以下。 （V
GS
=
4.5
V，I
D
=
11
A)
低输入电容
门源ESD保护二极管内置
订购信息
产品型号
NP55N04SLG-E1-AY
NP55N04SLG-E2-AY
1
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带2500 P /卷
包
TO- 252 （ MP- 3ZK ）
注意：
1.无铅（本产品不含有铅在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
2
重复性雪崩电流
2
重复性雪崩能量
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
40
±20
±55
±220
77
1.2
175
55
to
+175
30
90
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
2
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.95
125
° C / W
° C / W
注意事项：
1. PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.起始物为
ch
≤
150℃ ，V
DD
= 20 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V
R07DS0242EJ0100 Rev.1.00
2011年2月23日
第1页6
NP55N04SLG
章标题
电气特性（T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值
电压
正向转移导纳
1
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
1.脉冲测试
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
民
典型值
1.5
12
2.0
32
4.7
5.7
6.3
2700
310
200
15
17
60
8
57
9
17
0.9
30
28
最大
1
±10
2.5
单位
μ
A
μ
A
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 10 V，I
D
= 28 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 28 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 28 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V，I
D
= 28 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
V
DD
= 32 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 55 A
I
F
= 55 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 55 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
6.5
8.5
15
4050
465
380
33
43
120
20
86
1.5
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0242EJ0100 Rev.1.00
2011年2月23日
第2 6
NP55N04SLG
章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
120
d
T
- 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
d
IT ê
林V）
)
on
S(
i
0
R
S
= 1
V
G
(
w
Po
I
D（脉冲）
PW
100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
DC
y
ar
nd
co
Se
=1
i
00
μ
s
1
i
m
i
s
1
i
0
10
m
i
D
er
is
p
si
io
at
s
B
do
ke
ra
n
d
IT ê
m
Li
1
T
C
= 25°C
单脉冲
w
n
d
IT ê
m
Li
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 125°C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.95 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0242EJ0100 Rev.1.00
2011年2月23日
第3页6
NP55N04SLG
章标题
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
250
V
GS
= 10 V
200
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
100
10
1
0.1
0.01
V
DS
= 10 V
脉冲
100°C
125°C
150°C
175°C
T
A
=
55°C
25°C
25°C
75°C
150
100
50
5.0 V
4.5 V
0.001
0.0001
脉冲
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源阈值电压 -
通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
2
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
-25
25
75
125
175
脉冲
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
T
A
=
55°C
25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
V
DS
= 10 V
100°C
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
1000
V
GS
= 10 V
5.0 V
4.5 V
脉冲
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
11 A
5
10
15
I
D
= 55 A
28 A
脉冲
20
25
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0242EJ0100 Rev.1.00
2011年2月23日
第4 6
NP55N04SLG
章标题
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-75
10.00
C
国际空间站
，科斯，C
RSS
- 电容 - nF的
V
GS
= 4.5 V
5.0 V
C
国际空间站
1.00
C
OSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
0.10
0.01
0.1
1
10 V
I
D
= 28 A
脉冲
C
RSS
10
100
-25
25
75
125
175
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
动态输入/输出特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
t
r
100
t
D（上）
10
t
f
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D（关闭）
25
20
15
10
5
0
0
10
V
DD
= 32 V
20 V
8V
5
I
D
= 55 A
脉冲
0
20
30
40
50
60
70
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
10
1
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
V
GS
= 10 V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
4.5 V
5.0 V
0V
10
脉冲
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A / μs的
1
0.1
1
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
R07DS0242EJ0100 Rev.1.00
2011年2月23日
分页： 5 6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
35
V
DS
30
15
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NJG1553BF-C7
NMC93CS66MN
NTE1440
N80C51BHP-1
N4340Y1EN1S
NRT224M10
NHC3011-6
ND430821
N74F2953A-T
NLS250
NJU6322NC
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NP55N04SLG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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75220
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N/A
21+
75220
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全新原装正品/质量有保证
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