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数据表

MOS场效应

NP50P06KDG

开关

P沟道功率MOSFET

描述

该NP50P06KDG是P沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

<R>

订购信息

产品型号

NP50P06KDG-E1-AY

NP50P06KDG-E2-AY

记

记

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

带800的P /卷

包

TO- 263 （ MP- 25ZK ）

记

无铅（此产品不含Pb在外部电极）。

特点

超低导通电阻

R

DS(on)1

= 17 mΩ以下。（V

GS

=

10

V，I

D

=

25

A)

R

DS(on)2

= 23 mΩ以下。（V

GS

=

4.5

V，I

D

=

25

A)

低输入电容

C

国际空间站

= 5000 pF的典型。

(TO-263)

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

60

m20

m50

m150

90

1.8

175

55

to

+175

32

106

V

V

A

A

W

W

°C

°C

A

mJ

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note2

Note2

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

=

30

V ，R

G

= 25

Ω,

V

GS

=

20 →

0 V

热阻

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

1.67

83.3

° C / W

° C / W

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一号文件D18689EJ3V0DS00 （第3版）

发布日期2007年5月NS CP （ K）

日本印刷

2007

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

NP50P06KDG

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

记

记

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

测试条件

V

DS

=

60

V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

m20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

DS

=

10

V，I

D

=

25

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

25

A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

25

A

V

DS

=

10

V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

=

30

V，I

D

=

25

A,

V

GS

=

10

V,

R

G

= 0

Ω

分钟。

典型值。

马克斯。

10

m100

单位

μ

A

nA

V

S

1.0

15

1.6

30

13.5

15.4

5000

600

300

20

45

405

270

2.5

漏极至源极导通电阻

17

23

mΩ

mΩ

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

=

48

V,

V

GS

=

10

V,

I

D

=

50

A

I

F

=

50

A，V

GS

= 0 V

I

F

=

50

A，V

GS

= 0 V,

的di / dt =

100

A/

μ

s

95

10

26

0.97

50

70

1.5

V

ns

nC

记

脉冲测试PW

≤

350

μ

S，占空比

≤

2%

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

=

20 →

0 V

I

D

V

DD

50

Ω

L

V

DD

PG 。

BV

DSS

V

DS

V

GS

()

0

τ

起始物为

ch

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

测试电路2开关时间

D.U.T.

R

L

R

G

V

DD

V

DS

()

90%

10% 10%

90%

V

GS

()

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

I

AS

V

DS

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

=

2

mA

PG 。

50

Ω

R

L

V

DD

2

数据表D18689EJ3V0DS

NP50P06KDG

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

120

120

总功耗对比

外壳温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

80

60

40

20

0

0

25

50

75

100 125 150 175 200

P

T

- 总功耗 - W

100

80

60

40

20

0

0

25

50

75

100 125 150 175 200

T

ch

- 通道温度 -

°C

正向偏置安全工作区

T

C

- 外壳温度 -

°C

-1000

I

D（脉冲）

-100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D（ DC）的

PW

=1

i

00

μ

s

-10

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

=

10

V)

DC

w

Po

D

er

1

i

m

i

s

1

i

0

m

i

s

-1

-0.1

T

C

= 25°C

单脉冲

si

is

吨IO

pa

n

d

IT ê

m

Li

-0.01

-0.1

-1

-10

-100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

1000

100

R

第（章-a）的

= 83.3 ° C /无线网络

10

1

R

TH（ CH-C ）

= 1.67 ° C /无线网络

0.1

单脉冲

0.01

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D18689EJ3V0DS

3

NP50P06KDG

漏电流与

漏源极电压

正向传递特性

-150

-1000

-100

V

DS

=

10

V

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

-100

4.5

V

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

=

10

V

-10

-1

-0.1

-0.01

-50

T

ch

=

55°C

25°C

25°C

75°C

125°C

150°C

175°C

脉冲

0

0

-1

-2

-3

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

门源阈值电压 -

通道温度

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

-0.001

0

-1

-2

-3

-4

-5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

-3

-2.5

-2

-1.5

-1

-0.5

0

-75

-25

25

75

125

175

225

T

ch

- 通道温度 -

°C

100

T

ch

=

55°C

25°C

25°C

75°C

10

1

V

DS

=

10

V

脉冲

0.1

-0.1

125°C

150°C

175°C

V

DS

=

10

V

I

D

=

1

mA

-1

-10

-100

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

50

40

30

20

10

0

-1

-10

-100

-1000

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

30

20

I

D

=

50

A

25

A

10

A

V

GS

=

4.5

V

10

V

脉冲

10

脉冲

0

0

-5

-10

-15

-20

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表D18689EJ3V0DS

NP50P06KDG

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

电容与漏源极电压

40

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

10000

C

国际空间站

1000

C

OSS

30

V

GS

=

4.5

V

20

10

V

10

I

D

=

25

A

脉冲

0

-75

-25

25

75

125

175

225

T

ch

- 通道温度 -

°C

开关特性

1000

C

RSS

100

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

10

-0.1

-1

-10

-100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

动态输入/输出特性

-60

-12

V

DD

=

48

V

30

V

12

V

-10

-8

-6

V

GS

-4

-2

I

D

=

50

A

40

60

80

0

100

t

（六中）D

100

t

f

t

D（上）

10

t

r

V

DD

=

30

V

V

GS

=

10

V

R

G

= 0

Ω

1

-0.1

-1

-10

-100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

-50

-40

-30

-20

-10

0

0

20

V

DS

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

-100

1000

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

-10

V

GS

=

10 V

-1

0V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

10

的di / dt =

100

A / μs的

V

GS

= 0 V

1

-0.1

-1

-10

-100

-0.1

脉冲

-0.01

0

0.5

1

1.5

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

数据表D18689EJ3V0DS

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

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NP50P06KDG

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地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

NP50P06KDG

NEC

2443+

23000

TO-263

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NP50P06KDG

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13+

18500

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

NP50P06KDG

NEC

2024

21300

TO-252

原装现货上海库存，欢迎查询

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NP50P06KDG

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21+

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NEC

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联系人：朱生

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NP50P06KDG

NEC

22+

9000

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