初步
数据表
NP40N10YDF ， NP40N10VDF ， NP40N10PDF
MOS场效应
描述
R07DS0361EJ0100
Rev.1.00
2011年6月7日
这些产品是N沟道MOS场效应设计用于高电流开关应用晶体管。
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 25 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A） （ NP40N10YDF ）
R
DS （ ON）
= 26 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A） （ NP40N10VDF ）
R
DS （ ON）
= 27 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A） （ NP40N10PDF ）
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2100 pF的典型。 （V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V)
逻辑电平驱动器类型
专为汽车应用和AEC- Q101标准
订购信息
产品型号
NP40N10YDF-E1-AY
NP40N10YDF-E2-AY
1
NP40N10VDF-E1-AY
1
NP40N10VDF-E2-AY
1
NP40N10PDF-E1-AY
1
NP40N10PDF-E2-AY
1
1
铅电镀
纯Sn （锡）
纯Sn （锡）
纯Sn （锡）
填料
带2500 P /卷
带2500 P /卷
带800的P /卷
大坪（ E1型）
大坪（ E2型）
大坪（ E1型）
大坪（ E2型）
大坪（ E1型）
大坪（ E2型）
包
8引脚HSON
TO- 252 （ MP- 3ZP ）
TO- 263 （ MP- 25ZP ）
注意：
1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。
R07DS0361EJ0100 Rev.1.00
2011年6月7日
第1页9
NP40N10YDF ， NP40N10VDF ， NP40N10PDF
章标题
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
NP40N10YDF
2
总功率耗散（T
A
= 25°C)
NP40N10VDF
2
总功率耗散（T
A
= 25°C)
NP40N10PDF
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
3
单雪崩能量
3
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
评级
100
±20
±40
±80
120
1.0
1.2
1.8
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
175
55
to
+175
25
61
°C
°C
A
mJ
单位
V
V
A
A
W
W
热阻
通道到外壳热阻
2
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
NP40N10YDF
NP40N10VDF
NP40N10PDF
1.25
150
125
83.3
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
1. T
C
= 25 ° C， PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.安装在40毫米×40毫米× 1.6万吨，4％的铜面积玻璃环氧基板（ 35
μ
m)
*3. T
通道（开始）
= 25 ° C，V
DD
= 50 V ，R
G
= 25
Ω,
L = 100
μ
H，V
GS
= 20 V
→
0 V
R07DS0361EJ0100 Rev.1.00
2011年6月7日
第2 9
NP40N10YDF ， NP40N10VDF ， NP40N10PDF
章标题
电气特性（T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
1
漏极至源极
NP40N10YDF
导通状态
阻力
1
NP40N10VDF
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
民
典型值
最大
1
±100
2.5
25
30
36
26
31
37
27
32
38
3150
300
144
33
40
120
13
71
单位
μ
A
nA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
V
DD
= 80 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 40 A
I
F
= 40 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
1.5
20
NP40N10PDF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
1.脉冲测试
2.0
40
21
23
24
21
23
24
21
23
24
2100
200
80
15
16
60
5
47
8
12
0.9
67
162
1.5
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
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第3 9
NP40N10YDF ， NP40N10VDF ， NP40N10PDF
章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
120
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
= 10V)
PW = 100
μs
I
D（脉冲）
100
I
D
- 漏电流 - 一个
10
电源Disspation有限公司
1
1毫秒
二次Brakedown有限公司
T
C
= 25°C
10毫秒
单脉冲
0.1
1
10
100
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R07DS0361EJ0100 Rev.1.00
2011年6月7日
第4页第9
NP40N10YDF ， NP40N10VDF ， NP40N10PDF
章标题
瞬态热阻与脉冲宽度（ NP40N10YDF ）
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 150 ° C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.25C / W
1
单脉冲
装在40毫米的玻璃环氧基板× 40毫米× 1.6万吨
用4 ％的铜面积（ 35
μm)
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.1
0.01
100
μ
PW - 脉冲宽度 - S
瞬态热阻与脉冲宽度（ NP40N10VDF ）
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 125°C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.25C / W
1
0.1
单脉冲
装在40毫米的玻璃环氧基板× 40毫米× 1.6万吨
用4 ％的铜面积（ 35
μm)
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.01
100
μ
PW - 脉冲宽度 - S
瞬态热阻与脉冲宽度（ NP40N10PDF ）
1000
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
RTH
（ CH -C ）
= 1.25C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0361EJ0100 Rev.1.00
2011年6月7日
第5 9
QQ：2880707522 复制
