数据表
MOS场效应
NP36N055HHE ， NP36N055IHE
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
这些产品是N-沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
NP36N055HHE
包
TO-251
TO-252
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 14 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2300 pF的典型。
内置栅极保护二极管
NP36N055IHE
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
(TO-251)
55
±20
±36
±144
1.2
120
36 / 33
12 / 108
175
-55 + 175
V
V
A
A
W
W
A
mJ
°C
°C
(TO-252)
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
I
AS
E
AS
T
ch
T
英镑
总功率耗散（T
A
= 25 °C)
总功率耗散（T
C
= 25 °C)
单雪崩电流
单雪崩能量
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
Note2
Note2
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
→
0 V （参见图4 ）
热阻
渠道情况
渠道环境
R
th
（ CH -C ）
R
th
（ CH -A ）
1.25
125
° C / W
° C / W
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文档编号
D14152EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2001年3月NS CP （ K）
日本印刷
商标
#
表示主要修改点。
1999,2000
NP36N055HHE ， NP36N055IHE
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
门源阈值电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 18 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 10 V，I
D
= 18 A
V
DS
= 55 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
I
D
= 18 A
V
GS （ ON）
= 10 V
V
DD
= 28 V
R
G
= 1
I
D
= 18 A
V
DD
= 44 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 36 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 36 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
2300
370
180
25
16
52
14
44
10
17
1.0
43
64
2.0
9
分钟。
典型值。
11
3.0
18
10
±10
3500
560
320
54
39
100
35
66
马克斯。
14
4.0
单位
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90 %
90 %
10 % 10 %
V
GS
电波表
0
10 %
V
GS （ ON）
90 %
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D14152EJ3V0DS
NP36N055HHE ， NP36N055IHE
典型特征（T
A
= 25°C)
图1 。正向偏置的降额因子
安全工作区
140
图2 。总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 -
C
4所示。单雪崩能量
降额因子
120
#
图3.正向偏置安全工作区
1000
I
D（脉冲）
I
D（ DC）的
DC
1m
s
PW
I
D
- 漏电流 - 一个
100
d
ITE V）
Lim10
)
on
=
S(
S
R
D
吨V
G
a
(
10
=1
E
AS
- 单雪崩能量 - 兆焦耳
108兆焦耳
100
80
60
40
20 12兆焦耳
0
25
50
75
100
125
150
175
I
AS
= 33 A
36 A
0
s
0
s
10
P
Limowe
ITE R D所
国际空间站
IPA
TIO
n
1
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
0.1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
起始物为
ch
- 起始通道温度 -
C
Figure5 。瞬态热阻与脉冲宽度
r
th
（T ） - 瞬态热阻 -
° C / W
1000
R
第（章-a）的
= 125
° C / W
100
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.25
° C / W
0.1
单脉冲
T
C
= 25C
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.01
10
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14152EJ3V0DS
3
NP36N055HHE ， NP36N055IHE
Figure6 。正向传递特性
100脉冲
Figure7 。漏电流与
漏源极电压
脉冲
200
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
10
160
120
80
40
V
GS
= 10 V
1
T
A
=
55C
25C
75C
150C
175C
0.1
0.01
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图8.。远期转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
=10V
脉冲
10
T
A
= 175C
75C
25C
55C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
Figure9 。漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
40
脉冲
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
I
D
= 18 A
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
Figure11 。门源阈值电压 -
通道温度
4.0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
A
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
0
50
100
150
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
V
GS
= 10 V
脉冲
1000
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
Figure10 。漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 -
C
4
数据表D14152EJ3V0DS
NP36N055HHE ， NP36N055IHE
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
35
30
25
20
V
GS
= 10 V
15
10
5
I
D
= 18 A
0
50
0
50
100
150
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
图12所示。漏极至源极导通电阻与
通道温度
45
脉冲
40
Figure13 。源极到漏极二极管
正向电压
100
脉冲
10
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
1
0.1
0.01
0
T
ch
- 通道温度 -
C
Figure14 。电容与漏极TO
源极电压
1.0
0.5
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1.5
Figure15 。开关特性
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
10000
1000
t
f
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
1000
C
OSS
100
C
RSS
10
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
Figure16 。反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
，图17 。动态输入/输出特性
80
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
16
14
V
DD
= 44 V
28 V
11 V
12
V
GS
10
8
6
4
V
DS
I
D
= 36 A
2
30
40
50
60
70
80
0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
100
10
1
0.1
1.0
10
100
20
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D14152EJ3V0DS
5
