NP- SCMC系列
100A ，超低
电容TSPD
使用NP- SCMC系列低电容晶闸管浪涌
保护器件（ TSPD ）保护敏感电子设备
瞬态过压条件。由于其超低关断状态
电容（C
o
） ，它们提供了用于高速最小的信号失真
设备如DSL和T1 / E1线路。低名义offstate
电容转化为极低的差分电容
提供一流的线性度与施加的电压或频率。
使用NP- SCMC系列帮助设计人员符合各种
监管标准和建议包括：
GR -1089 -CORE ， IEC 61000-4-5 ， ITU K.20 / K.21 / K.45 ， IEC 60950 ，
TIA - 968 -A ， FCC第68部分， EN 60950 ， UL 1950 。
特点
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超低电容
双向表面
MOUNT晶闸管
100A ， 10x1000ms SURGE
超低
微型电容
低漏（透明）
高浪涌电流能力
对电压的精确开启
低电压过冲
这些无铅器件
T
R
典型应用
xDSL的局端和用户端
T1/E1
其他的宽带高速数据传输设备
电气特性
V
DRM
设备
NP0640SCMCT3G
NP0720SCMCT3G
NP0900SCMCT3G
NP1100SCMCT3G
NP1300SCMCT3G
NP1500SCMCT3G
NP1800SCMCT3G
NP2100SCMCT3G
NP2300SCMCT3G
NP2600SCMCT3G
NP3100SCMCT3G
NP3500SCMCT3G
V
"58
"65
"75
"90
"120
"140
"170
"180
"190
"220
"275
"320
V
（BO）
V
"77
"88
"98
"130
"160
"180
"220
"240
"260
"300
"350
"400
C
O
, 2 V,
1兆赫
pF的（最大）
29
29
29
29
29
29
29
29
29
29
29
29
C
O
, 50 V,
1兆赫
pF的（最大）
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
A
Y
WW
xxx
SMB
JEDEC DO- 214AA
案例403C
标记图
AYWW
xxxCMG
G
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
(NPxxx0SCMC)
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NPxxx0SCMCT3G
包
SMB
（无铅）
航运
2500磁带&
REEL
的G部分数字表示符合RoHS标准
其他保护电压可根据要求提供
对称保护
值，正面和负面的相同
游览
（见V-I曲线的第3页）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年4月
第3版
1
出版订单号：
NP0640SC/D
NP- SCMC系列
浪涌额定值
I
PPS
A
波形（毫秒）
价值
2x10
500
8x20
400
10x160
200
10x560
120
10x360
150
10x1000
100
5x310
200
I
TSM
A
0.1 s
60赫兹
30
的di / dt
A / MS
500
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DRM
等级
重复峰值断态电压：额定最大
NP0640SCMCT3G
（峰值）连续电压可在施加
NP0720SCMCT3G
关断状态下，包括所有的DC和重复
交流电压的组件。
NP0900SCMCT3G
NP1100SCMCT3G
NP1300SCMCT3G
NP1500SCMCT3G
NP1800SCMCT3G
NP2100SCMCT3G
NP2300SCMCT3G
NP2600SCMCT3G
NP3100SCMCT3G
NP3500SCMCT3G
I
PPS
非重复性峰值脉冲电流：额定最大
的峰值脉冲的脉冲电流值，该值可以是
应用。
2x10
女士，
GR1089CORE
8x20
女士，
IEC6100045
10x160
女士，
TIA968A
10x560
女士，
TIA968A
10x360
女士，
GR1089CORE
10x1000
女士，
GR1089CORE
5x310
女士，
ITUK.20/K.21/K.45
I
TSM
通态电流非重复性峰值：额定
交流电源频率的最大值（峰）值
导通状态的浪涌电流，它可以应用于一个
指定的时间或交流周期数。
0.1S ， 50/60赫兹，全正弦波
价值
$58
$65
$75
$90
$120
$140
$170
$180
$190
$220
$275
$320
500
400
200
120
150
100
200
30
A
A
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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2
NP- SCMC系列
电气特性表
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
（BO）
等级
击穿电压：在或在NP0640SCMCT3G器件两端的最大电压
击穿区。
NP0720SCMCT3G
VDC = 1000 V ， dv / dt的= 100 V / ms的
NP0900SCMCT3G
NP1100SCMCT3G
NP1300SCMCT3G
NP1500SCMCT3G
NP1800SCMCT3G
NP2100SCMCT3G
NP2300SCMCT3G
NP2600SCMCT3G
NP3100SCMCT3G
NP3500SCMCT3G
I
（BO）
I
H
I
DRM
V
T
dv / dt的
转折电流：瞬时电流在导通电压。
保持电流：保持装置中的导通状态所需的最小电流。
断态电流：电流的直流值，使得从应用
断态电压化
V
D
= 50 V
V
D
= V
DRM
150
2
5
4
±5
V
千伏/ MS
民
典型值
最大
$77
$88
$98
$130
$160
$180
$220
$240
$260
$300
$350
$400
800
mA
mA
mA
单位
V
通态电压：在导通状态条件下跨器件的电压。
I
T
= 2.2 A（ PK） ， PW = 300
女士，
DC = 2％
断态电压临界上升率：电压上升最大速率（低于V
DRM
）表示
不会造成从关断状态切换到导通状态。
0.1 V之间的线性斜坡
DRM
和0.9 V
DRM
通态电流临界上升率：目前该设备上升率的额定值
能承受而不损坏。
关态电容
F = 1.0兆赫，V
d
= 1.0 V
RMS
, V
D
=
2
VDC
NP0640SCMCT3G
NP0720SCMCT3G
NP0900SCMCT3G
NP1100SCMCT3G
NP1300SCMCT3G
NP1500SCMCT3G
NP1800SCMCT3G
NP2100SCMCT3G
NP2300SCMCT3G
NP2600SCMCT3G
NP3100SCMCT3G
NP3500SCMCT3G
的di / dt
C
O
±500
29
29
29
29
29
29
29
29
29
29
29
29
A / MS
pF
热特性
符号
T
英镑
T
J
R
0JA
存储温度范围
结温
热阻：结到环境每EIA / JESD51-3 ， PCB的FR4 = 3 “ X4.5 ” x0.06 “
风扇在一个3x3英寸的模式，2个盎司纯铜轨道。
等级
价值
65
+150
40
+150
90
单位
°C
°C
° C / W
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3
NP- SCMC系列
和短路瞬时接地，安全保护
电路。
+
I
（ OP ）
+
保护
设备
TSPD
看起来像一个开放的
●电路
正常工作
V
（ OP ）
TSPD
TSPD的是有用的，帮助设计人员满足安全
在电信设备的监管标准，包括
GR -1089 -CORE ， ITU- K.20 ， ITU- K.21 ， ITU- K.45 ，FCC
第68 UL1950和EN 60950 。
安森美半导体提供全系列这些产品的
在NP系列产品线。
设备选择
电路正常工作
+
I
（ FAULT）
V
（ FAULT）
TSPD
+
I
（ FAULT）
保护
设备
在故障期间操作
故障
比伏电压高
bo
OCCURS
TSPD
短路接地故障
After
持续时间短的事件O / V
切换到打开状态
最差
情况下（故障/安全）
O / V
永久短
设备
保护
当选择一个TSPD使用下面的键选择
参数。
断态电压V
DRM
图4.正常和故障条件
选择一个TSPD ，有一个断态电压大于
在正常的系统操作电压。该保护器应
没有在这些条件下操作：
例如：
VBAT = 48的Vmax
Vring = 150 V有效值= 150 * 1.414 = 212 V峰值
该TSPD的电特性帮助用户
定义为电路的保护阈值。在
开路状态的设备必须保持透明;
这是由本人所定义
DRM
。在我
DRM
应低至
可能。的典型值是小于5
毫安。
该电路的工作电压和保护电压必须
理解和电路设计过程中考虑。该
V
（BO）
为保证最大电压保护
电路将看到的，这也被称为保护电压。
在V
DRM
为保证最大电压，将
保持TSPD在正常开路状态。该TSPD
V
（BO）
典型地比在V高出20-30％
DRM
。基于
这些特征进行选择的设备是很重要这
具有V
DRM
比正常的电路操作更高
电压，并为V
（BO）
小于故障阈值
的被保护设备的电路。低通态电压
V
t
允许TSPD进行大量激增
电流（ 500 A）在小尺寸封装。
一旦瞬态浪涌已经通过与运营
电压和电流已经下降到其正常水平的
TSPD变回其开路状态。
瞬态浪涌
V
DRM
应大于这两个峰值
组件：
V
DRM
> 212 + 48 = 260 V
DRM
击穿电压V
（BO）
验证TSPD击穿电压值较小
比电路的峰值电压等级被保护。
例如：继电器击穿电压， SLIC的最大
电压，或耦合电容器的最大额定电压。
峰值脉冲电流IPPS
选择一个峰值脉冲电流值将超过
预期的浪涌电流测试。在某些情况下， 100 A
“C”的系列装置可以在需要时几乎没有或没有系列
阻力被使用。当一系列限流器被用在
可以使用的“A”或“B”的电路更小的电流电平。对
确定峰值电流鸿沟的最大冲击
电流由串联电阻。
保持电流（I
H
)
的保持电流必须大于最大
系统产生的电流。如果它不是那么TSPD将
留在短路条件下，即使在瞬态事件之后
已经过去。
设备故障阈值
TSPD保护电压
上限
正常系统
工作电压
TSPD透明
（打开）
TSPD保护
（ SHORT ）
TSPD透明
（打开）
伏
时间
图5.保护在瞬态浪涌
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5
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