数据表
MOS场效应
NP22N055HLE ， NP22N055ILE
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
这些产品是N沟道MOS场效应
设计用于高电流的开关晶体管
应用程序。
订购信息
产品型号
NP22N055HLE
NP22N055ILE
包
TO-251
TO-252
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 37 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 11 A)
R
DS(on)2
= 45 mΩ以下。 （V
GS
= 5.0 V，I
D
= 11 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 730 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-251)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
I
AS
E
AS
T
ch
T
英镑
55
±20
±22
±55
1.2
45
14 / 5
19 / 25
175
-55到+175
V
V
A
A
W
W
A
mJ
°C
°C
(TO-252)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
单雪崩电流
单雪崩能量
通道温度
储存温度
Note2
Note2
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
, V
GS
= 20 V → 0 V （见图4 ）
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
3.33
125
° C / W
° C / W
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供应及其他信息。
文档编号
D14136EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2001年3月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999
NP22N055HLE ， NP22N055ILE
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
门源阈值电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
V
GS （ TH）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G1
Q
G2
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
F
= 22 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 22 A，V
GS
= 0 V ，的di / dt = 100A /
s
I
D
= 22 A，V
DD
= 44 V, V
GS
= 10 V
I
D
= 22 A，V
DD
= 44 V, V
GS
= 5 V
I
D
= 11 A，V
GS （ ON）
= 10 V, V
DD
= 28 V,
R
G
= 1
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= 10 V，I
D
= 11 A
V
DS
= 55 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
730
110
52
9.0
6.0
32
5.4
15
9
3
4.5
1.0
37
45
1.5
5
分钟。
典型值。
29
35
37
2.0
10
10
±10
1100
170
95
20
16
65
14
23
14
马克斯。
37
45
51
2.5
单位
m
m
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90 %
90 %
10 % 10 %
V
GS
电波表
0
10 %
V
GS （ ON）
90 %
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D14136EJ3V0DS
NP22N055HLE ， NP22N055ILE
典型特征（T
A
= 25 °C)
图1 。正向偏置的降额因子
安全工作区
图2 。总功耗对比
外壳温度
70
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
5
图3.正向偏置安全工作区
1000
单脉冲雪崩能量 - 兆焦耳
30
25
20
15
10
5
0
25
4所示。单雪崩能量
降额因子
25兆焦耳
19兆焦耳
I
D
- 漏电流 - 一个
100
d
ITE V）
Lim10
)
on
=
S(
S
R
D
吨V
G
(a
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
Po
DC
林WER
ITE派息
d
SIP
ATI
PW
1m
on
10
0
=1
10
s
s
0
s
I
AS
= 5 A
14 A
1
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
V
DS -
漏源极电压 - V
0.1
0.1
50
75
100
125
150
175
起始物为
ch
- 起始通道温度 - C
Figure5 。瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 125℃ / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 3.33℃ / W
1
0.1
单脉冲
T
C
= 25C
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.01
10
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14136EJ3V0DS
3
NP22N055HLE ， NP22N055ILE
Figure6 。正向传递特性
100
脉冲
Figure7 。漏电流与
漏源极电压
60
50
脉冲
V
GS
=10 V
40
5.0 V
30
4.5 V
20
10
I
D
- 漏电流 - 一个
10
T
A
=
40C
25C
75C
150C
175C
1
0.1
0.01
1.0
V
DS
= 10 V
2.0
3.0
4.0
5.0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
6.0
I
D
- 漏电流 - 一个
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
100
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
图8.。远期转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
Figure9 。漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
80
脉冲
70
60
50
40
I
D
= 11 A
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
1
T
A
= 175C
75C
25C
40C
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
1
10
V
GS
= 4.5 V
5.0 V
10 V
脉冲
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
Figure10 。漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
Figure11 。门源阈值电压 -
通道温度
3.0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14136EJ3V0DS
NP22N055HLE ， NP22N055ILE
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
图12所示。漏极至源极导通电阻与
通道温度
90
Figure13 。源极到漏极二极管
正向电压
100
脉冲
V
GS
= 10 V
10
V
GS
= 0 V
1
70
60
50
40
30
20
10
V
GS
= 4.5 V
5.0 V
10 V
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
80
0.1
I
D
= 11 A
0
50
0
50
100
150
0.01
0
0.5
1.0
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
Figure14 。电容与漏极TO
源极电压
10000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
Figure15 。开关特性
1000
1000
C
国际空间站
100
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
100
C
OSS
C
RSS
10
t
r
10
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
Figure16 。反向恢复时间对比
漏电流
1000
，图17 。动态输入/输出特性
80
16
14
60
V
GS
40
V
DD
= 44 V
28 V
11 V
10
8
6
20
V
DS
0
I
D
= 22 A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
4
2
12
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
100
10
1
0.1
1.0
10
100
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
数据表D14136EJ3V0DS
5
QQ：2881677436 复制
