初步
数据表
NP180N055TUK
MOS场效应
描述
R07DS0593EJ0100
Rev.1.00
2011年12月12日
该NP180N055TUK是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.40 m MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 90 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 10700 pF的典型。 （V
DS
= 25 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
订购信息
产品型号
NP180N055TUK-E1-AY
*
1
NP180N055TUK-E2-AY
注意：
*
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
大坪（ E1型）
带800的P /卷
大坪（ E2型）
包
TO-263-7pin
(MP-25ZT)
*1
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
*
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
重复性雪崩电流
*
2
重复性雪崩能量
*
2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
55
20
180
720
348
1.8
175
-55至175
66
435
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项：
*1
T
C
= 25 ° C，P
W
10
s,
占空比
1%
*2
R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.43
83.3
° C / W
° C / W
R07DS0593EJ0100 Rev.1.00
2011年12月12日
第1页6
NP180N055TUK
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
3
电容与漏源极电压
100000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容-PF
2
10000
C
国际空间站
1
V
GS
= 10 V
I
D
= 90 A
脉冲
0
–100
–50
0
50
100
150
200
1000
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.1
1
10
C
OSS
C
RSS
100
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
10000
动态输入/输出特性
55
11
V
DD
= 44 V
28 V
11 V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
9
8
7
V
GS
6
5
4
3
2
1000
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
t
f
10
V
DD
= 28 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
1
10
100
1000
V
DS
I
D
= 180 A
1
1
0.1
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
I
D
- 漏电流 - 一个
源极到漏极二极管的正向电压
1000
V
GS
= 0 V
100
反向恢复时间对比
漏电流
100
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
V
GS
= 10 V
10
10
1
脉冲
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
1000
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 漏电流 - 一个
R07DS0593EJ0100 Rev.1.00
2011年12月12日
分页： 5 6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
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