NP- SBMC系列
80A ，超低电容
TSPD
使用NP- SBMC系列低电容晶闸管浪涌
保护器件（ TSPD ）保护敏感电子设备
瞬态过压条件。由于其超低关断状态
电容（C
o
） ，它们提供了用于高速最小的信号失真
设备如ADSL2 +， VDSL和T1 / E1线路。低
标称offstate电容转化为极低
差动电容提供一流的线性度与外加电压
或频率。这些可靠的硅器件也是一个合适的
替代气体放电管保护器。
使用NP- SBMC系列帮助设计人员符合各种
监管标准和建议包括：
GR -1089 -CORE ， IEC 61000-4-5 ， ITU K.20 / K.21 / K.45 ， IEC 60950 ，
TIA - 968 -A ， FCC第68部分， EN 60950 ， UL 1950 。
特点
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超低电容
双向表面
MOUNT晶闸管
80A ， 10x1000ms SURGE
超低
微型电容
低漏（透明）
高浪涌电流能力
对电压的精确开启
低电压过冲
这些无铅器件
T
R
典型应用
xDSL的局端和用户端
T1/E1
其他的宽带高速数据传输设备
电气特性
V
DRM
设备
NP0640SBMCT3G
NP0720SBMCT3G
NP0900SBMCT3G
NP1100SBMCT3G
NP1300SBMCT3G
NP1500SBMCT3G
NP1800SBMCT3G
NP2100SBMCT3G
NP2300SBMCT3G
NP2600SBMCT3G
NP3100SBMCT3G
NP3500SBMCT3G
V
$58
$65
$75
$90
$120
$140
$170
$180
$190
$220
$275
$320
V
（BO）
V
$77
$88
$98
$130
$160
$180
$220
$240
$260
$300
$350
$400
C
O
, 2 V,
1兆赫
pF的（最大）
21
21
21
21
21
21
21
21
21
21
21
21
C
O
, 50 V,
1兆赫
pF的（最大）
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
A
Y
WW
xxx
SMB
JEDEC DO- 214AA
案例403C
标记图
AYWW
xxxBMG
G
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
(NPxxx0SBMC)
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NPxxx0SBMCT3G
包
SMB
（无铅）
航运
2500 /磁带&
REEL
的G部分数字表示符合RoHS标准
其他保护电压可根据要求提供
对称保护
值，正面和负面的相同
游览
（见V-I曲线的第3页）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
第1版
1
出版订单号：
NP3100SBMC/D
NP- SBMC系列
浪涌额定值
I
PPS
A
波形（毫秒）
价值
2x10
250
8x20
250
10x160
150
10x560
100
10x360
125
10x1000
80
5x310
100
I
TSM
A
0.1 s
60赫兹
30
的di / dt
A / MS
500
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DRM
等级
重复峰值断态电压：额定最大
（峰值）连续电压可在施加
关断状态下，包括所有的DC和重复
交流电压的组件。
NP0640SBMCT3G
NP0720SBMCT3G
NP0900SBMCT3G
NP1100SBMCT3G
NP1300SBMCT3G
NP1500SBMCT3G
NP1800SBMCT3G
NP2100SBMCT3G
NP2300SBMCT3G
NP2600SBMCT3G
NP3100SBMCT3G
NP3500SBMCT3G
I
PPS
非重复性峰值脉冲电流：额定最大
的峰值脉冲的脉冲电流值，该值可以是
应用。
2x10
女士，
GR1089CORE
8x20
女士，
IEC6100045
10x160
女士，
TIA968A
10x560
女士，
TIA968A
10x360
女士，
GR1089CORE
10x1000
女士，
GR1089CORE
5x310
女士，
ITUK.20/K.21/K.45
I
TSM
通态电流非重复性峰值：额定
交流电源频率的最大值（峰）值
导通状态的浪涌电流，它可以应用于一个
指定的时间或交流周期数。
0.1S ， 50/60赫兹，全正弦波
价值
$58
$65
$75
$90
$120
$140
$170
$180
$190
$220
$275
$320
250
250
150
100
125
80
100
30
A
A
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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2
NP- SBMC系列
电气特性表
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
（BO）
等级
击穿电压：在或在器件两端的最大电压
击穿区。
VDC = 1000 V ， dv / dt的= 100 V / ms的
NP0640SBMCT3G
NP0720SBMCT3G
NP0900SBMCT3G
NP1100SBMCT3G
NP1300SBMCT3G
NP1500SBMCT3G
NP1800SBMCT3G
NP2100SBMCT3G
NP2300SBMCT3G
NP2600SBMCT3G
NP3100SBMCT3G
NP3500SBMCT3G
I
（BO）
I
H
I
DRM
V
T
dv / dt的
转折电流：瞬时电流在导通电压。
保持电流：保持装置中的导通状态所需的最小电流。
断态电流：电流的直流值，使得从应用
断态电压化
V
D
= 50 V
V
D
= V
DRM
150
2
5
4
±5
V
千伏/ MS
民
典型值
最大
$77
$88
$98
$130
$160
$180
$220
$240
$260
$300
$350
$400
800
mA
mA
mA
单位
V
通态电压：在导通状态条件下跨器件的电压。
I
T
= 2.2 A（ PK） ， PW = 300
女士，
DC = 2％
断态电压临界上升率：电压上升最大速率（低于V
DRM
）表示
不会造成从关断状态切换到导通状态。
0.1 V之间的线性斜坡
DRM
和0.9 V
DRM
通态电流临界上升率：目前该设备上升率的额定值
能承受而不损坏。
关态电容
F = 1.0兆赫，V
d
= 1.0 V
RMS
, V
D
=
2
VDC
NP0640SBMCT3G
NP0720SBMCT3G
NP0900SBMCT3G
NP1100SBMCT3G
NP1300SBMCT3G
NP1500SBMCT3G
NP1800SBMCT3G
NP2100SBMCT3G
NP2300SBMCT3G
NP3100SBMCT3G
NP3500SBMCT3G
的di / dt
C
O
±500
21
21
21
21
21
21
21
21
21
21
21
A / MS
pF
热特性
符号
T
英镑
T
J
R
0JA
存储温度范围
结温
热阻：结到环境每EIA / JESD51-3 ， PCB的FR4 = 3 “ X4.5 ” x0.06 “
风扇在一个3x3英寸的模式，2个盎司纯铜轨道。
等级
价值
65
+150
40
+150
90
单位
°C
°C
° C / W
http://onsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
