NP系列
首选设备
晶闸管浪涌保护器
高压双向
NP系列晶闸管浪涌保护器件（ TSPD ）保护
电信电路，如中心局，访问和
客户端设备从过压条件。这些都是
双向设备，使他们能够以具有2个设备的功能
在一个封装内，节省了电路板布局的宝贵空间。
当过电压发生时，这些设备将作为撬棍和意志
转移的能量从电路或正在被保护的设备。
在设备使用NP系列将有助于满足各种监管
要求包括： GR -1089 -CORE ， IEC 61000-4-5 ， ITU
K.20 / 21 /45， IEC 60950 ， TIA- 968 -A ， FCC第68部分， EN 60950 ，
UL 1950 。
电气参数
V
DRM
设备
NP0640SxT3G
NP0720SxT3G
NP0900SxT3G
NP1100SxT3G
NP1300SxT3G
NP1500SxT3G
NP1800SxT3G
NP2100SxT3G
NP2300SxT3G
NP2600SxT3G
NP3100SxT3G
NP3500SxT3G
V
58
65
75
90
120
140
170
180
190
220
275
320
V
（BO）
V
77
88
98
130
160
180
220
240
260
300
350
400
V
T
V
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
（BO）
mA
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
A
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
mA
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
SMB
JEDEC DO- 214AA
案例403C
http://onsemi.com
双向表面
MOUNT晶闸管
64 - 350伏
MT1
MT2
标记图
AYWW
XXXXG
G
xxxx
=具体设备守则
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
G =表明无铅，符合RoHS标准
潮资料额定值
波形
规范
GR1089CORE
IEC 61000-4-5
TIA968A
GR1089CORE
TIA968A
ITU -T K.20 / 21
GR1089CORE
*
电压
ms
2x10
1.2x50
10x160
10x360
10x560
10x700
10x1000
当前
ms
2x10
8x20
10x160
10x360
10x560
5x310
10x1000
X =系列评级
A
150
150
90
75
50
75
50
B
250
250
150
125
100
100
80
C
500
400
200
175
150
200
100
单位
A（ PK）
订购信息
查看详细的订购和发货信息第4页
此数据表。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
公认的组件
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年11月 - 修订版0
出版订单号：
NP0640S/D
NP系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
（注1 ）
击穿电压（两极）
NP0640SxT3G
NP0720SxT3G
NP0900SxT3G
NP1100SxT3G
NP1300SxT3G
NP1500SxT3G
NP1800SxT3G
NP2100SxT3G
NP2300SxT3G
NP2600SxT3G
NP3100SxT3G
NP3500SxT3G
断态电压（两极）
NP0640SxT3G
NP0720SxT3G
NP0900SxT3G
NP1100SxT3G
NP1300SxT3G
NP1500SxT3G
NP1800SxT3G
NP2100SxT3G
NP2300SxT3G
NP2600SxT3G
NP3100SxT3G
NP3500SxT3G
关态电流
( V
D1
= 50伏）这两种极性
( V
D2
= V
DRM
）两极
I
DRM1
I
DRM2
I
H
V
T
的di / dt
dv / dt的
150
5.0
250
V
DRM
58
65
75
90
120
140
170
180
190
220
275
320
2.0
5.0
4.0
500
mA
mA
mA
V
A /毫秒
千伏/毫秒
符号
V
（BO）
77
88
98
130
160
180
220
240
260
300
350
400
V
民
典型值
最大
单位
V
保持电流（两极） （注4 ）V
S
= 500 V ;我
T
= 2.2 A
导通状态电压I
T
= 1.0 A（ PK ） （ PW = 300
毫秒，
DC = 2％）
更改通态电流的最大非重复率（注1 ）
（哈弗莱测试方法， 1.0 PK < 100 A）
断态电压临界上升率
（线性波形，V
D
= 0.8 V
DRM
, T
J
= 25°C)
电容
典型值
特征
（ F = 1.0兆赫， 1.0 V
RMS
， 2伏直流偏压）
NP0640SxT3G
NP0720SxT3G
NP0900SxT3G
NP1100SxT3G
NP1300SxT3G
NP1500SxT3G
NP1800SxT3G
NP2100SxT3G
NP2300SxT3G
NP2600SxT3G
NP3100SxT3G
NP3500SxT3G
1.
2.
3.
4.
电参数是基于脉冲试验方法。
的di / dt一定不能超过的最大100A /毫秒的在本申请的。
脉冲条件，以减少加热的条件下测得的
让测试第二极性之前冷却。
符号
C
o
70
70
70
70
60
60
60
60
40
40
40
40
125
125
125
125
100
100
100
100
60
60
60
60
210
210
210
210
180
180
180
180
100
100
100
100
A
B
C
单位
pF
http://onsemi.com
2
NP系列
订购信息
产品型号
NP0640SAT3G
NP0640SBT3G
NP0640SCT3G
NP0720SAT3G
NP0720SBT3G
NP0720SCT3G
NP0900SAT3G
NP0900SBT3G
NP0900SCT3G
NP1100SAT3G
NP1100SBT3G
NP1100SCT3G
NP1300SAT3G
NP1300SBT3G
NP1300SCT3G
NP1500SAT3G
NP1500SBT3G
NP1500SCT3G
NP1800SAT3G
NP1800SBT3G
NP1800SCT3G
NP2100SAT3G
NP2100SBT3G
NP2100SCT3G
NP2300SAT3G
NP2300SBT3G
NP2300SCT3G
NP2600SAT3G
NP2600SBT3G
NP2600SCT3G
NP3100SAT3G
NP3100SBT3G
NP3100SCT3G
NP3500SAT3G
NP3500SBT3G
NP3500SCT3G
记号
064A
064B
064C
072A
072B
072C
090A
090B
090C
110A
110B
110C
130A
130B
130C
150A
150B
150C
180A
180B
180C
210A
210B
210C
230A
230B
230C
260A
260B
260C
310A
310B
310C
350A
350B
350C
SMB
（无铅）
2500 /磁带和卷轴
例
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
NP系列
包装尺寸
S
A
SMB
CASE 403C -01
发出
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. D尺寸应在实测
维P.
D
B
C
英寸
DIM MIN
最大
A
0.160
0.180
B
0.130
0.150
C
0.075
0.095
D
0.077
0.083
H
0.0020 0.0060
J
0.006
0.012
K
0.030
0.050
P
0.020 REF
S
0.205
0.220
MILLIMETERS
民
最大
4.06
4.57
3.30
3.81
1.90
2.41
1.96
2.11
0.051
0.152
0.15
0.30
0.76
1.27
0.51 REF
5.21
5.59
K
P
J
H
焊接足迹*
2.261
0.089
2.743
0.108
2.159
0.085
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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5
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