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为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站: http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
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1.
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瑞萨电子或其他人。
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半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路,软件的结合,
而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任
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电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术
军队,包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造,使用或禁止出售
根据任何适用的国内或外国的法律或法规。
瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息,使用合理的照顾,但瑞萨电子
不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
MOS场效应
NP110N04PUJ
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该NP110N04PUJ是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
订购信息
产品型号
NP110N04PUJ-E1B-AY
NP110N04PUJ-E2B-AY
铅电镀
纯Sn (锡)
填料
带1000 P /卷
TO- 263 ( MP - 25ZP ) (典型值) 。 1.5克
无铅(此产品不含Pb在外部电极)。
特点
超低导通电阻
R
DS ( ON)
= 1.8 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 55 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 9500 pF的典型。
专为汽车应用和AEC- Q101标准
(TO-263)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
40
±20
±110
±440
288
1.8
175
55
to
+175
518
72
518
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩能量
Note2
Note3
Note3
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
10
μ
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 20 V ,R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
0 V,L = 100
μ
H
3.
T
ch
150℃ ,R
G
= 25
Ω
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
0.52
83.3
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D19730EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2009 NS月
日本印刷
2009
NP110N04PUJ
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
| y
fs
|
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5 V,I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 55 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V,I
D
= 55 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
分钟。
典型值。
马克斯。
1
±100
单位
μ
A
nA
V
S
2.0
55
3.0
118
1.4
9500
1250
410
45
22
100
15
4.0
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1.8
14250
1880
740
100
60
200
40
230
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 32 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 110 A
I
F
= 110 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 110 A,V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
150
35
45
0.9
68
135
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
1.5
V
ns
nC
脉冲测试
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
Ω
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
2
数据表D19730EJ1V0DS
NP110N04PUJ
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
300
120
胸苷 - 百分比额定功率 - %
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
P
T
- 总功耗 - W
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
1000
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
PW
=
1
i
0
0
I
D
- 漏电流 - 一个
100
μ
s
DC
co
Se
1
i
0
1
i
m
i
s
10
R
DS ( ON)
有限
(V
GS
= 10 V)
m
i
y
ar
nd
s
w
Po
D
er
B
do
ke
ra
w
n
d
IT ê
m
Li
吨IO
IP中的
国际空间站
d
IT ê
im
nL
1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
1
0.1
0.01
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
R
TH( CH-C )
= 0.52C / W
单脉冲
0.001
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D19730EJ1V0DS
10
100
1000
3
查看更多NP110N04PUJ-E2B-AYPDF信息
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型号
厂家
批号
数量
封装
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    NP110N04PUJ-E2B-AY
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NP110N04PUJ-E2B-AY
VBSEMI/台湾微碧
21+
12720
TO-263
全新原装正品/质量有保证
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VB
25+23+
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