【初步数据表NP100N04PUKMOS场效应描述R07DS0545EJ0100Rev.1.00201】,IC型号NP100N04PUK-E1-AY,NP100N04PUK-E1-AY PDF资料,NP100N04PUK-E1-AY经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

NP100N04PUK

MOS场效应

描述

R07DS0545EJ0100

Rev.1.00

2011年9月23日

该NP100N04PUK是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

特点

超低导通电阻

R

DS （ ON）

= 2.3 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A )

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 4700 pF的典型。（V

DS

= 25 V )

专为汽车应用和AEC- Q101标准

订购信息

产品型号

1

NP100N04PUK-E1-AY

1

NP100N04PUK-E2-AY

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

带800的P /卷

大坪（ E1型）

大坪（ E2型）

包

TO- 263 （ MP- 25ZP ）

注意：

1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

项

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

1

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

2

重复性雪崩电流

2

重复性雪崩能量

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

I

AR

E

AR

评级

40

±20

±100

±400

176

1.8

175

55

to

+175

43

185

单位

V

A

W

°C

A

mJ

热阻

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

0.85

83.3

° C / W

注意事项：

1. T

C

= 25 ° C， PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2. R

G

= 25

Ω,

V

GS

= 20

0V

R07DS0545EJ0100 Rev.1.00

2011年9月23日

第1页6

NP100N04PUK

章标题

电气特性（T

A

= 25°C)

项

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

1

漏极至源极导通状态

1

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

1

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意：

1.脉冲测试

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

Ω

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

分钟。

典型值。

2.0

40

3.0

80

1.9

4700

660

270

28

14

70

10

80

21

20

0.9

52

78

马克斯。

1

±100

4.0

2.3

7050

990

490

70

40

140

30

120

单位

μ

A

nA

V

S

mΩ

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试条件

V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μ

A

V

DS

= 5 V，I

D

= 50 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A

V

DS

= 25 V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

= 20 V，I

D

= 50 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 0

Ω

V

DD

= 32 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 100 A

I

F

= 100 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 100 A，V

GS

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

μ

s

1.5

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

Ω

R

L

V

DD

R07DS0545EJ0100 Rev.1.00

2011年9月23日

第2 6

NP100N04PUK

章标题

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置安全的降额因子

工作区

总功耗对比

外壳温度

120

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

200

P

T

- 总功耗 - W

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125 150

175

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125 150

175

T

C

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

T

C

- 外壳温度 -

°C

1000

I

D（脉冲）

= 400 A

PW

=1

00

s

I

D

- 漏电流 - 一个

100

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

= 10 V)

10

1m

s

10

I

D（ DC）的

= 100 A

功耗有限公司

m

s

1

二次Brakedown有限公司

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

100

R

吨H（ CH- A）

= 83.3C / W

10

1

R

吨H（ CH -C ）

= 0.85

°

C / W

0.1

单脉冲

0.01

0.1 m

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R07DS0545EJ0100 Rev.1.00

2011年9月23日

第3页6

NP100N04PUK

漏电流与

漏源极电压

章标题

正向传递特性

500

400

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

1000

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

= 10 V

脉冲

T

A

=

55°C

25°C

85°C

150°C

175°C

300

200

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

V

GS

= 10 V

脉冲

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源阈值电压

与通道温度

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

4

V

DS

= V

GS

I

D

= 250

μA

3

远期转移导纳主场迎战漏

当前

1000

T

A

=

55

°

C

25°C

85°C

150°C

175°C

100

2

10

V

DS

= 5 V

脉冲

0.1

1

10

100

1

0

-100

1

-50

0

50

100

150

200

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

5

4

3

2

1

0

1

10

100

1000

5

4

3

2

1

0

5

10

15

20

V

GS

= 10 V

脉冲

I

D

= 50 A

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R07DS0545EJ0100 Rev.1.00

2011年9月23日

第4 6

NP100N04PUK

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

章标题

电容与漏源极电压

5

4

3

2

1

0

-100

V

GS

= 10 V

I

D

= 50 A

脉冲

-50

0

50

100

150

200

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

10000

C

国际空间站

1000

C

OSS

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

100

0.1

1

10

C

RSS

100

T

ch

- 通道温度 -

°C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

动态输入/输出特性

1000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

35

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

14

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DD

= 20 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 0

t

（六中）D

t

D（上）

t

r

30

25

20

V

DD

= 32 V

20 V

8V

12

10

8

V

GS

6

4

100

15

10

5

0

V

DS

I

D

= 100 A

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

10

t

f

2

0

1

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间对比

漏电流

1000

0V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

V

GS

= 10 V

100

10

1

脉冲

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

1

0.1

1

10

100

0.1

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 漏电流 - 一个

R07DS0545EJ0100 Rev.1.00

2011年9月23日

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