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複合トランジスタ
NP061AN
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ½
单位：mm
デジタル回路用
6
0.12
+0.03
-0.02
5
4
0.80
±0.05
1.00
±0.05
■
特長
1
パッケージに
2
素子内蔵
機器の小½化および高密度実装に最適
½消費電力に貢献
1
2
1.00
±0.05
3
0至0.02
(0.35) (0.35)
■
基本品種
UNR31AN
×
2
1番ピン端子表示
0.10
0.10
■
絶対最大定格
T
a
=
25°C
項目
コレクタ ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ電流
全許容損失
接合温度
保存温度
記号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
定格
50
50
80
125
125
55 +125
単½
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
0.37
+0.03
-0.02
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：收集器（ Tr1的）
SSSMini6 -F1套餐
½名表示記号
: 2L
内部接続図
6
Tr1
5
4
Tr2
■
電気的特性
T
a
=
25°C
±
3°C
項目
コレクタ ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ ベース間遮断電流(E 開放時)
コレクタ エミッタ間遮断電流(B 開放時)
エミッタ ベース間遮断電流(C 開放時)
直流電流増幅率
直流電流増幅率比
*
1
2
3
記号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小/
大）
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
最小
50
50
標準
最大
単½
V
V
0.1
0.5
0.2
80
0.50
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
4.7
0.1
+30%
400
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
コレクタ エミッタ間½和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
入力抵抗
抵抗比率
トランジション周波数
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
80
注
) 1.
測定方法は，
日本工業規格
JIS C 7030
トランジスタ測定方法によります。
2. * : 2
素子間比
(0.10)
発行年月
: 2003年6月
SJJ00277BJD
1
NP061AN
P
T
T
a
140
120
I
C
V
CE
80
V
CE （ SAT ）
I
C
コレクタエミッタ間½和電圧
V
CE （ SAT ）
(V)
100
0.9
毫安牛逼
a
=
25°C
0.8
mA
I
B
= 1.0
mA
0.7
mA
0.6
mA
0.5
mA
コレクタ電流
I
C
（MA ）
全許容損失
P
T
（ mW）的
100
80
60
40
20
0
10
60
0.4
mA
0.3
mA
25°C
40
0.2
mA
1
T
a
=
85°C
20
0.1
mA
0.1
25°C
0
40
80
120
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
1
I
C
/ I
B
=
10
10
100
1
000
周囲温度
T
a
(°C)
コレクタエミッタ間電圧
V
CE
(V)
コレクタ電流
I
C
（MA ）
h
FE
I
C
250
T
a
=
85°C
200
25°C
25°C
150
C
ob
V
CB
10
I
O
V
IN
100
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
コレクタ出力容量(入力開放時)
C
ob
（PF ）
V
CE
= 10
V
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
直流電流増幅率
h
FE
出力電流
I
O
（MA ）
1
10
100
50
0
1
10
100
1
000
0
10
20
30
40
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
コレクタ電流
I
C
（MA ）
コレクタベース間電圧
V
CB
(V)
入力電圧
V
IN
(V)
V
IN
I
O
10
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
入力電圧
V
IN
(V)
1
0.1
0.1
1
10
100
出力電流
I
O
（MA ）
2
SJJ00277BJD
本資料に記載の技術情報および半導½のご½用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の½品および技術で、外½為替及び外½貿易法」
「
に該½するものを輸出する時、
ま
たは、
½外に持ち出す時は、
日本政府の許可が必要です。
本資料に記載の技術情報は½品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実½権の許諾を意味するものではあり
ません。
上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
½社はその責を負うものでは
ありません。
本資料に記載されている½品は、
標準用途
—
一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
½品など)に½用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動½が直接人½を脅かしたり、
人½に危害を及ぼす
恐れのある用途
—
特定用途(航空 宇宙用、
交通機器、
燃焼機器、
生½維持装½、
安全装½など)に
ご½用をお考えのお客様および½社が意図した標準用途以外にご½用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
本資料に記載しております½品および½品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご½用に際しましては、
事前に最新
の½品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
設計に際して、
特に最大定格、
動½電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご½用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご½用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご½用であっても、
半導½½品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社½品の動½が原因でご½用機器が人身事故、
火½事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動½防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
防湿包装を必要とする½品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件
(保存
期間、
開封後の放½時間など)を守ってご½用ください。
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複½することを堅くお断り
いたします。
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
2002年七月
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NTR3161NT1G
N82S191CN
NAL-12W-K
NZH6V8B
NTE8108
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NAND128R4A0AV6T
NMH
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