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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第450页 > NP061A1
复合晶体管
NP061A1
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于数字电路
6
0.12
+0.03
-0.02
5
4
0.80
±0.05
1.00
±0.05
■
特点
两个元素合并到一个包
适合于设备的高密度安装和小型化
有助于低功耗
1
2
1.00
±0.05
3
0至0.02
(0.35) (0.35)
■
基本型号
UNR31A1
×
2
陈列在1号铅
0.10
0.10
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
*
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
80
125
125
55
to
+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
0.37
+0.03
-0.02
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：收集器（ Tr1的）
SSSMini6 -F1套餐
标记符号： 5Z
内部连接
6
Tr1
5
4
注）* ：在17毫米测量在基片
×
10 mm
×
1 mm
Tr2
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
h
FE
比
*
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小
/大）
1
2
3
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
民
50
50
典型值
最大
单位
V
V
0.1
0.5
0.5
35
0.5
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
0.8
10
1.0
80
+30%
1.2
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：一个又一个的比
(0.10)
出版日期： 2003年6月
SJJ00270BED
1
NP061A1
P
T
T
a
140
120
90
80
T
a
=
25°C
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
0.9毫安
0.8毫安
I
B
= 1.0
mA
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
= 10
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
70
60
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
1
T
a
=
85°C
0.1
25°C
25°C
0.2毫安
0.01
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100 120 140
0
0.001
1
10
100
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
200
C
ob
V
CB
10
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
V
CE
= 10
V
T
a
=
85°C
正向电流传输比H
FE
160
25°C
120
输出电流I
O
（MA ）
1
8
16
24
32
40
10
25°C
80
1
40
0
1
10
100
0
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
10
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
输入电压V
IN
(V)
1
0.1
0.1
1
10
100
输出电流I
O
（MA ）
2
SJJ00270BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
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提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
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通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
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最新的规格满足您的要求。
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妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
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2002年七月
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