NOIS1SM1000S,
NOIS1SM1000A
STAR1000 100万像素
辐射硬CMOS
图像传感器
特点
1024 ×1024像素有效
15
mm
x 15
mm
像素尺寸
1英寸
35毫米光学格式
高耐辐射
高灵敏度
低噪音
单色和彩色
每秒（ fps）的11帧全分辨率
片上的10位模拟 - 数字转换器（ADC ）
感兴趣区域（ ROI ）读出
窗口和子采样读取
卷帘
片上固定模式噪声（ FPN ）校正
陶瓷JLCC -84封装
BK7G18玻璃用氮气填充型腔
400 mW的功耗
这些器件是无铅和符合RoHS标准
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应用
标准的市场应用
核查
空间应用
图1. STAR1000的84引脚陶瓷
JLCC套餐
空间科学
星跟踪器
阳光传感器
JLDCC84
CASE 114AK
俄通社信息
描述
该STAR1000是俄通社 - 免费的组件
该STAR1000是在15的CMOS图像传感器，具有1024 ×1024个像素
mm
x 15
mm
间距。它带有片上固定
图案噪声（ FPN ）校正，可编程增益放大器，和一个10位模拟 - 数字转换器（ADC ） 。
所有的电路都使用了耐辐射设计技术，使抗辐射作用的高耐受性而设计的。
其中包含X轴和所读出的像素的Y轴地址寄存器可以由外部控制器直接访问。
这种架构提供了灵活的操作，并允许不同的操作模式，如（多个）窗口，
子采样，依此类推。
该STAR1000是使用BK7G18玻璃盖用氮气填充的腔体，这增加了温度组装
工作范围。该STAR1000飞行模式有额外的屏蔽空间合格标准。
订购信息
市场型号
NOIS1SM1000A-HHC
NOIS1SM1000S-HHC
NOIS1SM1000A-HWC
NOIS1SM1000S-HWC
NOIS1SC1000A-HHC
描述
单声道与BK7G18玻璃，工程模型
单声道与BK7G18玻璃，飞行模式
单窗户，工程模型
单窗户，飞行模式
色彩搭配BK7G18玻璃，工程模型
1
生产风险
工程
出版订单号：
NOIS1SM1000A/D
状态
生产
包
84引脚JLCC
CASE 114AK
半导体元件工业有限责任公司， 2014年
二月2014
启示录13
NOIS1SM1000S ， NOIS1SM1000A
订购码解码器
记号
标志应包括铅标识和可追溯性的信息。
铅鉴定
索引到引脚1应位于封装的顶部，如图节封装尺寸21页的引脚
编号是逆时针看时，该部件的顶侧。
追溯信息测试
每个组件应标明，这样完整的可追溯性得以维持。
该组件应承担的号码组成如下：
订购型号
NOIS1SM1000A-HHC
NOIS1SM1000S-HHC
NOIS1SM1000A-HWC
NOIS1SC1000A-HHC*
包装标志：1号线
NOIS1SM1000A
NOIS1SM1000S
NOIS1SM1000A
NOIS1SC1000A
包装标志：2号线
-HHC NNNN
-HHC NNNN
-HWC NNNN
-HHC NNNN
包装标志： 3号线
AWLYYWW
AWLYYWW
AWLYYWW
AWLYYWW
其中，安森美半导体，比利时手动控制NNNN-序列号
其中， AWLYYWW代表的很多组件日期
*本NOIS1SC1000A - HHC是工程样品。
标记图
12
11
32
33
1
84
75
74
XXXXX
A
WL
YY
WW
NNNN
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
编号
52
53
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NOIS1SM1000S ， NOIS1SM1000A
介绍
概观
该规范详细说明了收视率，物理，
几何电和电光特性，
测试和检查数据的CMOS有源像素图像
根据类型之星1000传感器传感器（ CMOS APS ）
具有1024 ×1024个像素15的格式
mm
x 15
mm
音调，且含有一个片上10位ADC 。
该规范应阅读与配合
食管鳞状细胞癌一般规范ESCC 9020第2期2004年3月
2010.
出口通关
总是存储在屏蔽环境中的设备是
防止ESD损坏（至少一个非静电
生成托盘和金属包）
总是处理设备时戴上腕带
并使用防静电的安全手套。
该STAR1000被列为1A级（ JEDEC
分类 - [ AD03 ] ）器件的ESD敏感度。
为妥善处理和储存条件，请参阅
安森美半导体应用笔记AN52561 ，图像
传感器处理和最佳实践。
储存信息
该STAR1000是受出口通关的一些
国家及应用，并出口许可证可能
所需。
组件类型变体
的基本的CMOS图像的类型的变体的概要
传感器示出在订购信息。完整
的详细的规格为每种类型的选项列表中列出
验收标准规范。
在此资料提交所有规格的额定电压为
22
±3°C,
根据标称时钟和偏置条件。
除注明例外情况在“备注”字段。
焊接说明
该组件必须被存储在无尘和
与温度，湿度和静电控制的环境中。
设备必须始终保存在特殊的防静电安全
盘，使得所述玻璃窗口从未接触过。
托盘关闭与EDS安全橡皮筋
托盘密封在一个ESD安全的导电箔
洁净室的条件。
用于运输和储存洁净室外面的托盘
是装在被密封在第二静电保存袋
洁净室。
有限担保
焊接只限于手工焊接。无波
或回流焊接是允许的。对于手工焊接，
下列限制适用：
焊1针上的每个传感器的4边的
冷静下来的最小周期。焊接前1分钟
在每4个边的另一销
重复1引脚的焊接在每一侧，包括一
1分钟冷却期。
操作注意事项
关于图像传感器业务部保证图像
传感器产品交付本协议，如果使用得当
和服务，将符合公布的卖方
规格和将在材料缺陷和
下面的日期做工两（ 2 ）年
出货。如果一个缺陷是显现在两（ 2）
年期间的发售日期，安森美半导体将
无论是更换产品或提供的信贷产品。
退货授权（ RMA ）
该组件是容易受静电破坏
放电。因此，适当的预防措施应
在制造过程中的所有阶段用于保护，
检验，包装，运输和任何的处理。该
以下准则适用：
始终处于受控的ESD操纵装置
环境
安森美半导体封装所有的图像传感器
产品在净室环境下严格的处理
程序和船只所有的图像传感器产品在ESD安全的，
洁净室批准的海运集装箱。制品
回到安森美半导体故障分析应该是
这些相同的条件下处理，并装在其
原包装材料，或客户可负责赔偿
的产物。
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NOIS1SM1000S ， NOIS1SM1000A
适用文件
下列文件构成本规范的一部分，并应阅读与它一起：
号
AD01
AD02
AD03
AD04
AD05
参考
食管癌通用规范9020
CISP规范＃ 001-06225
JESD22-A114-B
APS-FF-SC-03-010
CISP规范＃ 001-49283
标题
电荷耦合器件，硅光敏
电光试验方法的CMOS图像
传感器
静电放电（ ESD ）敏感性测试
人体模型（ HBM ）
工艺鉴定文件
目视检查FM设备
问题
2.0
E
B
3.0
1
2008年1月，
日期
2010年3月
2008年10月，
2000年6月，
注： CISP ＃
CMOS图像传感器产品，安森美半导体
术语，定义缩写，符号和单位
对于本说明书的目的，术语，
在规定的定义，缩写，符号和单位
食管鳞状细胞癌的基本规格21300办理。
下面的公式适用于转化％甚小孔径终端
和mV / s的进入电子和电子/秒：
FPN [E
*] +
conversion_gain
FPN [％甚小孔径终端]
*
VSAT
Dark_signal [V S]
Dark_signal [E
*
s]
+
conversion_gain
DSNU [E
*] +
DSNU [％甚小孔径终端]
*
VSAT
conversion_gain
转换增益为STAR1000 ： 11.5
毫伏/ E-
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NOIS1SM1000S ， NOIS1SM1000A
测试步骤概述
环境与耐久性测试
在完成电和电 - 光测量
环境试验
该参数可以在完成测
环境试验预计于表21 ，除非
另有规定，测量应以执行
22环境温度
±3°C.
测量
暗电流是在22执行
±1°C
和实际
环境的温度必须与测试报告
结果。
在电气和电子光学测量
耐久试验过程中的中间点
的参数，以在中间点进行测定
耐力期间的环境测试试验被安排
在表21中。除非另有说明，测量应
可以在22的环境温度下进行
±3°C.
在完成电和电 - 光测量
耐久试验的
该参数可以在完成测
耐久性试验预计于表21除非另有
表1.晶圆批次验收（每FAB很多）
TEST
晶圆加工
数据综述
SEM
总剂量测试
耐久性试验
PID
ESCC 21400
ESCC 22900
MIL -STD- 883方法1005
测试方法
说明，测量应以执行
22环境温度
±3°C.
条件的工作寿命试验
操作寿命试验条件应符合指定
在本说明书中的表20 。
对于工作寿命测试电路
电路用于执行该操作寿命试验示
在本说明书中的图2 。
条件高温储存试验
所施加的温度应为最大
在这个表6储存温度规定
特定连接的阳离子。
很多接受和筛选
很多接受和筛选是基于ESA基本
规范ESCC 9020 。
这一段描述了LAT和筛选的
STAR1000飞行模式的设备。
设备数量
NA
4设备
3器件
6设备
NA
NA
测试条件
测试地点
安森美半导体
测试机构
测试机构通过
安森美半导体
测试机构
见下文
见下文
对非屏蔽设备进行总剂量测试条件：
NOIS1SM1000S - HHC 100KRad 3.6拉德/小时
最大剂量率和偏见
对非屏蔽进行耐久性试验条件
设备：
NOIS1SM1000S - HHC 2000H ，偏置在+ 125°C
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QQ：2880707522 复制
