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数据表
防静电噪声裁剪二极管
NNCD6.8RH
低电容式静电放电
噪声裁剪二极管( QUARTO类型:共阳极)
5 -PIN超小型迷你模具
描述
该NNCD6.8RH是一个低电容型二极管开发
对于ESD (静电放电)的吸收。基于该
IEC61000-4-2测试上的电磁干扰(EMI) ,在
二极管保证不低于8千伏的耐力,
2.0±0.2
0.2
-0
0.15
-0.05
+0.1
包装尺寸(单位:毫米)
2.1±0.1
1.25
电容小与终端之间为10pF 。
该系列产品是用于ESD吸收,在最合适的
高速数据通信总线例如USB 。
与安装在5引脚超小型模具的四大要素
包装,该产品能够应对更多的高密度
组装。
0.65
1
5
0.65
2
3
4
0.9±0.1
特点
底座上的静电放电抗扰度试验( IEC 61000-4-2 )
产品保证的8千伏的最低耐力。
电容: 10 pF的(在V
R
= 0 V中,f = 1的终端之间MHz)的
低电容能实现良好的频率特性。
与在迷你模压封装四个要素,产品可实现
高密度和自动包装。
0.7
电极连接
5
4
1. K1:
2. A :
3. K2:
4. K3:
5. K4:
阴极1
阳极(通用)
阴极2
阴极3
阴极4
应用
外部接口电路的ESD吸收,在高速
数据通信总线例如USB 。
1
2
3
最大额定值(T
A
= 25 °C)
功耗
浪涌反向功率
结温
储存温度
符号
P
P
RSM
T
j
T
英镑
等级
200
2
(
t = 10
第1条脉
)
150
55
+150
单位
mW
W
o
o
C
C
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D15991EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年9月NS CP ( K)
日本印刷
商标
!
表示主要修改点。
0-0.1
备注
+0.1
2002
NNCD6.8RH
电气特性(T
A
= 25 ° C( A至K 1 ,A为K2 ,A为K3 ,A至K4 ) )
型号
击穿电压
V
BR
(V)
Note1
电容
C
t
(PF )
反向
泄漏
I
R
(
A)
动态
阻抗
Z
z
()
马克斯。
I
T
(MA )
Note2
ESD电压
(千伏)
Note3
分钟。
马克斯。
I
T
(MA )
典型值。
条件
马克斯。
V
R
(V)
分钟。
条件
C = 150 pF的
V
R
= 0 V
NNCD6.8RH
6.2
7.1
5
10
F = 1 MHz的
2
3.5
40
5
8
R = 330
联系
放电
注意事项1 。
经测试脉冲( 40毫秒)
2.
Z
z
的测量是在我
T
给定一个小的交流信号。
3.
符合IEC 61000-4-2偏向于
2
数据表D15991EJ2V0DS
NNCD6.8RH
典型特征(T
A
= 25°C)
°
图1.功耗对比
环境温度
P - 功率耗散( mW)的
250
200
100
图2.我
T
- V
BR
特征
( A- K1 , A- K2 , A- K3 , A- K4 )
I
T
- 在状态电流(mA )
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
10
1
0.1
T
A
- 环境温度( ° C)
0.01
6
6.5
7
V
BR
- 击穿电压( V)
图3.
Z
- I
T
1000
动态阻抗Z
Z
()
100
10
1
0.1
1
10
100
电流I
T
(MA )
C
t
- 终端之间的电容(pF)
图4.
t
- V
R
特征
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
R
- 反向电压( V)
数据表D15991EJ2V0DS
3
NNCD6.8RH
图5.瞬态热阻抗特性
10000
Z
th
- 瞬态热阻(° C / W)
1000 ° C / W
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
时间t (S )
P
RSM
- 浪涌非 - 反向功率(W )
5
图6
.
浪涌反向功率额定值
100
T
A
= 25C
非 - 重复
P
RSM
10
tT
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
TT - 脉冲宽度(毫秒)
4
数据表D15991EJ2V0DS
NNCD6.8RH
[备忘录]
数据表D15991EJ2V0DS
5
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