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数据表
E.S.D噪声限幅二极管
NNCD3.3B到NNCD12B
静电放电噪声,限幅二极管
( 500毫瓦TYPE)
该系列产品是开发ESD二极管(静电
放电)噪声保护。基于关于IEC1000-4-2测试
电磁干扰(EMI) ,二极管保证一个endur-
ANCE不低于30千伏的。
类型NNCD2.0B到NNCD12B系列是为DO- 35封装与
(双散热片二极管)允许DHD建设有
500毫瓦的功率耗散。
φ
0.5
25分钟。
阴极
迹象
包装尺寸
(单位:毫米)
特点
基于静电放电抗扰度试验( IEC1000-4-
2 ),产品保证了30千伏的最小的耐力。
根据设定的基准电源,该产品实现了
一系列在很宽的范围内(15产品名称排列) 。
DHD (双散热片二极管)建设。
φ
2.0 MAX 。
应用
电路E.S.D保护。
电路的波形限幅器,电涌吸收器。
最大额定值(T
A
= 25
°
C)
功耗
浪涌反向功率
结温
储存温度
P
P
RSM
T
j
T
英镑
500毫瓦
100瓦(T
T
= 10
第1条脉冲)
175
°C
–65
°C
到+175
°C
图。 7
一号文件D11770EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期1996年月
日本印刷
25分钟。
4.2 MAX 。
1996
NNCD3.3B到NNCD12B
电气特性(T
A
= 25 C)
动态
阻抗
注2
Zz ()
马克斯。
70
60
50
40
25
20
13
10
8
8
8
8
8
10
10
I
T
(MA )
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
击穿电压
注1
V
BR
(V)
类型编号
分钟。
NNCD3.3B
NNCD3.6B
NNCD3.9B
NNCD4.3B
NNCD4.7B
NNCD5.1B
NNCD5.6B
NNCD6.2B
NNCD6.8B
NNCD7.5B
NNCD8.2B
NNCD9.1B
NNCD10B
NNCD11B
NNCD12B
3.16
3.47
3.77
4.05
4.47
4.85
5.29
5.81
6.32
6.88
7.56
8.33
9.19
10.18
11.13
马克斯。
3.53
3.83
4.14
4.53
4.91
5.35
5.88
6.40
6.97
7.64
8.41
9.29
10.3
11.26
12.30
I
T
(MA )
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
反向漏
I
R
(
A)
电容
C
t
(PF )
TEST
条件
E.S.D电压
(千伏)
TEST
条件
马克斯。
20
10
5
5
5
5
5
5
2
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
典型值。
240
230
220
210
190
160
140
120
110
90
90
90
80
70
70
分钟。
30
30
30
30
30
30
C = 150 pF的
R = 330
(IEC1000
-4-2)
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
30
30
30
30
30
30
30
30
30
注意事项1 。
经测试脉冲( 40毫秒)
2.
ZZ的测量是在我
T
给小交流信号。
2
NNCD3.3B到NNCD12B
典型特征(T
A
= 25
°
C)
图。 1功耗对比
环境温度
600
R
th
- 热阻 - ° C / W
图。 2热电阻与
尺寸P.C板的
600
500
400
300
= 10 mm
200
100
0
= 5 mm
S
结到
Anbient
P - 功耗 - 毫瓦
500
400
300
200
100
0
10 mm
P.C局
φ
3 mm
T = 0.035毫米
= 5 mm
= 10 mm
P.C局
7 mm
T = 0.035毫米
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
0
20
40
60
80
2
100
T
A
- 环境温度 - C
的S - 大小P.C局 - 毫米
图。 3我
T
- V
BR
特征
NNCD5.6B
NNCD5.1B
100 m
NNCD3.3B
NNCD3.6B
10米NNCD3.9B
NNCD4.3B
NNCD4.7B
1m
I
T
- 导通状态电流 - 一个
I
T
- 导通状态电流 - 一个
T
A
= 25°C NNCD6.8B
典型值。
NNCD6.2B
NNCD7.5B
NNCD8.2B
NNCD9.1B
图。 4我
T
- V
BR
特征
T
A
= 25 °C
典型值。
100 m
NNCD11B
NNCD12B
NNCD10B
10 m
1m
100
100
10
10
1
1
100 n
100 n
10 n
10 n
1n
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
BR
- 击穿电压 - V
1n
0
7
8
9
10 11 12 13 14 15
V
BR
- 击穿电压 - V
3
NNCD3.3B到NNCD12B
图。 5
z
- I
T
特征
1 000
Z
Z
- 动态阻抗 -
T
A
= 25 °C
典型值。
NNCD3.3B
100
NNCD3.9B
NNCD4.7B
10
CD
NN
NN
5
CD
NN
.6
B
CD
5B
7.
10
B
1
0.01
0.1
1
10
100
I
T
- 导通状态电流 - 毫安
图。 6瞬态热阻抗
5 000
Z
th
- 瞬态热阻抗 - ° C / W
1 000
300 ° C / W
NNCD [ ] B
100
10
5
1m
10 m
100 m
1
吨 - 时间 - S
10
100
图。 7浪涌反向功率额定值
1 000
T
A
= 25 °C
不重复
P
RSM
P
RSM
- 浪涌反向功率 - 含
t
T
100
NNCD [ ] B
10
1
1
10
100
1m
10 m
100 m
t
T
- 脉冲宽度 - S
4
NNCD3.3B到NNCD12B
参考
文件名称
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
NEC半导体器件质量等级
半导体设备安装技术手册
先导,以质量为保证半导体器件
文档编号
C11745E
MEI-1201
C11531E
C10535E
MEI-1202
5
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RNS
24+
8420
DO-35
DO-204AH
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2024+
9675
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