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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第459页 > NNCD3.3C
数据表
E.S.D噪声限幅二极管
NNCD3.3C到NNCD12C
静电放电噪声，限幅二极管
（ 150毫瓦TYPE）
该系列产品是开发ESD二极管（静电
放电）噪声保护。基于关于IEC1000-4-2测试
电磁干扰（EMI） ，二极管保证一个endur-
不低于30千伏ANCE ，从而使自己的最合适
外部接口电路的保护。
类型NNCD3.3C到NNCD12C系列是为2PIN超超
具有150毫瓦允许功耗小型模具包。
包装尺寸
（单位：毫米）
2.1 ± 0.1
1.3 ± 0.1
0.3 ± 0.05
0.8 ± 0.1
0.15
特点
基于静电放电抗扰度试验（ IEC1000-4-
2 ），产品保证了30千伏的最小的耐力。
根据设定的基准电源，该产品实现了
一系列在很宽的范围内（15产品名称排列） 。
阴极
迹象
应用
0 ± 0.05
电路的波形限幅器，电涌吸收器。
最大额定值（T
A
= 25
°
C)
功耗
浪涌反向功率
结温
储存温度
P
P
RSM
T
j
T
英镑
150毫瓦
85 W（吨
T
= 10
第1条脉冲）
150
°C
–55
°C
+150
°C
图。 6
一号文件D11771EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1996年月
日本印刷
0.11
+0.05
–0.01
外部接口电路E.S.D保护。
0.7 ± 0.1
1996
NNCD3.3C到NNCD12C
电气特性（T
A
= 25 C)
动态
阻抗
注2
Zz ()
马克斯。
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
I
T
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
击穿电压
注1
V
BR
(V)
类型编号
分钟。
NNCD3.3C
NNCD3.6C
NNCD3.9C
NNCD4.3C
NNCD4.7C
NNCD5.1C
NNCD5.6C
NNCD6.2C
NNCD6.8C
NNCD7.5C
NNCD8.2C
NNCD9.1C
NNCD10C
NNCD11C
NNCD12C
3.10
3.40
3.70
4.00
4.40
4.82
5.29
5.84
6.44
7.03
7.73
8.53
9.42
10.40
11.38
马克斯。
3.50
3.80
4.10
4.49
4.92
5.39
5.94
6.55
7.17
7.87
8.67
9.58
10.58
11.60
12.64
I
T
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向漏
I
R
(
A)
电容
C
t
（PF ）
TEST
条件
E.S.D电压
（千伏）
TEST
条件
马克斯。
20
10
10
10
10
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
典型值。
220
210
200
180
170
160
140
120
110
90
90
90
80
70
70
分钟。
30
30
30
30
30
30
C = 150 pF的
R = 330
(IEC1000
-4-2)
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
30
30
30
30
30
30
30
30
30
注意事项1 。
经测试脉冲（ 40毫秒）
2.
ZZ的测量是在我
T
给小交流信号。
2
NNCD3.3C到NNCD12C
典型特征（T
A
= 25
°
C)
图。 1功耗与环境温度
200
30
×
30
×
0.75
P.C.B. （陶瓷）
P - 功耗 - 毫瓦
150
20
×
15
×
0.75
P.C.B. （陶瓷）
10
×
7.5
×
0.75
P.C.B. （陶瓷）
100
10
×
7.5
×
0.75
P.C.B. （玻璃环氧树脂）
50
0
0
50
100
150
200
T
A
- 环境温度 - C
图。 2我
T
- V
BR
特征
NNCD7.5C
NNCD8.2C
NNCD6.8C
NNCD9.1C
图。 3我
T
- V
BR
特征
100 m
NNCD3.3C
NNCD3.6C
10米NNCD3.9C
NNCD4.3C
I
T
- 导通状态电流 - 一个
1m
NNCD4.7C
100
10
1
100 n
10 n
1n
NNCD5.1C
100 m
10 m
I
T
- 导通状态电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
NNCD11C
NNCD10C
NNCD12C
NNCD5.6C
NNCD6.2C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
7
8
9 10 11 12 13 14 15
V
BR
- 击穿电压 - V
V
BR
- 击穿电压 - V
3
NNCD3.3C到NNCD12C
图。 4
Z
- I
T
特征
1 000
典型值。
Z
Z
- 动态阻抗 -
100
NNCD5.6C
NNCD3.9C
NNCD4.7C
NNCD5.1C
NNCD10C
10
NNCD7.5C
1
0.1
1
10
100
I
T
- 导通状态电流 - 毫安
图。 5瞬态热阻抗
5 000
Z
th
- 瞬态热阻抗 - ° C / W
1 000
NNCD []
833 ° C / W
100
10
5
1m
10 m
100 m
1
吨 - 时间 - S
10
100
图。 6浪涌反向功率额定值
1 000
T
A
= 25 °C
不重复
P
RSM
- 浪涌反向功率 - 含
P
RSM
t
T
100
NNCD []
10
1
1
10
100
1m
10 m
100 m
t
T
- 脉冲宽度 - S
4
NNCD3.3C到NNCD12C
示例应用电路
SET
记
Conecter
微
COM 。
PC
（ CD-ROM ）
PALALLEL
接口
接口电缆
记
SET
打印机， P.D.C ， T.V游戏等。
5
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