NMLU1210
全桥整流器
双20 VN沟道的双3.2肖特基势垒二极管， 4.0×
4.0× 0.5毫米
mCool
包
特点
全桥整流块
高达3.2的操作
低R
DS （上
） MOSFET ，以减少传导损耗
低栅极电荷MOSFET
低VF肖特基二极管
超低电感套餐
该器件采用无卤素模塑料
这些无铅器件
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
23毫瓦@ 4.5 V
17毫瓦@ 10 V
I
D
最大
3.2 A
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
V
F
典型值
0.45 V
I
F
最大
3.2 A
应用
无线充电
AC- DC整流
优化的电源管理应用的便携式
产品，如移动电话， PMP， DSC ，GPS和其他
整流最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
2 MOSFET漏极之间的输入电压
桥工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
连续漏电流
R_JA （注1 ）
功耗
R_JA （注1 ）
连续漏电流
R_JA吨< 5秒（注1 ）
功耗
R_JA吨< 5秒（注1 ）
连续漏电流
R_JA （注2）
功耗
R_JA （注2）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
I
O
P
D
I
O
P
D
符号
V
LL
T
J
, T
英镑
T
L
I
O
价值
20
55
to
125
260
2.2
1.16
1.2
0.47
3.2
1.88
2.34
0.94
1.16
0.6
0.47
0.185
W
A
W
A
W
单位
V
°C
°C
整流器器
4.0 4.0 mm
mCool
引脚连接
（ TOP VIEW ）
标记图
UDFN
CASE 517BS
1210
AYWWG
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
为30毫米
2
， 2盎司铜。
NMLU1210TWG
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年12月，
第0版
1
A
1210
=具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（ *注：微球可在任一位置）
引脚连接
VOUT
L1_1
L1_1
L1_2
GND1
GND1
VOUT
VOUT
L1_2
GND2
GND2
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
包
UDFN
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
出版订单号：
NMLU1210/D
NMLU1210
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
82.5
42.5
209
单位
° C / W
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4板上用30毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
， 2盎司铜。
桥电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
基本特征
整流正向电压（注5 ）
整流器漏电流
整流器的反向漏电流
V
fd2
I
泄漏
I
RLEAK
输入电压V
LL
=
±5
V;
整流器我的输出电流
OUT
= 2 A
输入电压V
LL
= 16 V;
在整流器输出空载
输入电压V
LL
= 0 V;
整流器的输出电压
V
OUT
= 5 V
0.45
31
21
.56
1000
1000
V
uA
uA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
基本特征
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
（注6 ）
正向跨导
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.2 A
VDS = 10 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
V
GS
= VDS ，我
D
= 250
mA
1.2
4
17
23
3.5
26
32
2.2
V
毫伏/°C的
mW
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
正向二极管电压（注6 ）
0.79
0.65
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
最大正向
电压（注7 ）
最大瞬时反转
当前
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
V
R
= 20 V
民
典型值
0.36
0.41
0.04
mA
最大
单位
V
7.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 100 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
电压（注8 ）
最大瞬时反转
当前
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
V
R
= 20 V
民
典型值
0.29
0.36
4
mA
最大
单位
V
8.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
9.对于详细的MOSFET和二极管的参数，请参考NTTFS4930N和MBR230LSFT1G的安森美半导体的数据表。
在每个单独的管芯的测试被限制为系统包。
http://onsemi.com
2
NMLU1210
图1.典型应用电路
GND1和GND2没有内部连接。用户应在PCB设计中的连接。
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3
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全桥整流器
双20 VN沟道的双3.2肖特基势垒二极管， 4.0×
4.0× 0.5毫米
mCool
包
特点
全桥整流块
高达3.2的操作
低R
DS （上
） MOSFET ，以减少传导损耗
低栅极电荷MOSFET
低VF肖特基二极管
超低电感套餐
该器件采用无卤素模塑料
这些无铅器件
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
23毫瓦@ 4.5 V
17毫瓦@ 10 V
I
D
最大
3.2 A
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
V
F
典型值
0.45 V
I
F
最大
3.2 A
应用
无线充电
AC- DC整流
优化的电源管理应用的便携式
产品，如移动电话， PMP， DSC ，GPS和其他
整流最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
2 MOSFET漏极之间的输入电压
桥工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
连续漏电流
R_JA （注1 ）
功耗
R_JA （注1 ）
连续漏电流
R_JA吨< 5秒（注1 ）
功耗
R_JA吨< 5秒（注1 ）
连续漏电流
R_JA （注2）
功耗
R_JA （注2）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
I
O
P
D
I
O
P
D
符号
V
LL
T
J
, T
英镑
T
L
I
O
价值
20
55
to
125
260
2.2
1.16
1.2
0.47
3.2
1.88
2.34
0.94
1.16
0.6
0.47
0.185
W
A
W
A
W
单位
V
°C
°C
整流器器
4.0 4.0 mm
mCool
引脚连接
（ TOP VIEW ）
标记图
UDFN
CASE 517BS
1210
AYWWG
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
为30毫米
2
， 2盎司铜。
NMLU1210TWG
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年12月，
第0版
1
A
1210
=具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（ *注：微球可在任一位置）
引脚连接
VOUT
L1_1
L1_1
L1_2
GND1
GND1
VOUT
VOUT
L1_2
GND2
GND2
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
包
UDFN
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
出版订单号：
NMLU1210/D
NMLU1210
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
82.5
42.5
209
单位
° C / W
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4板上用30毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
， 2盎司铜。
桥电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
基本特征
整流正向电压（注5 ）
整流器漏电流
整流器的反向漏电流
V
fd2
I
泄漏
I
RLEAK
输入电压V
LL
=
±5
V;
整流器我的输出电流
OUT
= 2 A
输入电压V
LL
= 16 V;
在整流器输出空载
输入电压V
LL
= 0 V;
整流器的输出电压
V
OUT
= 5 V
0.45
31
21
.56
1000
1000
V
uA
uA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
基本特征
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
（注6 ）
正向跨导
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.2 A
VDS = 10 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
V
GS
= VDS ，我
D
= 250
mA
1.2
4
17
23
3.5
26
32
2.2
V
毫伏/°C的
mW
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
正向二极管电压（注6 ）
0.79
0.65
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
最大正向
电压（注7 ）
最大瞬时反转
当前
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
V
R
= 20 V
民
典型值
0.36
0.41
0.04
mA
最大
单位
V
7.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 100 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
电压（注8 ）
最大瞬时反转
当前
符号
V
F
I
R
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
V
R
= 20 V
民
典型值
0.29
0.36
4
mA
最大
单位
V
8.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
9.对于详细的MOSFET和二极管的参数，请参考NTTFS4930N和MBR230LSFT1G的安森美半导体的数据表。
在每个单独的管芯的测试被限制为系统包。
http://onsemi.com
2
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图1.典型应用电路
GND1和GND2没有内部连接。用户应在PCB设计中的连接。
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QQ：2881677436 复制
