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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第406页 > NMF3000FCT1G
NMF3000 ， NMF3010
双级，差分
线ESD滤波器
保护
该NMF3000和NMF3010是一个双级，差分线路
输入信号转换成便携ESD和过滤保护方案
设备。该NMF3000是第一阶段和位于或非常接近
到接口到外部世界。它提供了高级别防静电
保护以及传入的音频信号的初始滤波。该
NMF3010是第二级，并提供额外的信号滤波。
该第二阶段可以放置一段距离，所述第一
现阶段允许跨距离的延长有效过滤。
A1
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记号
图表
A1
特点
双重滤波线2通道或差分传输
独立的电源地和模拟地的ESD保护
滤波电路
V
CC
第一阶段的输入引脚设置麦克风直流偏置
IEC 61000-4-2等级
±15
kV接触放电ESD保护上的投入，
V
CC
以及权力与模拟的理由
在所有其他引脚对引脚IEC 61000-4-2第1级ESD保护
组合
这些无铅器件*
9凸点倒装芯片
CASE 499AE
A1
6凸点倒装芯片
CASE 499AF
A
L
Y
W
A1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
V
CC
NMF3000FCT1G
NMF3010FCT1G
麦克风
来
音频
信号的
C
1st
舞台
C
2nd
舞台
音频
扩音器
图1.系统图
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第1版
出版订单号：
NMF3000/D
NMF
3000
ALYW
NIO
ALYW
NMF3000 ， NMF3010
功能方框图
V
CC
+15
kV
联系ESD
保护
保护地
低通滤波
IN
OUT
+15
kV
联系ESD
保护
IEC 1级
联系ESD
保护
保护地
+15
kV
联系ESD
保护
AGND
保护地
图2.第一阶段： NMF3000FCT1G
低通滤波
IN
OUT
+15
kV
联系ESD
保护
IEC 1级
联系ESD
保护
保护地
+15
kV
联系ESD
保护
AGND
保护地
图3.第二阶段： NMF3010FCT1G
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2
NMF3000 ， NMF3010
引脚和引脚说明
A1标记
1
2
3
A
OP
VCC
IP
IP
VCC
OP
B
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
C
ON
AGND
IN
IN
AGND
ON
顶视图
颠簸下来
底部视图
颠簸
图4.引脚图第一阶段： NMF3000FCT1G
引脚功能第一阶段
针
A1
A2
A3
B1, B2, B3
C1
C2
C3
TYPE
输出P
VCC
输入P
保护地
输出N
AGND
输入N
积极的一面信号输出
直流电源连接
积极的一面信号输入
电源地
负面信号输出
模拟地
负面信号输入
描述
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3
NMF3000 ， NMF3010
引脚和引脚说明
A1标记
1
2
3
A
OP
保护地
IP
IP
保护地
OP
B
ON
AGND
IN
IN
AGND
ON
顶视图
颠簸下来
底部视图
颠簸
图5.引脚图第二阶段： NMF3010FCT1G
引脚功能第二阶段
针
A1
A2
A3
B1
B2
B3
TYPE
输出P
保护地
输入P
输出N
AGND
输入N
积极的一面信号输出
电源地
积极的一面信号输入
负面信号输出
模拟地
负面信号输入
描述
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4
NMF3000 ， NMF3010
最大额定值
等级
工作环境温度范围
湿气敏感度
存储温度范围
电源电压
符号
T
A
MSL
T
英镑
V
CC
价值
-40到85
LEVEL 1
-55到150
0到11
°C
V
单位
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
电气特性
(V
CC
= 0 V至10 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，所有典型值测量温度为25 ° C）
参数
电源电压
衰减
衰减
B2B二极管的击穿电压
断态电压
漏电流
功耗
NMF3000FCT1G DC系列
阻力
NMF3010FCT1G DC系列
阻力
每行输入电容
每行偏置电阻
相声
噪音
失真
输入到第一级的输出
输入到第二级的输出
F = 1.0兆赫，对于每个阶段，当电容器
具有2.0 V在其两端。
只有第一阶段
50
W
源和负载
空闲信道或网络的自噪声
任何地方的带宽20 Hz到20 kHz
RI / O
RI / O
C
LINE
R
BIAS1
CT
997
950
900
950
25
6.0
0.01
1050
1000
1000
1000
V = VRM ，对于每个阶段
只有第一阶段
@ 800兆赫， 50
W
环境
@ 1.9 GHz的50
W
环境
IR = 1.0毫安，引脚与PGND ， AGND至PGND
B2B BV
VRM
IRM
条件
符号
V
CC
民
0
52
52
±
12
10
500
100
1103
1050
1100
1050
95
70
典型值
最大
10
单位
V
dB
dB
V
V
nA
mW
W
W
pF
W
dB
纳伏/赫兹÷
%
1.规格应用于设备作为一对，如图所示的系统图中，除非另有说明，作为“每个阶段' 。
ESD特性
针
NMF3000FCT1G ： A2 ， C2 ， A3 ， C3到PGND
NMF3010FCT1G ： B2 ， B3 ， A3至PGND
NMF3000FCT1G ： A2 ， C2 ， A3 ， C3到PGND
NMF3010FCT1G ： B2 ， B3 ， A3至PGND
NMF3000FCT1G ：所有引脚配对
NMF3010FCT1G ：所有引脚配对
NMF3000FCT1G ：所有引脚配对
NMF3010FCT1G ：所有引脚配对
水平
4+
IEC 61000-4-2
4
IEC 61000-4-2
1
IEC 61000-4-2
1
IEC 61000-4-2
TYPE
联系
空气
联系
空气
民
15
15
2.0
2.0
单位
kV
kV
kV
kV
元件匹配
部件
电阻器
电容器
描述
对称电阻器/电容器之间的相对变化量
在同一设备器
最大
2.0
2.0
单位
%
%
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5
查看更多NMF3000FCT1GPDF信息
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