NMC27C64 65536位（ 8192 ×8 ） CMOS EPROM
1999年1月
NMC27C64
65,536位（ 8192 ×8 ） CMOS EPROM
概述
该NMC27C64是一个64K的紫外线可擦除，可重复编程的电
和一次性可编程（ OTP ） CMOS EPROM非常适合
针对应用快速周转，模式试验
和低功耗是重要的要求。
该NMC27C64被设计成与+ 5V单电源工作
供应带
±10%
耐受性。该CMOS的设计允许部分
工作在扩展和军用温度范围。
该NMC27C64Q封装在一个28引脚双列直插式封装
具有石英窗。石英窗口允许用户
暴露出该芯片于紫外光擦除的位模式。新
图案可以被电写入到器件由以下
在编程过程。
该NMC27C64N封装在一个28引脚双列直插式塑料
模压封装没有一个透明的盖子。这部分是理想
适合于大批量的生产应用中，成本是一个
重要的因素和编程仅需要执行一次。
这个家庭的EPROM中均选用飞兆半导体专有的，
时间验证的CMOS双多晶硅栅极技术，
结合了高性能和高密度，低功耗
消费和出色的可靠性。
特点
s
高性能CMOS
- 150 ns访问时间
s
JEDEC标准的引脚配置
- 28引脚塑料DIP封装
- 28引脚封装CERDIP
s
简易替换为27C64或2764
s
厂商识别代码
框图
VCC
GND
VPP
数据输出O0 - O7
OE
PGM
CE
输出使能，
芯片使能，并
程序逻辑
产量
缓冲器
..
Y译码
A0 - A12
地址
输入
65,536-Bit
细胞矩阵
.......
X解码器
DS008634-1
1998仙童半导体公司
NMC27C64版本C
1
www.fairchildsemi.com
NMC27C64 65536位（ 8192 ×8 ） CMOS EPROM
接线图
27C512 27C256 27C128 27C32 27C16
27512
27256
27128 2732 2716
NMC27C64
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
27C16
2716
27C32 27C128
2732
27128
27C256
27256
27C512
27512
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
注意：
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
V
CC
PGM
V
CC
V
CC
NC
A8
A8
A8
A9
A9
A9
V
PP
A11
A11
OE OE / V
PP
OE
A10
A10
A10
CE CE / PGM CE
O7
O7
O7
O6
O6
O6
O5
O5
O5
O4
O4
O4
O3
O3
O3
V
CC
V
CC
V
CC
PGM
A14
A14
A13
A13
A13
A8
A8
A8
A9
A9
A9
A11
A11
A11
OE
OE
OE / V
PP
A10
A10
A10
CE
CE CE / PGM
O7
O7
O7
O6
O6
O6
O5
O5
O5
O4
O4
O4
O3
O3
O3
DS008634-2
插座兼容EPROM的管脚配置示于邻近NMC27C64销的块。
引脚名称
A0–A12
CE
OE
O
0
–O
7
PGM
NC
V
PP
V
CC
GND
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
无连接
程序设计
电压
电源
地
商业级温度范围
V
CC
= 5V
±10%
参数/订单号
NMC27C64Q ，N 150
NMC27C64Q ，N 200
访问时间（纳秒）
150
200
扩展级温度范围（ -40
°
C至+ 85
°
C)
V
CC
= 5V
±10%
参数/订单号
NMC27C64QE ， NE200
访问时间（纳秒）
200
2
NMC27C64版本C
www.fairchildsemi.com
NMC27C64 65536位（ 8192 ×8 ） CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
在偏置温度
储存温度
所有输入电压除A9
相对于地面（注10 ）
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.6V
功耗
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
（军用规格883C ，
方法3015.2 ）
1.0W
300°C
2000V
所有输出电压
相对于地面（注10 ）V
CC
+ 1.0V至GND -0.6V
V
PP
电源电压和
9
相对于地面
在编程过程中
V
CC
与电源电压
对于地面
工作条件
（注7 ）
温度范围
NMC27C64Q 150 ， 200
NMC27C64N 150 ， 200
NMC27C64QE 200
NMC27C64NE 200
V
CC
电源
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
+5V
±10%
+ 14.0V至-0.6V
+ 7.0V至-0.6V
读操作
DC电气特性
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
（注9 ）
I
CC2
（注9 ）
I
CCSB1
I
CCSB2
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
当前（活动）
TTL输入
V
CC
当前（活动）
CMOS输入
V
CC
电流（待机）
TTL输入
V
CC
电流（待机）
CMOS输入
VPP负载电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
条件
V
IN
= V
CC
或GND
V
OUT
= V
CC
或GND ，CE = V
IH
CE = V
IL
， F = 5兆赫
输入= V
IH
或V
IL
， I / O = 0毫安
CE = GND ， F = 5兆赫
输入= V
CC
或GND ， I / O = 0毫安
CE = V
IH
CE = V
CC
V
PP
= V
CC
民
典型值
最大
10
10
单位
A
A
mA
mA
mA
A
5
3
0.1
0.5
10
-0.1
2.0
20
10
1
100
A
0.8
V
CC
+1
0.45
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OL
= 0
A
I
OH
= 0
A
V
CC
- 0.1
2.4
0.1
V
V
AC电气特性
NMC27C64
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
CF
t
OH
参数
地址
输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE高到输出浮动
CE高到输出浮动
从输出保持
地址， CE或OE ，
以先发生
条件
民
CE = OE = V
IL
PGM = V
IH
OE = V
IL
， PGM = V
IH
CE = V
IL
， PGM = V
IH
CE = V
IL
， PGM = V
IH
OE = V
IL
， PGM = V
IH
CE = OE = V
IL
PGM = V
IH
0
0
0
150
最大
150
150
60
60
60
0
0
0
200, E200
民
最大
200
200
60
60
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
NMC27C64版本C
www.fairchildsemi.com
NMC27C64 65536位（ 8192 ×8 ） CMOS EPROM
电容
TA = + 25°C， F = 1兆赫（注2 ） NMC27C64Q
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
6
9
最大
8
12
单位
pF
pF
电容
TA = + 25°C， F = 1兆赫（注2 ） NMC27C64N
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
5
8
最大
10
10
单位
pF
pF
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
0.8V和2V
0.8V和2V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平
输入
输出
AC波形
（注6） （注9）
地址
2V
0.8V
地址有效
CE
2V
0.8V
t
CF
t
CE
t
OE
（注3）
（注4,5）
OE
2V
0.8V
t
DF
（注4,5）
有效的输出
产量
2V
0.8V
高阻
t
加
（注3）
高阻
t
OH
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE ，测得V
OH1
（ DC ） 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
4
NMC27C64版本C
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NMC27C64 65536位（ 8192 ×8 ） CMOS EPROM
编程特性
（注11 ） （注12 ） （注13 ） （注14 ）
符号
t
AS
t
OES
t
CES
t
DS
t
VPS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
CE建立时间
数据建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能到
输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
2
2
2
2
2
2
0
2
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
CE = V
IL
0
0.45
0.5
130
0.55
150
30
10
ns
ms
ns
mA
mA
C
V
V
ns
CE = V
IL
CE = V
IL
PGM = V
IL
20
5.75
12.2
5
25
6.0
13.0
30
6.25
13.3
0.0
2.4
0.8
0.8
4.0
1.5
1.5
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
5
NMC27C64版本C
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