NM93CS06 CS46 CS56 CS66 （ MICROWIRE总线接口）
256 1024 2048- 4096位串行EEPROM与数据保护和连续读
1994年8月
NM93CS06 CS46 CS56 CS66
（ MICROWIRE
TM
总线接口） 256- 1024 2048- 4096位
串行EEPROM数据保护和连续读
概述
该NM93CS06 CS46 CS56 CS66设备256
1024 2048 4096位分别的CMOS非易失
电可擦写存储器分成16 64 128
256个16位寄存器选择寄存器可以保护
对通过编程的稳压保护数据修改
存器与所述第一寄存器中的地址被保护
对数据修改（所有寄存器大于或等于
到所选择的地址，然后从进一步的保护
其他城市）此外该地址可以被'锁定'到
装置使所有未来试图改变数据impossi-
BLE这些设备正在使用国家Semicon-制造
导体浮栅CMOS工艺的高可靠性高
耐用性和低功耗的NM93CSXX
家庭是小空间consid-提供在SO封装
操作
该EEPROM接口是MICROWIRE兼容亲
人们提供简单的接口标准微控制器和
微处理器共有10个指令是5
这对EEPROM存储器5这能操作运行，
吃了对保护寄存器的内存指令
READ WRITE写所有的写使能和写
禁用保护寄存器指令PRREAD
PRWRITE PRENABLE PRCLEAR和PRDISABLE
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
写保护内存的用户定义的部分
连续的寄存器读
400典型工作电流
mA
和待机电流
25
mA
没有写入前擦除要求
可靠的CMOS浮栅技术
MICROWIRE兼容的串行I O
自定时写周期
在编程模式下的设备状态
40年数据保留
续航10
6
数据的变化
4 5V 5 5V工作在所有工作模式下
封装8引脚SO 8引脚DIP
框图
TL 10750 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
微丝
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 10750
RRD - B30M75印制在U S A
接线图
双列直插式封装（ N）
与8引脚SO （ M8 ）
CS
SK
DI
DO
GND
TL 10750- 2
引脚名称
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
项目启用
保护注册启用
电源
PE
PRE
V
CC
顶视图
NS包装数
N08E和M08A
订购信息
商用温度范围（ 0℃至
a
70 C)
订单号
NM93CS06N NM93CS46N NM93CS56N NM93CS66N
NM93CS06M8 NM93CS46M8 NM93CS56M8 NM93CS66M8
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C)
订单号
NM93CS06EN NM93CS46EN NM93CS56EN NM93CS66EN
NM93CS06EM8 NM93CS46EM8 NM93CS56EM8 NM93CS66EM8
军用温度范围（
b
55 ℃
a
125 C)
订单号
NM93CS06MN NM93CS46MN NM93CS56MN NM93CS66MN
NM93CS06MM8 NM93CS46MM8 NM93CS56MM8 NM93CS66MM8
2
直流和交流电气特性
V
CC
e
4 5V 5 5V除非另有说明（续）
符号
t
PEH
参数
PE保持时间
产品型号
NM93CS06–NM93CS66
NM93CS06E–NM93CS66E
NM93CS06M–NM93CS66M
条件
民
250
250
500
50
20
NM93CS06–NM93CS66
NM93CS06E–NM93CS66E
NM93CS06M–NM93CS66M
NM93CS06–NM93CS66
NM93CS06E–NM93CS66E
NM93CS06M–NM93CS66M
NM93CS06–NM93CS66
NM93CS06E–NM93CS66E
NM93CS06M–NM93CS66M
NM93CS06–NM93CS66
NM93CS06E–NM93CS66E
NM93CS06M–NM93CS66M
CS
e
V
IL
500
500
1000
500
500
1000
500
500
1000
100
100
200
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
t
PREH
t
DIH
t
PD1
PRE保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
t
PD0
输出延迟为'' 0 ''
ns
t
SV
CS为有效状态
ns
t
DF
CS做
三州
写周期时间
ns
ms
t
WP
电容
（注3）
T
A
e
25 C 2 F
e
1兆赫
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容
输入电容
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
注1
收视率的压力，超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个值仅为
该设备在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
CS （片选）必须被拉低（以V
IL
）在t的间隔
CS
为了重新开始前又所有内部设备寄存器（设备复位）
操作码的周期（这显示在操作码图在下面的页面）
注3
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试
注4
典型泄漏值在20 nA的范围
注5
最短允许SK时钟周期
e
1 f
SK
（如在F下显示
SK
参数）最大的SK时钟速度（最小的SK周期）被确定
在数据表在此期间SK既吨指出几个AC参数互动
圣公会
和T
SKL
限制必须遵守。因此它是不允许的设置
1 f
SK
e
t
圣公会（最低）
a
t
SKL （最低）
更短的SK周期操作
AC测试条件
V
CC
范围
4 5V
s
V
CC
s
5 5V
（ TTL电平）
V
IL
V
IH
输入电平
0 4V 2 4V
V
IL
V
IH
定时水平
1 0V 2 0V
输出负载1 TTL门（C
L
e
100 pF的）
V
OL
V
OH
定时水平
0 4V 2 4V
I
OL
I
OH
b
2 1毫安
0 4毫安
4
功能说明
该NM93CSxx EEPROM系列具有10个指令为DE-
下面划线的所有数据，在信号的时钟到单片机
副上的由低到高的SK过渡
读和顺序寄存器读（READ ）
READ指令输出的D0引脚的串行数据
经过READ指令接收指令和管理者
裙被解码后从SE-数据传输
lected存储器寄存器向一个16位串行输出的移位寄存器
虚拟位（逻辑0 ）之前的16位数据输出
字符串输出数据的变化是由低到高启动
SK时钟在过渡
连续的寄存器读
的操作的存储器自动循环的模式
以后每16个数据位一个寄存器的时钟根据
虚设位被抑制在该模式和连续
获得的数据串
写使能（ WEN ）
当V
CC
被施加到所述部分是'通电''在写入
禁用（ WDS ）的状态。因此所有的编程模式
前面必须有一个写使能（ WEN ）指令
一旦写使能指令被执行程序
保持启用状态，直到写禁止（ WDS ）指令
执行或V
CC
从该部分完全除去
写（ WRITE）
WRITE指令之后的数据是16位的
写入到指定的地址后数据的最后一位是
穿上了数据的引脚（DI） CS之前必须拉低
SK时钟的这个下降沿的下一个上升沿
CS启动自定时编程周期的PE引脚
必须
要高举在加载WRITE指令
但是装载写指令的PE引脚后BE-
来一个'不在乎'的D0引脚指示READY
该芯片如果CS的BUSY状态的T后拉高
CS
间隔D0
e
逻辑0表示编程仍在
D0进展
e
逻辑1指示在寄存器
在指令中指定的地址已写入
数据模式中指定的指令和所述部分是
准备执行下一条指令
写入所有（ WRALL ）
该WRALL指令是有效的，只有当保护雷吉斯
器已被清除通过执行PRCLEAR指令
该WRALL指令将同时编程所有稳压
与指令中所指定的数据模式存器一样
WRITE指令的PE引脚
必须
举行高，而
加载后，但加载WRALL指令
指令PE引脚变为'不在乎''正如
写模式DO引脚指示READY忙
该芯片如果CS的状态吨后拉高
CS
间隔
此功能被禁用，如果保护寄存器被使用
锁定了这部分内存
写禁止（ WDS ）
为了防止意外的数据扰乱写禁止
（ WDS ）指令禁止所有的编程模式和
应遵循的所有编程操作执行
READ指令是独立于文和WDS的
说明
记
对于所有保护寄存器操作如果PRE引脚
在V不举行
IH
所有的指令将被施加到
EEPROM阵列，而不是保护注册
保护寄存器读（ PRREAD ）
该PRREAD指令输出存储在所述地址
保护注册的DO引脚预销
必须
举行
高，而加载的指令序列继
PRREAD指令的6位或8位的地址中存储的
存储器保护寄存器传送到串行输出的移位
登记为READ模式下的虚位（逻辑0 ）预
割让6-或8位的地址串
保护寄存器使能（ PREN ）
的PREN指令用来使PRCLEAR
PRWRITE和PRDS模式PREN模式之前，
输入的一部分必须在写使能（ WEN）
这两种模式的售前及PE引脚
必须
举行高，而
加载所述指令序列
注意， PREN指令必
立即
先于
PRCLEAR PRWRITE或PRDS指令
保护寄存器清零（ PRCLEAR ）
该PRCLEAR指令清除存储在地址
保护注册，因此使
所有
该寄存器
WRITE和WRALL指令前和PE引脚
必须
要高举在加载指令序列howev-
呃加载PRCLEAR指令的售前及PE后
销成为''不在乎''请注意， PREN指令
必须
立即
先于PRCLEAR指令
请注意， PRCLEAR指令和
PRWRITE指令将两个程序的保护注册
全1然而PRCLEAR指令将允许
最后的寄存器进行编程，而PRWRITE
指令
e
全1将阻止最后一个寄存器
正被编程的另外的PRCLEAR指令
将允许使用的WRALL命令的其中
PRWRITE
e
全1将锁定批量编程OP-
CODE
保护寄存器写（ PRWRITE ）
该PRWRITE指令是用来写入保护
寄存器的第一个寄存器的地址被保护
后PRWRITE指令执行的所有内存稳压
存器，其地址大于或等于所述
在保护注册指定的地址被保护
即执行前的写操作注意事项
PRWRITE指令的保护寄存器必须先
通过执行PRCLEAR运作及其清零
PRE和PE引脚
必须
举行高，而加载在 -
加载PRWRITE指令后不过梁支
在PRE和PE引脚变为'不在乎'请注意，
PREN必须说明
立即
先于PRWRITE
指令
保护注册禁用（ PRDS ）
该PRDS指令是
一
只是时间的指令
这使得在保护注册不可改变的未来
因此，在指定的寄存器变
永久
防止数据变化的PRWRITE IN-
梁支的Pre和PE引脚
必须
举行高，而
加载指令加载PRDS指令后，
和灰PRE和PE引脚变为''不在乎''
注意， PREN指令必
立即
先于
PRDS指令
5
NM93C46 1024位串行EEPROM CMOS
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
2000年2月
NM93C46
1024位串行EEPROM CMOS
（ MICROWIRE 同步总线）
概述
NM93C46是组织了1024位CMOS非易失性EEPROM
为64× 16位的数组。该器件具有MICROWIRE接口
这与片选（ CS ）的4线串行总线，时钟（ SK ） ，数据
输入（DI）和数据输出（ DO）的信号。这个接口是相容
IBLE许多标准的微控制器和微处理器。
上有NM93C46关于各种实施7的说明
读，写，擦除和写使能/禁止操作。这
设备使用仙童半导体浮栅制造
CMOS工艺的高可靠性，高耐用性和低功耗
消费。
“ LZ ”和“L”版本NM93C46的提供非常低的待机电流
使得它们适用于低功率应用。该装置是
提供了两个SO和TSSOP封装的小空间consid-
操作。
特点
I
宽V
CC
2.7V - 5.5V
I
200μA的典型工作电流
10μA待机电流典型
1μA待机电流典型的（L ）
0.1μA待机电流典型（ LZ ）
I
写指令前无需擦除指令
I
自定时写周期
I
在编程周期设备状态
I
40年数据保留
I
续航能力：100万数据的变化
I
可用的软件包： 8引脚SO ， 8引脚DIP ， 8引脚TSSOP
工作原理图
CS
SK
DI
指令
注册
V
CC
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
地址
注册
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
EEPROM阵列
16
读/写安培
16
V
SS
数据输入/输出寄存器
16位
DO
数据输出缓冲区
2000仙童半导体国际
NM93C46英文内容
1
www.fairchildsemi.com
NM93C46 1024位串行EEPROM CMOS
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N）
8引脚SO （ M8 ）和8引脚TSSOP （ MT8 ）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
V
CC
NC
NC
GND
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
NC
GND
DO
DI
正常
7
引脚
6
5
ROTATED
引脚
7
6
5
顶视图
包装数
N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
NC
V
CC
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
无连接
电源
注意：
指定为"NC"引脚通常无粘结引脚。但是他们中的一些结合了特殊的测试目的。因此，如果一个信号被施加到这些引脚，护理
应当注意施加在这些引脚上的电压不超过在V
CC
施加到器件上。这将保证正确的操作。
订购信息
NM
93
C
XX
T
LZ
E
XXX
包
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
空白
T
密度
46
C
CS
接口
93
字母说明
8引脚DIP
8引脚SO
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V，
<1μA待机电流
普通引脚
旋转引脚
1024位
CMOS
数据保护和顺序
读
微丝
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
飞兆半导体记忆前缀
2
NM93C46英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C46 1024位串行EEPROM CMOS
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
工作条件
工作环境温度
NM93C46
NM93C46E
NM93C46V
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
+300°C
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
= 4.5V至5.5V ，除非另有规定编
符号
I
CCA
I
CCS
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟
CS为有效状态
CS在高阻DO
写周期时间
条件
CS = V
IH
， SK = 1.0 MHz的
CS = V
IL
V
IN
= 0V至V
CC
（注2 ）
民
最大
1
50
±-1
单位
mA
A
A
V
V
V
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-0.1
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OL
= 10
A
I
OH
= -10
A
（注3）
0 ° C至+ 70°C
-40°C至+ 125°C
250
300
250
50
（注4 ）
250
100
70
100
0
20
2.4
0.8
V
CC
+1
0.4
0.2
V
CC
- 0.2
1
500
500
CS = V
IL
100
10
ns
ns
ns
ms
3
NM93C46英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C46 1024位串行EEPROM CMOS
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
工作条件
工作环境温度
NM93C46L/LZ
NM93C46LE/LZE
NM93C46LV/LZV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V至5.5V
+300°C
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
= 2.7V至5.5V ，除非另有说明
符号
I
CCA
I
CCS
参数
工作电流
待机电流
L
LZ （ 2.7V至4.5V ）
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟
CS为有效状态
CS在高阻DO
写周期时间
条件
CS = V
IH
， SK = 1.0 MHz的
CS = V
IL
民
最大
1
10
1
单位
mA
A
A
A
V
V
千赫
s
s
s
s
s
ns
s
ns
s
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD
t
SV
t
DF
t
WP
V
IN
= 0V至V
CC
（注2 ）
-0.1
0.8V
CC
I
OL
= 10A
I
OH
= -10A
（注3）
0.9V
CC
0
1
1
0.2
（注4 ）
1
0.2
70
0.4
0
0.4
±1
0.15V
CC
V
CC
+1
0.1V
CC
250
2
1
CS = V
IL
0.4
15
s
s
s
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫（注5 ）
符号
C
OUT
C
IN
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损害
到设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
以上这些在规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
注2 ：
典型泄漏值在20nA范围。
TEST
输出电容
输入电容
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
注3 ：
最短允许SK时钟周期= 1 /女
SK
（如在F下显示
SK
参数）。最大
SK时钟速度（最小的SK周期）是由几个AC参数规定的相互作用所决定
在数据表中。在此期间SK ，既吨
圣公会
和T
SKL
限制必须遵守。因此，它是不
允许设置的1 / f
SK
= t
SKHminimum
+ t
SKLminimum
更短的SK周期操作。
注4 ：
CS （片选）必须被拉低（以V
IL
）在t的间隔
CS
为了复位所有内部
设备寄存器（设备复位）之前，开始另一个循环码。 （这是显示在操作码
图下页。 ）
AC测试条件
V
CC
范围
（扩展的电压电平）
注5 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
V
IL
/V
IH
输入电平
0.3V/1.8V
0.4V/2.4V
V
IL
/V
IH
定时水平
1.0V
1.0V/2.0V
V
OL
/V
OH
定时水平
0.8V/1.5V
0.4V/2.4V
I
OL
/I
OH
±10A
2.1mA/-0.4mA
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
（ TTL电平）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
输出负载： 1 TTL门（C
L
= 100 pF的）
4
NM93C46英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C46 1024位串行EEPROM CMOS
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
引脚说明
片选（ CS ）
这是一个积极的高输入引脚NM93C46 EEPROM （设备）
并且通过被控制装置的主机产生。高
该引脚上的电平选择器和一个低电平释放
装置。随着设备的所有串行通信只启用
当该引脚保持高电平。然而，这脚不能永久
绑高，因为该信号的上升沿，需要复位
内部状态机接受一个新的周期和一个下降沿到
启动后的写入周期内编程。在所有活动
SK ， DI和DO引脚被忽略，而CS保持低电平。
MICROWIRE接口
Microwire方式上的一个典型的通信是通过做
CS ， SK ， DI和DO信号。为了便于对各种操作
存储器阵列中，一组7指令对NM93C46实现。
每个指令的格式列在表1中。
指令
每7说明书是根据个人的指令解释
说明。
开始位
这是一个1位的字段，是发送到器件的第一个位
当微丝周期开始。该位为“1”的有效周期
开始。任何数量的前面的“ 0 ”就可以移入
设备时钟“1 ”之前。
串行时钟（ SK）
这是一个输入引脚连接到设备中，并且由主机产生该
被控制的设备。这是同步的时钟信号
一个主设备和所述设备之间的通信。所有输入信息
灰（DI）的装置被锁定在该时钟输入的上升沿，
而从装置的输出数据（DO）是从上升沿驱动
此时钟输入。这个引脚通过CS信号选通。
操作码
这是一个2比特字段，并应紧跟在起始位。
这两个比特（连同地址字段的2个MSB ）选择一
要执行的特定指令。
串行输入（ DI ）
这是一个输入引脚连接到设备中，并且由主机产生
正在控制的设备。主传输信息的输入
化（起始位，操作码位，数组的地址和数据）通过串行
该引脚到设备中。此输入的信息将被上
上升SCK边缘。这个引脚通过CS信号选通。
地址栏
这是一个6比特场，并应紧跟在操作码位。
在NM93C46 ，所有的6位中用于地址译码
读，写和擦除指令。在所有其他指令
系统蒸发散，最高位2位用于译码指令（连同
操作码位） 。
串行输出（ DO ）
这是从所述装置的输出端子和用于传送的输出
通过此引脚来控制主数据。输出数据是连续地
移出该引脚从SCK的上升沿。该引脚
仅在被选择的设备。
数据字段
这是一个16位字段，应该立即跟随地址
位。只有写入和WRALL指令需要这个领域。
D15 （ MSB ）的时钟第一和D0 （ LSB ）的时钟去年（均
在写入和读取） 。
表1.指令集
指令
读
文
写
WRALL
WDS
抹去
ERAL
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码字段
10
00
01
00
00
11
00
A5
1
A5
0
0
A5
1
地址栏
A4
1
A4
1
0
A4
0
A3
X
A3
X
X
A3
X
A2
X
A2
X
X
A2
X
A1
X
A1
X
X
A1
X
A0
X
A0
X
X
A0
X
数据字段
D15-D0
D15-D0
5
NM93C46英文内容
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