NM93C06LZ C46LZ C56LZ C66LZ 256 1024 2048- 4096位串行EEPROM具有零功耗
和扩展电压（ 7V 2 5 5V ） （ MICROWIRE总线接口）
1996年9月
NM93C06LZ C46LZ C56LZ C66LZ
256 1024 2048- 4096位串行EEPROM与零
电源和扩展电压（ 7V 2 5 5V ）
（ MICROWIRE
TM
总线接口）
概述
该NM93C06LZ C46LZ C56LZ C66LZ设备256
1024 2048 4096位分别的CMOS非易失
电可擦写存储器分成16 64 128 256
16位寄存器，他们使用的是国家制造的半自动
指挥的浮栅CMOS工艺的高可靠性
和低功耗，这些存储器装置是
在这两个SO和TSSOP封装为小型的可用空间
注意事项
该串行接口，能够这些EEPROM的是MI-
CROWIRE简单的接口标准MI-兼容
crocontrollers和微处理器有7个指令
控制这些设备的系统蒸发散阅读擦除写使能
擦除擦除所有写全写和擦除写禁止
准备忙碌状态可在DO引脚来指示
在完成一个编程周期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
小于1 0
mA
待机电流
2 7V - 5 5V的工作电压在所有模式
100典型工作电流
mA
直接写程序之前没有擦除
可靠的CMOS浮栅技术
MICROWIRE兼容的串行I O
自定时编程周期
在编程模式下的设备状态指示
40年数据保留
续航10
6
数据的变化
封装8引脚SO 8引脚DIP 8引脚TSSOP
框图
TL 11778 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
微丝
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1996年美国国家半导体公司
TL 11778
RRD - B30M96印制在U S A
HTTP
WWW国家COM
接线图
双列直插式封装（ N）
8引脚SO （ M8 ）和8引脚TSSOP （ MT8 ）
引脚名称
针
CS
SK
DI
DO
TL 11778-2
描述
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
顶视图
见NS包装数
N08E和M08A
GND
V
CC
订购信息
商业级温度范围（ 0℃至
a
70 C)
订单号
NM93C06LZN
NM93C56LZN
NM93C06LZM8
NM93C56LZM8
NM93C06LZMT8
NM93C56LZMT8
NM93C46LZN
NM93C66LZN
NM93C46LZM8
NM93C66LZM8
NM93C46LZMT8
NM93C66LZMT8
扩展温度范围（
b
40℃
a
85 C)
订单号
NM93C06LZEN
NM93C56LZEN
NM93C06LZEM8
NM93C56LZEM8
NM93C06LZEMT8
NM93C56LZEMT8
NM93C46LZEN
NM93C66LZEN
NM93C46LZEM8
NM93C66LZEM8
NM93C46LZEMT8
NM93C66LZEMT8
汽车级温度范围（
b
40℃
a
125 C)
订单号
NM93C06LZVN
NM93C56LZVN
NM93C06LZVM8
NM93C56LZVM8
NM93C06LZVMT8
NM93C56LZVMT8
NM93C46LZVN
NM93C66LZVN
NM93C46LZVM8
NM93C66LZVM8
NM93C46LZVMT8
NM93C66LZVMT8
HTTP
WWW国家COM
2
低电压（ 7V 2
s
4 5V ）规格
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
保存环境温度
所有输入或输出电压
相对于地面
引线温度（焊接10秒）
ESD额定值
b
65℃，以
a
150 C
工作条件
工作环境温度
NM93C06LZ 46LZ 56LZ 66LZ
0 ℃
a
70 C
NM93C06LZE 46LZE 56LZE 66LZE
b
40℃
a
85 C
NM93C06LZV 46LZV 56LZV 66LZV
b
40℃
a
125 C
2 7V至4 5V
电源（V
CC
）范围
V
CC
a
1
b
0 3V
a
300 C
2000V
直流和交流电气特性
符号
I
CC1
I
CC3
I
IL
I
OL
V
IL2
V
IH2
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
CMOS输入电平
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
输出延迟为'' 0 ''
CS为有效状态
CS做
三态
写周期时间
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
3
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
（注2 ）
（注2 ）
相对于CS
（注3）
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS
e
V
IL
V
CC
e
2 7V
产品型号
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
条件
CS
e
V
IH
SK
e
250千赫
CS
e
0V
V
IN
e
0V至V
CC
V
IN
e
0V至V
CC
2V
s
V
CC
s
4 5V
2V
s
V
CC
s
4 5V
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
mA
0 9 V
CC
0
0
1
1
1
1
50
50
1
1
02
02
70
04
04
0
04
2
2
2
2
1
1
04
04
15
250
250
民
最大
1
1
1
1
b
100
b
100
b
0 1
a
100
a
100
单位
mA
mA
nA
nA
V
V
V
V
千赫
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
0 15 V
CC
V
CC
a
1
02
0 8 V
CC
HTTP
WWW国家COM
标准电压（ 5V 4
s
V
CC
s
5 5V ）规格
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
保存环境温度
所有输入或输出电压
相对于地面
引线温度（焊接10秒）
ESD额定值
b
65℃，以
a
150 C
工作条件
工作环境温度
NM93C06LZ 46LZ 56LZ 66LZ
0 ℃
a
70 C
NM93C06LZE 46LZE 56LZE 66LZE
b
40℃
a
85 C
NM93C06LZV 46LZV 56LZV 66LZV
b
40℃
a
125 C
4 5V 5 5V
电源（V
CC
）范围
V
CC
a
1
b
0 3V
a
300 C
2000V
4 5V
s
V
CC
s
5 5V
条件
CS
e
V
IH
SK
e
1兆赫
SK
e
1兆赫
CS
e
V
IH
SK
e
1兆赫
CS
e
0V
V
IN
e
0V至V
CC
V
IN
e
0V至V
CC
b
2 5
b
10
b
2 5
b
10
b
0 1
直流和交流电气特性
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DH
参数
工作电流
CMOS输入电平
工作电流
TTL输入电平
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
产品型号
民
最大
2
2
3
3
50
50
25
10
25
10
08
V
CC
a
1
04
04
单位
mA
mA
mA
nA
nA
V
V
V
V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
2
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
I
OL
e
2 1毫安
I
OH
e
2 1毫安
I
OL
E B
400
mA
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
mA
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
（注3）
相对于SK
相对于SK
0 9 V
CC
0
0
250
300
250
250
250
250
50
50
70
24
02
V
V
1
1
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
HTTP
WWW国家COM
4
标准电压（ 5V 4
s
V
CC
s
5 5V ）规格
（续）
直流和交流电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10 ％，除非另有说明（续）
符号
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
参数
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
输出延迟为'' 0 ''
CS为有效状态
政务司司长TRI- STATE DO
写周期时间
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
产品型号
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
条件
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS
e
V
IL
民
100
200
0
20
500
500
500
500
500
500
100
100
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
AC测试条件
输出负载1 TTL门和C
L
e
100 pF的
V
CC
范围
4 5V
k
V
CC
k
5 5V
AC测试条件
输入脉冲电平
0 8V和2 0V
定时测量电平（V
IL
V
IH
)
0 9V和1个9V
定时测量电平（V
OL
V
OH
） 0 8V和2 0V
（ TTL负载条件
I
OL
e
2 1毫安我
OH
E B
0 4毫安）
输入脉冲电平
0 3V和0 8 V
CC
定时测量电平（V
IL
V
IH
)
0 4V和6V 1
定时测量电平（V
OL
V
OH
） 0 8V和1 6V
（ CMOS负载条件
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
毫安）
2 7V
k
V
CC
k
4 5V
电容
T
A
e
25 C
符号
C
OUT
C
IN
f
e
1兆赫
TEST
最大
5
5
单位
pF
pF
输出电容
输入电容
注1
应力超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
最小V
CC
要求所有的功能模式，保证在V全面运作
CC
t
2V除了大宗的编程操作码ERAL和WRAL
这些被视为测试模式的命令，并且只能保证V
CC
t
2 5V
注3
CS必须拉低了至少1吨
CS
连续的指令周期之间
5
HTTP
WWW国家COM
QQ：2881677436 复制
