NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
2000年2月
NM93C06
256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE 同步总线）
概述
NM93C06被组织成一个256位的CMOS非易失性EEPROM
16× 16位的数组。该器件具有MICROWIRE接口
这与片选（ CS ）的4线串行总线，时钟（ SK ） ，数据
输入（DI）和数据输出（ DO）的信号。这个接口是相容
IBLE许多标准的微控制器和微处理器。
上有NM93C06关于各种实施7的说明
读，写，擦除和写使能/禁止操作。这
设备使用仙童半导体浮栅制造
CMOS工艺的高可靠性，高耐用性和低功耗
消费。
“ LZ ”和“L”版本NM93C06的提供非常低的待机电流
使得它们适用于低功率应用。该装置是
提供了两个SO和TSSOP封装的小空间consid-
操作。
特点
I
宽V
CC
2.7V - 5.5V
I
200μA的典型工作电流
10μA待机电流典型
1μA待机电流典型的（L ）
0.1μA待机电流典型（ LZ ）
I
写指令前无需擦除指令
I
自定时写周期
I
在编程周期设备状态
I
40年数据保留
I
续航能力：100万数据的变化
I
可用的软件包： 8引脚SO ， 8引脚DIP ， 8引脚TSSOP
工作原理图
CS
SK
DI
指令
注册
V
CC
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
地址
注册
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
EEPROM阵列
16
读/写安培
16
V
SS
数据输入/输出寄存器
16位
DO
数据输出缓冲区
2000仙童半导体国际
NM93C06英文内容
1
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N）
8引脚SO （ M8 ）和8引脚TSSOP （ MT8 ）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NC
NC
GND
顶视图
包装数
N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
NC
V
CC
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
无连接
电源
注意：
指定为"NC"引脚通常无粘结引脚。但是他们中的一些结合了特殊的测试目的。因此，如果一个信号被施加到这些引脚，护理
应当注意施加在这些引脚上的电压不超过在V
CC
施加到器件上。这将保证正确的操作。
订购信息
NM
93
C
XX
LZ
E
XXX
包
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
06
C
CS
接口
93
字母说明
8引脚DIP
8引脚SO
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V，
<1μA待机电流
256位
CMOS
数据保护和顺序
读
微丝
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
密度
飞兆半导体记忆前缀
2
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
工作条件
工作环境温度
NM93C06
NM93C06E
NM93C06V
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
+300°C
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
= 4.5V至5.5V ，除非另有规定编
符号
I
CCA
I
CCS
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟
CS为有效状态
CS在高阻DO
写周期时间
条件
CS = V
IH
， SK = 1.0 MHz的
CS = V
IL
V
IN
= 0V至V
CC
（注2 ）
民
最大
1
50
±-1
单位
mA
A
A
V
V
V
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-0.1
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OL
= 10
A
I
OH
= -10
A
（注3）
0 ° C至+ 70°C
-40°C至+ 125°C
250
300
250
50
（注4 ）
250
100
70
100
0
20
2.4
0.8
V
CC
+1
0.4
0.2
V
CC
- 0.2
1
500
500
CS = V
IL
100
10
ns
ns
ns
ms
3
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
工作条件
工作环境温度
NM93C06L/LZ
NM93C06LE/LZE
NM93C06LV/LZV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V至5.5V
+300°C
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
= 2.7V至5.5V ，除非另有说明
符号
I
CCA
I
CCS
参数
工作电流
待机电流
L
LZ （ 2.7V至4.5V ）
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟
CS为有效状态
CS在高阻DO
写周期时间
条件
CS = V
IH
， SK = 1.0 MHz的
CS = V
IL
民
最大
1
10
1
单位
mA
A
A
A
V
V
千赫
s
s
s
s
s
ns
s
ns
s
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD
t
SV
t
DF
t
WP
V
IN
= 0V至V
CC
（注2 ）
-0.1
0.8V
CC
I
OL
= 10A
I
OH
= -10A
（注3）
0.9V
CC
0
1
1
0.2
（注4 ）
1
0.2
70
0.4
0
0.4
±1
0.15V
CC
V
CC
+1
0.1V
CC
250
2
1
CS = V
IL
0.4
15
s
s
s
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫（注5 ）
符号
C
OUT
C
IN
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损害
到设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
以上这些在规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
注2 ：
典型泄漏值在20nA范围。
TEST
输出电容
输入电容
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
注3 ：
最短允许SK时钟周期= 1 /女
SK
（如在F下显示
SK
参数）。最大
SK时钟速度（最小的SK周期）是由几个AC参数规定的相互作用所决定
在数据表中。在此期间SK ，既吨
圣公会
和T
SKL
限制必须遵守。因此，它是不
允许设置的1 / f
SK
= t
SKHminimum
+ t
SKLminimum
更短的SK周期操作。
注4 ：
CS （片选）必须被拉低（以V
IL
）在t的间隔
CS
为了复位所有内部
设备寄存器（设备复位）之前，开始另一个循环码。 （这是显示在操作码
图下页。 ）
AC测试条件
V
CC
范围
（扩展的电压电平）
注5 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
V
IL
/V
IH
输入电平
0.3V/1.8V
0.4V/2.4V
V
IL
/V
IH
定时水平
1.0V
1.0V/2.0V
V
OL
/V
OH
定时水平
0.8V/1.5V
0.4V/2.4V
I
OL
/I
OH
±10A
2.1mA/-0.4mA
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
（ TTL电平）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
输出负载： 1 TTL门（C
L
= 100 pF的）
4
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
引脚说明
片选（ CS ）
这是一个积极的高输入引脚NM93C06 EEPROM （设备）
并且通过被控制装置的主机产生。高
该引脚上的电平选择器和一个低电平释放
装置。随着设备的所有串行通信只启用
当该引脚保持高电平。然而，这脚不能永久
绑高，因为该信号的上升沿，需要复位
内部状态机接受一个新的周期和一个下降沿到
启动后的写入周期内编程。在所有活动
SK ， DI和DO引脚被忽略，而CS保持低电平。
MICROWIRE接口
Microwire方式上的一个典型的通信是通过做
CS ， SK ， DI和DO信号。为了便于对各种操作
存储器阵列中，一组7指令对NM93C06实现。
每个指令的格式列在表1中。
指令
每7说明书是根据个人的指令解释
说明。
开始位
这是一个1位的字段，是发送到器件的第一个位
当微丝周期开始。该位为“1”的有效周期
开始。任何数量的前面的“ 0 ”就可以移入
设备时钟“1 ”之前。
串行时钟（ SK）
这是一个输入引脚连接到设备中，并且由主机产生该
被控制的设备。这是同步的时钟信号
一个主设备和所述设备之间的通信。所有输入信息
灰（DI）的装置被锁定在该时钟输入的上升沿，
而从装置的输出数据（DO）是从上升沿驱动
此时钟输入。这个引脚通过CS信号选通。
操作码
这是一个2比特字段，并应紧跟在起始位。
这两个比特（连同地址字段的2个MSB ）选择一
要执行的特定指令。
串行输入（ DI ）
这是一个输入引脚连接到设备中，并且由主机产生
正在控制的设备。主传输信息的输入
化（起始位，操作码位，数组的地址和数据）通过串行
该引脚到设备中。此输入的信息将被上
上升SCK边缘。这个引脚通过CS信号选通。
地址栏
这是一个6比特场，并应紧跟在操作码位。
在NM93C06 ，仅LSB的位被用于地址译码
在读，写和擦除指令。在这些
三条指令（读，写和擦除）的MSB 2位
"don't care" （可以是0或1） .During所有其他指令中，MSB
2位用于译码指令（连同操作码位）。
串行输出（ DO ）
这是从所述装置的输出端子和用于传送的输出
通过此引脚来控制主数据。输出数据是连续地
移出该引脚从SCK的上升沿。该引脚
仅在被选择的设备。
数据字段
这是一个16位字段，应该立即跟随地址
位。只有写入和WRALL指令需要这个领域。
D15 （ MSB ）的时钟第一和D0 （ LSB ）的时钟去年（均
在写入和读取） 。
表1.指令集
指令
读
文
写
WRALL
WDS
抹去
ERAL
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码字段
10
00
01
00
00
11
00
0
1
0
0
0
0
1
地址栏
0
1
0
1
0
0
0
A3
X
A3
X
X
A3
X
A2
X
A2
X
X
A2
X
A1
X
A1
X
X
A1
X
A0
X
A0
X
X
A0
X
数据字段
D15-D0
D15-D0
5
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06LZ C46LZ C56LZ C66LZ 256 1024 2048- 4096位串行EEPROM具有零功耗
和扩展电压（ 7V 2 5 5V ） （ MICROWIRE总线接口）
1996年9月
NM93C06LZ C46LZ C56LZ C66LZ
256 1024 2048- 4096位串行EEPROM与零
电源和扩展电压（ 7V 2 5 5V ）
（ MICROWIRE
TM
总线接口）
概述
该NM93C06LZ C46LZ C56LZ C66LZ设备256
1024 2048 4096位分别的CMOS非易失
电可擦写存储器分成16 64 128 256
16位寄存器，他们使用的是国家制造的半自动
指挥的浮栅CMOS工艺的高可靠性
和低功耗，这些存储器装置是
在这两个SO和TSSOP封装为小型的可用空间
注意事项
该串行接口，能够这些EEPROM的是MI-
CROWIRE简单的接口标准MI-兼容
crocontrollers和微处理器有7个指令
控制这些设备的系统蒸发散阅读擦除写使能
擦除擦除所有写全写和擦除写禁止
准备忙碌状态可在DO引脚来指示
在完成一个编程周期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
小于1 0
mA
待机电流
2 7V - 5 5V的工作电压在所有模式
100典型工作电流
mA
直接写程序之前没有擦除
可靠的CMOS浮栅技术
MICROWIRE兼容的串行I O
自定时编程周期
在编程模式下的设备状态指示
40年数据保留
续航10
6
数据的变化
封装8引脚SO 8引脚DIP 8引脚TSSOP
框图
TL 11778 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
微丝
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1996年美国国家半导体公司
TL 11778
RRD - B30M96印制在U S A
HTTP
WWW国家COM
接线图
双列直插式封装（ N）
8引脚SO （ M8 ）和8引脚TSSOP （ MT8 ）
引脚名称
针
CS
SK
DI
DO
TL 11778-2
描述
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
顶视图
见NS包装数
N08E和M08A
GND
V
CC
订购信息
商业级温度范围（ 0℃至
a
70 C)
订单号
NM93C06LZN
NM93C56LZN
NM93C06LZM8
NM93C56LZM8
NM93C06LZMT8
NM93C56LZMT8
NM93C46LZN
NM93C66LZN
NM93C46LZM8
NM93C66LZM8
NM93C46LZMT8
NM93C66LZMT8
扩展温度范围（
b
40℃
a
85 C)
订单号
NM93C06LZEN
NM93C56LZEN
NM93C06LZEM8
NM93C56LZEM8
NM93C06LZEMT8
NM93C56LZEMT8
NM93C46LZEN
NM93C66LZEN
NM93C46LZEM8
NM93C66LZEM8
NM93C46LZEMT8
NM93C66LZEMT8
汽车级温度范围（
b
40℃
a
125 C)
订单号
NM93C06LZVN
NM93C56LZVN
NM93C06LZVM8
NM93C56LZVM8
NM93C06LZVMT8
NM93C56LZVMT8
NM93C46LZVN
NM93C66LZVN
NM93C46LZVM8
NM93C66LZVM8
NM93C46LZVMT8
NM93C66LZVMT8
HTTP
WWW国家COM
2
低电压（ 7V 2
s
4 5V ）规格
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
保存环境温度
所有输入或输出电压
相对于地面
引线温度（焊接10秒）
ESD额定值
b
65℃，以
a
150 C
工作条件
工作环境温度
NM93C06LZ 46LZ 56LZ 66LZ
0 ℃
a
70 C
NM93C06LZE 46LZE 56LZE 66LZE
b
40℃
a
85 C
NM93C06LZV 46LZV 56LZV 66LZV
b
40℃
a
125 C
2 7V至4 5V
电源（V
CC
）范围
V
CC
a
1
b
0 3V
a
300 C
2000V
直流和交流电气特性
符号
I
CC1
I
CC3
I
IL
I
OL
V
IL2
V
IH2
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
CMOS输入电平
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
输出延迟为'' 0 ''
CS为有效状态
CS做
三态
写周期时间
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
3
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
（注2 ）
（注2 ）
相对于CS
（注3）
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS
e
V
IL
V
CC
e
2 7V
产品型号
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
条件
CS
e
V
IH
SK
e
250千赫
CS
e
0V
V
IN
e
0V至V
CC
V
IN
e
0V至V
CC
2V
s
V
CC
s
4 5V
2V
s
V
CC
s
4 5V
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
mA
0 9 V
CC
0
0
1
1
1
1
50
50
1
1
02
02
70
04
04
0
04
2
2
2
2
1
1
04
04
15
250
250
民
最大
1
1
1
1
b
100
b
100
b
0 1
a
100
a
100
单位
mA
mA
nA
nA
V
V
V
V
千赫
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
0 15 V
CC
V
CC
a
1
02
0 8 V
CC
HTTP
WWW国家COM
标准电压（ 5V 4
s
V
CC
s
5 5V ）规格
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
保存环境温度
所有输入或输出电压
相对于地面
引线温度（焊接10秒）
ESD额定值
b
65℃，以
a
150 C
工作条件
工作环境温度
NM93C06LZ 46LZ 56LZ 66LZ
0 ℃
a
70 C
NM93C06LZE 46LZE 56LZE 66LZE
b
40℃
a
85 C
NM93C06LZV 46LZV 56LZV 66LZV
b
40℃
a
125 C
4 5V 5 5V
电源（V
CC
）范围
V
CC
a
1
b
0 3V
a
300 C
2000V
4 5V
s
V
CC
s
5 5V
条件
CS
e
V
IH
SK
e
1兆赫
SK
e
1兆赫
CS
e
V
IH
SK
e
1兆赫
CS
e
0V
V
IN
e
0V至V
CC
V
IN
e
0V至V
CC
b
2 5
b
10
b
2 5
b
10
b
0 1
直流和交流电气特性
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DH
参数
工作电流
CMOS输入电平
工作电流
TTL输入电平
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
产品型号
民
最大
2
2
3
3
50
50
25
10
25
10
08
V
CC
a
1
04
04
单位
mA
mA
mA
nA
nA
V
V
V
V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
2
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
I
OL
e
2 1毫安
I
OH
e
2 1毫安
I
OL
E B
400
mA
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
mA
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
（注3）
相对于SK
相对于SK
0 9 V
CC
0
0
250
300
250
250
250
250
50
50
70
24
02
V
V
1
1
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
HTTP
WWW国家COM
4
标准电压（ 5V 4
s
V
CC
s
5 5V ）规格
（续）
直流和交流电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10 ％，除非另有说明（续）
符号
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
参数
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
输出延迟为'' 0 ''
CS为有效状态
政务司司长TRI- STATE DO
写周期时间
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
产品型号
NM93C06 46 56 66LZ
NM93C06 46 56 66LZE V
条件
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试
AC测试
CS
e
V
IL
民
100
200
0
20
500
500
500
500
500
500
100
100
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
AC测试条件
输出负载1 TTL门和C
L
e
100 pF的
V
CC
范围
4 5V
k
V
CC
k
5 5V
AC测试条件
输入脉冲电平
0 8V和2 0V
定时测量电平（V
IL
V
IH
)
0 9V和1个9V
定时测量电平（V
OL
V
OH
） 0 8V和2 0V
（ TTL负载条件
I
OL
e
2 1毫安我
OH
E B
0 4毫安）
输入脉冲电平
0 3V和0 8 V
CC
定时测量电平（V
IL
V
IH
)
0 4V和6V 1
定时测量电平（V
OL
V
OH
） 0 8V和1 6V
（ CMOS负载条件
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
毫安）
2 7V
k
V
CC
k
4 5V
电容
T
A
e
25 C
符号
C
OUT
C
IN
f
e
1兆赫
TEST
最大
5
5
单位
pF
pF
输出电容
输入电容
注1
应力超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
最小V
CC
要求所有的功能模式，保证在V全面运作
CC
t
2V除了大宗的编程操作码ERAL和WRAL
这些被视为测试模式的命令，并且只能保证V
CC
t
2 5V
注3
CS必须拉低了至少1吨
CS
连续的指令周期之间
5
HTTP
WWW国家COM
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
2000年2月
NM93C06
256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE 同步总线）
概述
NM93C06被组织成一个256位的CMOS非易失性EEPROM
16× 16位的数组。该器件具有MICROWIRE接口
这与片选（ CS ）的4线串行总线，时钟（ SK ） ，数据
输入（DI）和数据输出（ DO）的信号。这个接口是相容
IBLE许多标准的微控制器和微处理器。
上有NM93C06关于各种实施7的说明
读，写，擦除和写使能/禁止操作。这
设备使用仙童半导体浮栅制造
CMOS工艺的高可靠性，高耐用性和低功耗
消费。
“ LZ ”和“L”版本NM93C06的提供非常低的待机电流
使得它们适用于低功率应用。该装置是
提供了两个SO和TSSOP封装的小空间consid-
操作。
特点
I
宽V
CC
2.7V - 5.5V
I
200μA的典型工作电流
10μA待机电流典型
1μA待机电流典型的（L ）
0.1μA待机电流典型（ LZ ）
I
写指令前无需擦除指令
I
自定时写周期
I
在编程周期设备状态
I
40年数据保留
I
续航能力：100万数据的变化
I
可用的软件包： 8引脚SO ， 8引脚DIP ， 8引脚TSSOP
工作原理图
CS
SK
DI
指令
注册
V
CC
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
地址
注册
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
EEPROM阵列
16
读/写安培
16
V
SS
数据输入/输出寄存器
16位
DO
数据输出缓冲区
2000仙童半导体国际
NM93C06英文内容
1
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N）
8引脚SO （ M8 ）和8引脚TSSOP （ MT8 ）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NC
NC
GND
顶视图
包装数
N08E ， M08A和MTC08
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
NC
V
CC
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
无连接
电源
注意：
指定为"NC"引脚通常无粘结引脚。但是他们中的一些结合了特殊的测试目的。因此，如果一个信号被施加到这些引脚，护理
应当注意施加在这些引脚上的电压不超过在V
CC
施加到器件上。这将保证正确的操作。
订购信息
NM
93
C
XX
LZ
E
XXX
包
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
06
C
CS
接口
93
字母说明
8引脚DIP
8引脚SO
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至5.5V
2.7V至5.5V，
<1μA待机电流
256位
CMOS
数据保护和顺序
读
微丝
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
密度
飞兆半导体记忆前缀
2
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
工作条件
工作环境温度
NM93C06
NM93C06E
NM93C06V
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
+300°C
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
= 4.5V至5.5V ，除非另有规定编
符号
I
CCA
I
CCS
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟
CS为有效状态
CS在高阻DO
写周期时间
条件
CS = V
IH
， SK = 1.0 MHz的
CS = V
IL
V
IN
= 0V至V
CC
（注2 ）
民
最大
1
50
±-1
单位
mA
A
A
V
V
V
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-0.1
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OL
= 10
A
I
OH
= -10
A
（注3）
0 ° C至+ 70°C
-40°C至+ 125°C
250
300
250
50
（注4 ）
250
100
70
100
0
20
2.4
0.8
V
CC
+1
0.4
0.2
V
CC
- 0.2
1
500
500
CS = V
IL
100
10
ns
ns
ns
ms
3
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
工作条件
工作环境温度
NM93C06L/LZ
NM93C06LE/LZE
NM93C06LV/LZV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V至5.5V
+300°C
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
= 2.7V至5.5V ，除非另有说明
符号
I
CCA
I
CCS
参数
工作电流
待机电流
L
LZ （ 2.7V至4.5V ）
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DO保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟
CS为有效状态
CS在高阻DO
写周期时间
条件
CS = V
IH
， SK = 1.0 MHz的
CS = V
IL
民
最大
1
10
1
单位
mA
A
A
A
V
V
千赫
s
s
s
s
s
ns
s
ns
s
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD
t
SV
t
DF
t
WP
V
IN
= 0V至V
CC
（注2 ）
-0.1
0.8V
CC
I
OL
= 10A
I
OH
= -10A
（注3）
0.9V
CC
0
1
1
0.2
（注4 ）
1
0.2
70
0.4
0
0.4
±1
0.15V
CC
V
CC
+1
0.1V
CC
250
2
1
CS = V
IL
0.4
15
s
s
s
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫（注5 ）
符号
C
OUT
C
IN
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损害
到设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
以上这些在规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
注2 ：
典型泄漏值在20nA范围。
TEST
输出电容
输入电容
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
注3 ：
最短允许SK时钟周期= 1 /女
SK
（如在F下显示
SK
参数）。最大
SK时钟速度（最小的SK周期）是由几个AC参数规定的相互作用所决定
在数据表中。在此期间SK ，既吨
圣公会
和T
SKL
限制必须遵守。因此，它是不
允许设置的1 / f
SK
= t
SKHminimum
+ t
SKLminimum
更短的SK周期操作。
注4 ：
CS （片选）必须被拉低（以V
IL
）在t的间隔
CS
为了复位所有内部
设备寄存器（设备复位）之前，开始另一个循环码。 （这是显示在操作码
图下页。 ）
AC测试条件
V
CC
范围
（扩展的电压电平）
注5 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
V
IL
/V
IH
输入电平
0.3V/1.8V
0.4V/2.4V
V
IL
/V
IH
定时水平
1.0V
1.0V/2.0V
V
OL
/V
OH
定时水平
0.8V/1.5V
0.4V/2.4V
I
OL
/I
OH
±10A
2.1mA/-0.4mA
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
（ TTL电平）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
输出负载： 1 TTL门（C
L
= 100 pF的）
4
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
NM93C06 256位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
引脚说明
片选（ CS ）
这是一个积极的高输入引脚NM93C06 EEPROM （设备）
并且通过被控制装置的主机产生。高
该引脚上的电平选择器和一个低电平释放
装置。随着设备的所有串行通信只启用
当该引脚保持高电平。然而，这脚不能永久
绑高，因为该信号的上升沿，需要复位
内部状态机接受一个新的周期和一个下降沿到
启动后的写入周期内编程。在所有活动
SK ， DI和DO引脚被忽略，而CS保持低电平。
MICROWIRE接口
Microwire方式上的一个典型的通信是通过做
CS ， SK ， DI和DO信号。为了便于对各种操作
存储器阵列中，一组7指令对NM93C06实现。
每个指令的格式列在表1中。
指令
每7说明书是根据个人的指令解释
说明。
开始位
这是一个1位的字段，是发送到器件的第一个位
当微丝周期开始。该位为“1”的有效周期
开始。任何数量的前面的“ 0 ”就可以移入
设备时钟“1 ”之前。
串行时钟（ SK）
这是一个输入引脚连接到设备中，并且由主机产生该
被控制的设备。这是同步的时钟信号
一个主设备和所述设备之间的通信。所有输入信息
灰（DI）的装置被锁定在该时钟输入的上升沿，
而从装置的输出数据（DO）是从上升沿驱动
此时钟输入。这个引脚通过CS信号选通。
操作码
这是一个2比特字段，并应紧跟在起始位。
这两个比特（连同地址字段的2个MSB ）选择一
要执行的特定指令。
串行输入（ DI ）
这是一个输入引脚连接到设备中，并且由主机产生
正在控制的设备。主传输信息的输入
化（起始位，操作码位，数组的地址和数据）通过串行
该引脚到设备中。此输入的信息将被上
上升SCK边缘。这个引脚通过CS信号选通。
地址栏
这是一个6比特场，并应紧跟在操作码位。
在NM93C06 ，仅LSB的位被用于地址译码
在读，写和擦除指令。在这些
三条指令（读，写和擦除）的MSB 2位
"don't care" （可以是0或1） .During所有其他指令中，MSB
2位用于译码指令（连同操作码位）。
串行输出（ DO ）
这是从所述装置的输出端子和用于传送的输出
通过此引脚来控制主数据。输出数据是连续地
移出该引脚从SCK的上升沿。该引脚
仅在被选择的设备。
数据字段
这是一个16位字段，应该立即跟随地址
位。只有写入和WRALL指令需要这个领域。
D15 （ MSB ）的时钟第一和D0 （ LSB ）的时钟去年（均
在写入和读取） 。
表1.指令集
指令
读
文
写
WRALL
WDS
抹去
ERAL
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码字段
10
00
01
00
00
11
00
0
1
0
0
0
0
1
地址栏
0
1
0
1
0
0
0
A3
X
A3
X
X
A3
X
A2
X
A2
X
X
A2
X
A1
X
A1
X
X
A1
X
A0
X
A0
X
X
A0
X
数据字段
D15-D0
D15-D0
5
NM93C06英文内容
www.fairchildsemi.com
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