NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
1999年3月
NM34W02
2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
设计与永久写保护的第一个128字节的串行设备
在内存模块检测应用程序（ PC100标准）
概述
该NM34W02是2048比特的CMOS非易失性电
可擦除存储器。这个装置是专门用来支持
串行存在检测电路中的内存模块。这个化合物
munications协议使用时钟（SCL ）和数据I / O （ SDA ）
行到主之间的时钟同步数据（为前
充足的微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
非易失性存储器中的内容允许CPU
确定模块的容量和电气特性中
它包含的存储器设备的istics 。这将使"plug和
play"能力作为模块被读出和PC的主存储器
资源通过存储器控制器使用。
第128字节的NM34W02的存储器的可
永久写通过写"WRITE PROTECT"保护
注册。写保护的实现细节描述
在标题为
解决WP注册。
此外，
像NM24Wxx产品系列，整个存储器阵列可以是
写保护，通过"WP"引脚。
该NM34W02可在一个JEDEC标准TSSOP封装
针对需要高效的系统低调的内存模块
空间利用如在笔记本计算机中。有两个选项
可用：L - 低电压和LZ - 低功耗，允许部分
在系统中的电池寿命是最重要的使用。
特点
s
PC100标准
s
扩展工作电压： 2.7V - 5.5V
s
软件写保护的第128个字节
s
硬件写保护对整个存储器阵列
s
200
A
典型工作电流
– 1.0
A
待机电流典型的（L ）
– 0.1
A
待机电流典型的（ LZ ）
s
IIC兼容接口
- 提供双向数据传输协议
s
十六个字节页写模式
- 最大限度地降低每字节写入时间总
s
自定时写周期
- 6ms的典型写周期时间
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚TSSOP封装和8引脚SO
s
温度范围：商业和扩展
框图
VCC
VSS
WP
启动循环
SDA
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
负载
A2
A1
A0
字
地址
计数器
INC。
16
XDEC
E2PROM
ARRAY
16 x 16 x 8
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
SCL
0/1/2/3
4
4
16
读/写
YDEC
器件地址位
写保护
注册
CK
DIN
8
DOUT
数据寄存器
DS500078-1
1999仙童半导体公司
NM34W02牧师C.2
1
www.fairchildsemi.com
NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
接线图
SO （ M8 ）和TSSOP （ MT8 ）套餐
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
VCC
WP
SCL
SDA
DS500078-2
NM34W02
7
6
5
顶视图
见包装数
M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
器件地址输入
地
数据I / O
时钟输入
写保护
电源
订购信息
NM
34
W
02
LZ
E
XX
包
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
信
M8
MT8
无
E
空白
L
LZ
02
W
接口
34
NM
描述
8引脚SO8
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
2K
全阵列写保护
IIC
仙童非易失性
内存
密度
2
NM34W02牧师C.2
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
产品规格
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
2000V分钟。
工作条件
工作环境温度
NM34W02
NM34W02E
正电源。
NM34W02
NM34W02L
NM34W02LZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V
标准的V
CC
（ 4.5V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
10
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
V
V
V
低V
CC
（ 2.7V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流对于L
待机电流为LZ
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
1
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
10
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
A
V
V
V
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 100/400千赫，V
CC
= 5V
（注2 ）
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型数值为T
A
= 25 ° C和标称电源电压（ 5V ） 。
注2 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
NM34W02牧师C.2
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
测试的交流条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
&输入输出时序水平
输出负载
V
CC
X 0.1 V
CC
x 0.9
10纳秒
V
CC
x 0.5
1 TTL门和C
L
= 100 pF的
读取和写入周期限制（标准和低V
CC
范围2.7V - 5.5V ）
符号
f
SCL
T
I
参数
SCL时钟频率
噪声抑制时间常数
SCL ， SDA输入（最小V
IN
脉冲宽度）
SCL低到SDA数据输出有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
写周期时间 - NM34W02
- NM34W02L ， NM34W02LZ
100千赫
民
最大
100
100
0.3
4.7
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
1
300
4.7
300
10
15
3.5
400千赫
民
最大
400
50
0.1
1.3
0.6
1.5
0.6
0.6
0
100
0.3
300
0.6
50
10
15
0.9
单位
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
ms
t
AA
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R
t
F
t
苏： STO
t
DH
t
WR
（注3）
注3 ：
写周期时间（t
WR
）是指一个写序列内部擦除/编程周期结束时的一个有效停止的时间。在写周期中，
NM34W02总线接口电路被禁用时， SDA被允许保持每总线级的上拉电阻高，并且该设备不给其从地址作出响应。
4
NM34W02牧师C.2
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
总线时序
tF
大腿
为tLOW
SCL
为tLOW
tR
SDA
SDA
OUT
背景信息（ IIC总线）
如所提到的， IIC总线允许同步双向的COM
使用SCL （时钟）发送器/接收器之间的通信
和SDA （数据I / O）线。所有的通信必须使用启动
一个有效的起始条件，包括一个停止条件，
用一个确认条件的接收确认
化。
另外，因为IIC总线被设计为支持其他设备
如RAM ， EPROM中，等等，设备类型标识字符串必须
按照起始条件。对于EEPROM的，这4位串
1010也可参考的
解决WP注册
部分。
如下图所示，尽管在IIC总线上的EEPROM的可
配置任何需要的方式，总内存寻址
不能超过16K （ 16,384位）的标准IIC 。 EEPROM
存储器地址的编程是通过2种方法来控制：
硬件配置的A0，A1和A2引脚（设备
地址引脚）上拉或下拉到V
CC
或V
SS
.
所有
未使用的引脚必须接地
（连接到V
SS
).
软件解决内所需的页块
设备存储器阵列（如从地址字符串发送） 。
寻址的EEPROM存储单元会发送一个
命令字符串包含以下信息：
[设备类型] - [设备地址] - [ PAGE BLOCK
地址] - [字节地址]
,,
TSU： STA
THD： STA
IN
THD： DAT
TSU： DAT
TSU： STO
TBUF
TDH
TAA
DS500078-5
释义
字节
页面
8位数据
16顺序地址（一个字节
每个），其可以被编程
在一个“页写”节目
周期
2048 （ 2K ）位分成16
可寻址存储器页。 （ 8
位）×（ 16个字节）× （16页） = 2048
位
任何IIC设备控制
数据（如带微处理器的转移
处理器）
被控制的设备（ EEPROM的
始终被视为奴隶）
目前，设备上发送数据
公交车（可以是硕士或
从站）。
目前，设备上接收数据
公交车（主或从）
页块
主
SLAVE
发射机
接收器
记忆的16K 2 - Wire总线的例子
VCC
VCC
SDA
SCL
VCC
VCC
VCC
VCC
NM34C02L
A0 A1 A2 VSS
NM24C02
A0 A1 A2 VSS
NM24C04
A0 A1 A2 VSS
NM24C08
A0 A1 A2 VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
DS500078-6
注意：
在SDA上拉电阻需要由于IIC总线器件的漏极开路/集电极开路输出。
在SCL上拉电阻被推荐的，因为正常的SCL线不活跃“高”状态。
所以建议总线电容小于400pF的。
特定定时和寻址的考虑中更详细在下面的章节中描述。
5
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
1999年3月
NM34W02
2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
设计与永久写保护的第一个128字节的串行设备
在内存模块检测应用程序（ PC100标准）
概述
该NM34W02是2048比特的CMOS非易失性电
可擦除存储器。这个装置是专门用来支持
串行存在检测电路中的内存模块。这个化合物
munications协议使用时钟（SCL ）和数据I / O （ SDA ）
行到主之间的时钟同步数据（为前
充足的微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
非易失性存储器中的内容允许CPU
确定模块的容量和电气特性中
它包含的存储器设备的istics 。这将使"plug和
play"能力作为模块被读出和PC的主存储器
资源通过存储器控制器使用。
第128字节的NM34W02的存储器的可
永久写通过写"WRITE PROTECT"保护
注册。写保护的实现细节描述
在标题为
解决WP注册。
此外，
像NM24Wxx产品系列，整个存储器阵列可以是
写保护，通过"WP"引脚。
该NM34W02可在一个JEDEC标准TSSOP封装
针对需要高效的系统低调的内存模块
空间利用如在笔记本计算机中。有两个选项
可用：L - 低电压和LZ - 低功耗，允许部分
在系统中的电池寿命是最重要的使用。
特点
s
PC100标准
s
扩展工作电压： 2.7V - 5.5V
s
软件写保护的第128个字节
s
硬件写保护对整个存储器阵列
s
200
A
典型工作电流
– 1.0
A
待机电流典型的（L ）
– 0.1
A
待机电流典型的（ LZ ）
s
IIC兼容接口
- 提供双向数据传输协议
s
十六个字节页写模式
- 最大限度地降低每字节写入时间总
s
自定时写周期
- 6ms的典型写周期时间
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚TSSOP封装和8引脚SO
s
温度范围：商业和扩展
框图
VCC
VSS
WP
启动循环
SDA
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
负载
A2
A1
A0
字
地址
计数器
INC。
16
XDEC
E2PROM
ARRAY
16 x 16 x 8
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
SCL
0/1/2/3
4
4
16
读/写
YDEC
器件地址位
写保护
注册
CK
DIN
8
DOUT
数据寄存器
DS500078-1
1999仙童半导体公司
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
1
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NM34W02牧师C.2
NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
接线图
SO （ M8 ）和TSSOP （ MT8 ）套餐
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
VCC
WP
SCL
SDA
DS500078-2
NM34W02
7
6
5
顶视图
见包装数
M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
器件地址输入
地
数据I / O
时钟输入
写保护
电源
订购信息
NM
34
W
02
LZ
E
XX
包
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
信
M8
MT8
无
E
空白
L
LZ
02
W
接口
34
NM
描述
8引脚SO8
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
2K
全阵列写保护
IIC
仙童非易失性
内存
密度
2
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NM34W02牧师C.2
NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
产品规格
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
2000V分钟。
工作条件
工作环境温度
NM34W02
NM34W02E
正电源。
NM34W02
NM34W02L
NM34W02LZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V
标准的V
CC
（ 4.5V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
10
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
V
V
V
低V
CC
（ 2.7V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流对于L
待机电流为LZ
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
1
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
10
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
A
V
V
V
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 100/400千赫，V
CC
= 5V
（注2 ）
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型数值为T
A
= 25 ° C和标称电源电压（ 5V ） 。
注2 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
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NM34W02牧师C.2
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与全阵列写保护
测试的交流条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
&输入输出时序水平
输出负载
V
CC
X 0.1 V
CC
x 0.9
10纳秒
V
CC
x 0.5
1 TTL门和C
L
= 100 pF的
读取和写入周期限制（标准和低V
CC
范围2.7V - 5.5V ）
符号
f
SCL
T
I
参数
SCL时钟频率
噪声抑制时间常数
SCL ， SDA输入（最小V
IN
脉冲宽度）
SCL低到SDA数据输出有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
写周期时间 - NM34W02
- NM34W02L ， NM34W02LZ
100千赫
民
最大
100
100
0.3
4.7
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
1
300
4.7
300
10
15
3.5
400千赫
民
最大
400
50
0.1
1.3
0.6
1.5
0.6
0.6
0
100
0.3
300
0.6
50
10
15
0.9
单位
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
ms
t
AA
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R
t
F
t
苏： STO
t
DH
t
WR
（注3）
注3 ：
写周期时间（t
WR
）是指一个写序列内部擦除/编程周期结束时的一个有效停止的时间。在写周期中，
NM34W02总线接口电路被禁用时， SDA被允许保持每总线级的上拉电阻高，并且该设备不给其从地址作出响应。
4
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
总线时序
tF
大腿
为tLOW
SCL
为tLOW
tR
SDA
SDA
OUT
背景信息（ IIC总线）
如所提到的， IIC总线允许同步双向的COM
使用SCL （时钟）发送器/接收器之间的通信
和SDA （数据I / O）线。所有的通信必须使用启动
一个有效的起始条件，包括一个停止条件，
用一个确认条件的接收确认
化。
另外，因为IIC总线被设计为支持其他设备
如RAM ， EPROM中，等等，设备类型标识字符串必须
按照起始条件。对于EEPROM的，这4位串
1010也可参考的
解决WP注册
部分。
如下图所示，尽管在IIC总线上的EEPROM的可
配置任何需要的方式，总内存寻址
不能超过16K （ 16,384位）的标准IIC 。 EEPROM
存储器地址的编程是通过2种方法来控制：
硬件配置的A0，A1和A2引脚（设备
地址引脚）上拉或下拉到V
CC
或V
SS
.
所有
未使用的引脚必须接地
（连接到V
SS
).
软件解决内所需的页块
设备存储器阵列（如从地址字符串发送） 。
寻址的EEPROM存储单元会发送一个
命令字符串包含以下信息：
[设备类型] - [设备地址] - [ PAGE BLOCK
地址] - [字节地址]
,,
TSU： STA
THD： STA
IN
THD： DAT
TSU： DAT
TSU： STO
TBUF
TDH
TAA
DS500078-5
释义
字节
页面
8位数据
16顺序地址（一个字节
每个），其可以被编程
在一个“页写”节目
周期
2048 （ 2K ）位分成16
可寻址存储器页。 （ 8
位）×（ 16个字节）× （16页） = 2048
位
任何IIC设备控制
数据（如带微处理器的转移
处理器）
被控制的设备（ EEPROM的
始终被视为奴隶）
目前，设备上发送数据
公交车（可以是硕士或
从站）。
目前，设备上接收数据
公交车（主或从）
页块
主
SLAVE
发射机
接收器
记忆的16K 2 - Wire总线的例子
VCC
VCC
SDA
SCL
VCC
VCC
VCC
VCC
NM34C02L
A0 A1 A2 VSS
NM24C02
A0 A1 A2 VSS
NM24C04
A0 A1 A2 VSS
NM24C08
A0 A1 A2 VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
DS500078-6
注意：
在SDA上拉电阻需要由于IIC总线器件的漏极开路/集电极开路输出。
在SCL上拉电阻被推荐的，因为正常的SCL线不活跃“高”状态。
所以建议总线电容小于400pF的。
特定定时和寻址的考虑中更详细在下面的章节中描述。
5
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NM34W02牧师C.2
NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
1999年3月
NM34W02
2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
设计与永久写保护的第一个128字节的串行设备
在内存模块检测应用程序（ PC100标准）
概述
该NM34W02是2048比特的CMOS非易失性电
可擦除存储器。这个装置是专门用来支持
串行存在检测电路中的内存模块。这个化合物
munications协议使用时钟（SCL ）和数据I / O （ SDA ）
行到主之间的时钟同步数据（为前
充足的微处理器）和从EEPROM器件（多个） 。
非易失性存储器中的内容允许CPU
确定模块的容量和电气特性中
它包含的存储器设备的istics 。这将使"plug和
play"能力作为模块被读出和PC的主存储器
资源通过存储器控制器使用。
第128字节的NM34W02的存储器的可
永久写通过写"WRITE PROTECT"保护
注册。写保护的实现细节描述
在标题为
解决WP注册。
此外，
像NM24Wxx产品系列，整个存储器阵列可以是
写保护，通过"WP"引脚。
该NM34W02可在一个JEDEC标准TSSOP封装
针对需要高效的系统低调的内存模块
空间利用如在笔记本计算机中。有两个选项
可用：L - 低电压和LZ - 低功耗，允许部分
在系统中的电池寿命是最重要的使用。
特点
s
PC100标准
s
扩展工作电压： 2.7V - 5.5V
s
软件写保护的第128个字节
s
硬件写保护对整个存储器阵列
s
200
A
典型工作电流
– 1.0
A
待机电流典型的（L ）
– 0.1
A
待机电流典型的（ LZ ）
s
IIC兼容接口
- 提供双向数据传输协议
s
十六个字节页写模式
- 最大限度地降低每字节写入时间总
s
自定时写周期
- 6ms的典型写周期时间
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚TSSOP封装和8引脚SO
s
温度范围：商业和扩展
框图
VCC
VSS
WP
启动循环
SDA
开始
停止
逻辑
控制
逻辑
从机地址
寄存器&
比较
负载
A2
A1
A0
字
地址
计数器
INC。
16
XDEC
E2PROM
ARRAY
16 x 16 x 8
H.V. GENERATION
时序&CONTROL
SCL
0/1/2/3
4
4
16
读/写
YDEC
器件地址位
写保护
注册
CK
DIN
8
DOUT
数据寄存器
DS500078-1
1999仙童半导体公司
NM34W02牧师C.2
1
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
接线图
SO （ M8 ）和TSSOP （ MT8 ）套餐
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
VCC
WP
SCL
SDA
DS500078-2
NM34W02
7
6
5
顶视图
见包装数
M08A和MTC08
引脚名称
A0,A1,A2
V
SS
SDA
SCL
WP
V
CC
器件地址输入
地
数据I / O
时钟输入
写保护
电源
订购信息
NM
34
W
02
LZ
E
XX
包
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
信
M8
MT8
无
E
空白
L
LZ
02
W
接口
34
NM
描述
8引脚SO8
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
2K
全阵列写保护
IIC
仙童非易失性
内存
密度
2
NM34W02牧师C.2
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
产品规格
绝对最大额定值
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
6.5V至-0.3V
+300°C
2000V分钟。
工作条件
工作环境温度
NM34W02
NM34W02E
正电源。
NM34W02
NM34W02L
NM34W02LZ
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V
标准的V
CC
（ 4.5V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
10
0.1
0.1
单位
最大
1.0
50
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
V
V
V
低V
CC
（ 2.7V至5.5V ）直流电气特性
符号
参数
测试条件
民
I
CCA
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
有源电源电流
待机电流对于L
待机电流为LZ
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
–0.3
V
CC
x 0.7
范围
典型值
（注1 ）
0.2
1
0.1
0.1
0.1
单位
最大
1.0
10
1
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
A
A
A
A
V
V
V
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 100/400千赫，V
CC
= 5V
（注2 ）
符号
C
I / O
C
IN
TEST
输入/输出电容（ SDA ）
输入电容（ A0，A1 ，A2 ，SCL）
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
8
6
单位
pF
pF
注1 ：
典型数值为T
A
= 25 ° C和标称电源电压（ 5V ） 。
注2 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
NM34W02牧师C.2
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
测试的交流条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
&输入输出时序水平
输出负载
V
CC
X 0.1 V
CC
x 0.9
10纳秒
V
CC
x 0.5
1 TTL门和C
L
= 100 pF的
读取和写入周期限制（标准和低V
CC
范围2.7V - 5.5V ）
符号
f
SCL
T
I
参数
SCL时钟频率
噪声抑制时间常数
SCL ， SDA输入（最小V
IN
脉冲宽度）
SCL低到SDA数据输出有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
START条件保持时间
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
（对于重复启动条件）
数据保持时间
数据建立时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
停止条件的建立时间
数据输出保持时间
写周期时间 - NM34W02
- NM34W02L ， NM34W02LZ
100千赫
民
最大
100
100
0.3
4.7
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
1
300
4.7
300
10
15
3.5
400千赫
民
最大
400
50
0.1
1.3
0.6
1.5
0.6
0.6
0
100
0.3
300
0.6
50
10
15
0.9
单位
千赫
ns
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
ns
s
ns
ms
t
AA
t
BUF
t
高清： STA
t
低
t
高
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
R
t
F
t
苏： STO
t
DH
t
WR
（注3）
注3 ：
写周期时间（t
WR
）是指一个写序列内部擦除/编程周期结束时的一个有效停止的时间。在写周期中，
NM34W02总线接口电路被禁用时， SDA被允许保持每总线级的上拉电阻高，并且该设备不给其从地址作出响应。
4
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NM34W02 2K位标准2线总线接口的串行EEPROM
与全阵列写保护
总线时序
tF
大腿
为tLOW
SCL
为tLOW
tR
SDA
SDA
OUT
背景信息（ IIC总线）
如所提到的， IIC总线允许同步双向的COM
使用SCL （时钟）发送器/接收器之间的通信
和SDA （数据I / O）线。所有的通信必须使用启动
一个有效的起始条件，包括一个停止条件，
用一个确认条件的接收确认
化。
另外，因为IIC总线被设计为支持其他设备
如RAM ， EPROM中，等等，设备类型标识字符串必须
按照起始条件。对于EEPROM的，这4位串
1010也可参考的
解决WP注册
部分。
如下图所示，尽管在IIC总线上的EEPROM的可
配置任何需要的方式，总内存寻址
不能超过16K （ 16,384位）的标准IIC 。 EEPROM
存储器地址的编程是通过2种方法来控制：
硬件配置的A0，A1和A2引脚（设备
地址引脚）上拉或下拉到V
CC
或V
SS
.
所有
未使用的引脚必须接地
（连接到V
SS
).
软件解决内所需的页块
设备存储器阵列（如从地址字符串发送） 。
寻址的EEPROM存储单元会发送一个
命令字符串包含以下信息：
[设备类型] - [设备地址] - [ PAGE BLOCK
地址] - [字节地址]
,,
TSU： STA
THD： STA
IN
THD： DAT
TSU： DAT
TSU： STO
TBUF
TDH
TAA
DS500078-5
释义
字节
页面
8位数据
16顺序地址（一个字节
每个），其可以被编程
在一个“页写”节目
周期
2048 （ 2K ）位分成16
可寻址存储器页。 （ 8
位）×（ 16个字节）× （16页） = 2048
位
任何IIC设备控制
数据（如带微处理器的转移
处理器）
被控制的设备（ EEPROM的
始终被视为奴隶）
目前，设备上发送数据
公交车（可以是硕士或
从站）。
目前，设备上接收数据
公交车（主或从）
页块
主
SLAVE
发射机
接收器
记忆的16K 2 - Wire总线的例子
VCC
VCC
SDA
SCL
VCC
VCC
VCC
VCC
NM34C02L
A0 A1 A2 VSS
NM24C02
A0 A1 A2 VSS
NM24C04
A0 A1 A2 VSS
NM24C08
A0 A1 A2 VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
到VCC或VSS
DS500078-6
注意：
在SDA上拉电阻需要由于IIC总线器件的漏极开路/集电极开路输出。
在SCL上拉电阻被推荐的，因为正常的SCL线不活跃“高”状态。
所以建议总线电容小于400pF的。
特定定时和寻址的考虑中更详细在下面的章节中描述。
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