NM29N16 16兆位（ 2M ×8位）的CMOS NAND FLASH ê
2
舞会
1996年2月
NM29N16
16兆位（ 2M ×8位）的CMOS NAND FLASH ê
2
舞会
概述
该NM29N16是16兆位（ 2兆字节） NAND闪存
设备被组织成512块，每个块consist-阵列
16页ING每个页面都包含264个字节所有的COM
命令和数据通过8 IO引脚发送阅读
数据的页面首先被转出该阵列，以一个片
缓冲区发送连续的读取脉冲（ RE低）读出
数据的连续字节的擦除操作是implement-
海关在一个单块（ 4字节）或在多个块
同时编程设备需要发送
地址和数据信息给车载缓冲器和
然后发出命令的程序典型节目时间
为264个字节是400
ms
所有的擦除和编程操作
在内部定时
该NM29N16集成了许多功能，使
它适用于需要高密度stor-便携式应用
年龄这些功能包括单5V操作的高读取
擦写次数（ 250K周期）和低电流操作
（ 15毫安在读）该器件采用TSOP II型
包符合PCMCIA卡的要求
该NM29N16适合于许多应用，如
固态硬盘（ SSD）录音和图片Stor-
年龄为数码相机
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
单5V
g
10 ％的电力供应
写了25万次的目标擦除耐力
1 000 000次
快速擦除编程时间
400平均计划时间
ms
264个字节
6毫秒典型的块擦除时间
组织成512块，每个块包括16页
264个字节
在264个字节的页面阅读计划
擦除的4字节块
高性能的读取访问时间
最初的25
ms
页面转移
连续80 ns访问
低工作电流（典型值）
15毫安的典型读取电流
40 mA典型电流编程
20 mA典型擦除电流
待机电流小于100
mA
（ CMOS）的
命令寄存器的控制模式
读
RESET
自动页编程
暂停简历
自动块擦除
状态读
400万TSOP II型封装
JEDEC标准引脚
框图
TL 11915 - 1
C
1996年美国国家半导体公司
TL 11915
RRD - B30M56印制在U S A
引脚连接
（ TOP VIEW ）
NM29N16S
NM29N16R
I O
I –8
CE
WE
RE
CLE
ALE
WP
R B
V
CC
V
SS
引脚分配
我O端口
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
写保护
准备好忙
电源地
TL 11915- 2
TL 11915 - 3
TL 11915 - 85
有效块数
(1)
符号
N
VB
参数
民
有效的块数
502
NM29N16
典型值
508
最大
512
块
单位
注1
该NM29N16S R可以包括不可使用块参照的通知（17）朝向该文档的结尾
电容
符号
C
IN
C
OUT
(T
A
E A
25 C 2 F
e
1兆赫）
参数
输入
产量
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
民
TYPE
5
5
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是100％测试
HTTP
WWW国家COM
2
AC电气特性
(T
A
e
0 ℃
a
70 C
建立时间
保持时间
t
t
4t
T
a
a
WP
a
XX
a
20纳秒
40纳秒
40纳秒
20纳秒
V
CC
e
5V
g
10 ％ ）（续）
注1
在这情况下， ALE CLE CE输入时钟吨
WC
超过80纳秒过渡时间t
T
s
5纳秒
TL 11915 - 5
注2
CE高到准备时间取决于上拉电阻连接到RB引脚（参见通知（ 10 ）对本文档的末尾）
注3
在CE中变为高电平，在读模式（1）或（2）的CE高时访问的最后地址（ 263 ）后，必须保持等于或大于所述壳体
300纳秒时的CE对RE的延迟时间为0到200毫微秒，如下所示
在第二种情况下，设备不能变成一个'忙''状态时， CE的延迟时间小于30纳秒
TL 11915 - 6
编程和擦除特性
(T
A
e
0 ℃
a
70 C
符号
t
PROG
N
t
BERASE
t
MBERASE
t
SR
N
宽E
参数
平均编程时间
在同一页分成数
块擦除时间
多块擦除时间
暂停输入就绪
号码写擦除周期
6
6 – 12
6
6– 12
民
典型值
300 – 1000
最大
V
CC
e
5V
g
10%)
单位
ms
周期
ms
ms
ms
周期
(2)
(1)
笔记
5000
10
100
130
15
2 5 x 10
5
注1
参阅通知（16）朝向该文档的结尾
注2
t
MBERASE
取决于块的数目要被擦除（分钟6毫秒
a
15
ms
X擦除块号）
5
HTTP
WWW国家COM
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