NM27LV010 1,048,576位（ 128K ×8 ）低电压EPROM
1998年7月
NM27LV010
1,048,576位（ 128K ×8 ）低电压EPROM
概述
该NM27LV010是一款高性能低电压电
可编程只读存储器。它是利用制造
飞兆半导体的AMG EPROM技术。该技术允许
的部分，以在速度一样快的200ns操作。
这种低电压和低功耗EPROM设计有电源
敏感的手持和记便携式电池产品。这
允许对固件代码存储于像笔记本应用
电脑，掌上电脑，蜂窝电话，和硬盘驱动器。
小外形封装也同样关键的便携式应用
作为低电压和低功耗。
该NM27LV010是飞兆半导体低增长的一个成员
电压产品系列。
特点
s
3.0V至3.6V工作电压
s
200 ns访问时间
s
低电流工作模式
- 8毫安我
CC
工作电流@ 5 MHz（典型值）。
- 我20μA
CC
待机电流@ 5 MHz（典型值）。
s
超低功耗运行
— 66
W
备用电源3.3V @
- 50毫瓦有功功率@ 3.3V
s
表面贴装型封装选项|
- 32引脚TSOP
- 32引脚PLCC
框图
VCC
GND
VPP
OE
PGM
CE
输出使能，
芯片使能&
程序逻辑
数据输出O0 - O7
产量
缓冲器
Y
解码器
A0 - A16
地址
输入
1,048,576-Bit
细胞矩阵
X
解码器
DS011377-1
AMG 是WSI ，Incorporated的商标。
1998仙童半导体公司
1
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NM27LV010 1,048,576位（ 128K ×8 ）低电压EPROM
连接图
PLCC引脚CON组fi guration
A12
A15
A16
XX / V
PP
V
CC
XX / PGM
XX
TSOP引脚配置
A11
A9
A8
A13
A14
NC
PGM
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8×8 ×20的MM
9
TSOP
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
VSS
O2
O1
O0
A0
A1
A2
A3
DS011377-2
4
3
2
1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O1
O2
GND
O3
O4
O5
O6
DS011377-6
顶视图
顶视图
商业级温度范围
(0
°
C至+70
°
C） V
CC
= 3.3
±
0.3
参数/订单号
NM27LV010 V，T 200
NM27LV010 V，T 250
工业温度范围
(-40
°
C至+ 85
°
C） V
CC
= 3.3
±
0.3
参数/订单号
NM27LV010 VE ， TE
NM27LV010 VE ， TE
套餐类型： NM27LV010 V，T
访问时间（纳秒）
200
250
访问时间（纳秒）
200
250
引脚名称
A0–A16
CE
OE
O0–O7
PGM
XX
V
PP
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
不在乎（在读）
编程电压
V = PLCC
T = TSOP
所有封装符合JEDEC标准。
所有版本都保证正常的速度较慢。
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NM27LV010 1,048,576位（ 128K ×8 ）低电压EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面（注10 ）
V
PP
和A9的对地
V
CC
与电源电压
对于地面
ESD保护
-65 ° C至+ 150°C
所有输出电压与
对于地面（注10 ）
V
CC
+ 1.0V
到GND - 0.6V
工作范围
-0.6V至+ 7V
-0.6V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
>2000V
范围
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
3.3V
公差
±0.3V
±0.3V
DC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
I
SB1
I
SB2
I
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压（ TTL ）
输出高电压（ TTL ）
输出低电压
输出高电压（ CMOS ）
V
CC
待机电流
（ CMOS）的
V
CC
待机电流（ TTL ）
V
CC
工作电流
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.3
2.0
最大
0.7
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.0毫安
I
OH
= -2.0毫安
I
OL
= 100
A
I
OH
= -100
A
CE = V
CC
±
0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
,
I / O = 0
A
V
PP
= V
CC
V
CC
- 0.7
V
IN
= 3.0V或GND
V
OUT
= 3.0V或GND
-1
F = 5兆赫
V
CC
- 0.3
2.4
0.2
V
50
100
15
10
V
CC
1
10
A
A
mA
A
V
A
A
AC电气特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
（注2 ）
t
OH
（注2 ）
参数
民
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止到输出的浮动
输出保持从地址，
CE或OE ，无论
第一次发生
200
最大
200
200
70
50
250
民
最大
250
250
75
50
单位
ns
0
0
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NM27LV010 1,048,576位（ 128K ×8 ）低电压EPROM
电容
（注2 ）T
A
= + 25°C ，1 = 1 MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
9
12
最大
15
15
单位
pF
pF
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
0.8V和2V
0.8V和2V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平
输入
输出
AC波形
（注6 ） （注7 ） ，和（注9 ）
地址
2.0V
0.8V
2.0V
0.8V
地址有效
CE
OE
2.0V
0.8V
产量
2.0V
0.8V
吨ACC
（注3）
注1 ：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI- STATE
时，测得的V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.2
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100pF的包括夹具电容。
注9 ：
V
PP
可以连接到V
CC
除了在编程过程中。
注10 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
- t
CE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
,
,,
吨CF
吨CE
（注2，4， 5）
吨OE
（注3）
吨DF
（注2，4， 5）
有效的输出
高阻
吨OH
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DS011377-3
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NM27LV010 1,048,576位（ 128K ×8 ）低电压EPROM
编程特性
（注11 ） ， （注12 ） ， （注13）， （注14 ）
符号
t
AS
t
OES
t
CES
t
DS
t
VPS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
DF
t
PW
t
OE
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
CE建立时间
数据建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
输出使能输出
浮动延迟
编程脉冲宽度
数据有效的OE
V
PP
电源电流
在编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
CE / PGM = V
IL
0
45
50
60
105
100
20
20
ns
s
ns
mA
mA
°C
V
V
ns
CE / PGM = V
IL
CE / PGM = V
IL
20
6.25
12.5
5
25
6.5
12.75
30
6.75
13.0
0.0
2.4
0.8
0.8
4.0
0.45
V
V
2.0
2.0
V
V
编程波形
（注13 ）
节目
地址
2.0V
0.8V
T作为
2.0V
数据
0.8V
吨DS
数据稳定
增加N
吨DH
吨DF
VCC
VPP
6.25V
吨VCS
吨VPS
高阻
地址n
吨AH
数据输出有效
增加N
程序校验
12.75V
CE
吨CES
PGM
2.0V
0.8V
吨PW
脚趾
TOE
OE
2.0V
0.8V
DS011377-4
注11 ：
飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注12 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或removedfrom一个板
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注13 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
PP
, V
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
这可能会损坏设备。
注14 ：
在上电期间的PGM引脚必须拉高（ ≥ V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
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