NM27C512 524 288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1994年2月
NM27C512
524 288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C512是一款高性能512K紫外线擦除
电可编程只读存储器（EPROM ），它
采用美国国家半导体的专有0 8微米制造
CMOS AMG
TM
EPROM技术，优良的combi-
速度与经济的国家，同时提供出色的可靠性
能力
该NM27C512提供基于微处理器的系统
存储容量为操作系统和应用程序的各部分
阳离子软件其90 ns的存取时间为NO-
采用高性能的CPU的等待状态操作
NM27C512提供的代码存储在单个芯片解决方案
100 ％基于固件的设备要求频
吸收的敷料使用的软件程序可以直接从执行
EPROM存储极大地提高系统实用程序
该NM27C512配置在标准的JEDEC
EPROM引脚排列这为提供了一种简便的升级途径
这是目前使用标准的EPROM系统
该NM27C512是一个高密度的EPROM的一个成员
家庭多达4兆位，其范围在密度
特点
Y
Y
Y
Y
高性能CMOS
90纳秒访问时间
快速关断微处理器兼容
厂商识别代码
JEDEC标准的引脚配置
28引脚DIP封装
32引脚芯片载体
框图
TL 10834 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
NSC800
TM
是美国国家半导体公司的商标。
AMG
TM
是WSI公司的商标
C
1995年全国半导体公司
TL 10834
RRD - B30M65印制在U S A
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C256
A
19
XX V
PP
XX V
PP
XX V
PP
A
16
A
16
A
16
A
16
A
15
A
15
A
15
A
15
V
PP
A
12
A
12
A
12
A
12
A
12
A
7
A
7
A
7
A
7
A
7
A
6
A
6
A
6
A
6
A
6
A
5
A
5
A
5
A
5
A
5
A
4
A
4
A
4
A
4
A
4
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
A
2
A
2
A
2
A
2
A
2
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
0
A
0
A
0
A
0
A
0
O
0
O
0
O
0
O
0
O
0
O
1
O
1
O
1
O
1
O
1
O
2
O
2
O
2
O
2
O
2
GND
GND
GND
GND
GND
DIP
NM27C512
27C256
27C010
27C020
27C040
27C080
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
XX XX PGM PGM
A
18
A
18
V
CC
XX
A
17
A
17
A
17
A
14
A
14
A
14
A
14
A
14
A
13
A
13
A
13
A
13
A
13
A
8
A
8
A
8
A
8
A
8
A
9
A
9
A
9
A
9
A
9
A
11
A
11
A
11
A
11
A
11
OE
OE
OE
OE
OE
VPP
A
10
A
10
A
10
A
10
A
10
CE PGM
CE
CE
CE CE PGM PGM
O
7
O
7
O
7
O
7
O
7
O
6
O
6
O
6
O
6
O
6
O
5
O
5
O
5
O
5
O
5
O
4
O
4
O
4
O
4
O
4
O
3
O
3
O
3
O
3
O
3
TL 10834 - 2
记
兼容EPROM的管脚配置示于邻近NM27C512销块
商用温度范围（ 0℃至
a
70 C)
参数订单号
NM27C512 Q V 90
NM27C512 Q V 120
NM27C512 Q V 150
NM27C512 Q V 200
访问时间（纳秒）
90
120
150
200
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C)
参数订单号
NM27C512 QE NE VE 90
NM27C512 QE NE VE 120
NM27C512 QE NE VE 150
NM27C512 QE NE VE 200
访问时间（纳秒）
90
120
150
200
军用温度范围（
b
55 ℃
a
125 C)
参数订单号
NM27C512 QM 200
访问时间（纳秒）
200
记
表面贴装PLCC封装，用于商业和扩展
只有温度范围
所有版本都保证正常的速度较慢
封装类型NM27C512 Q V XXX
Q
e
石英窗陶瓷DIP封装
N
e
OTP塑料DIP封装
V
e
PLCC封装
所有封装符合JEDEC标准
引脚名称
A0 –A15
CE
OE
O0–O7
PGM
XX
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
不在乎（在读）
PLCC
TL 10834 - 3
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN1
C
OUT
C
IN2
f
e
1兆赫（注2 ）
参数
输入电容
除了OE V
PP
输出电容
OE V
PP
输入
电容
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
V
IN
e
0V
典型值
6
9
20
最大
12
12
25
单位
pF
pF
pF
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
0 45V 2 4V
定时测量参考电平（注9 ）
输入
0 8V和2V
输出
0 8V和2V
AC波形
（注6
7)
TL 10834 - 4
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
– t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
1 TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
100 pF的包括夹具电容
注9
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值）
4
编程特性
（注1及2 ）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
R
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
24
08
08
20
6
12 5
5
0
4
2
2
0 45
25
6 25
12 75
CE
e
V
IL
OE
e
V
PP
OE
e
V
IL
50
1
30
50
30
65
13
OE
e
V
IL
条件
民
1
1
1
1
0
1
0
95
1
250
100
60
105
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ms
ns
ns
ms
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
编程波形
TL 10834 - 5
注1
美国国家半导体的标准产品保修适用于编程，本文所述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
CC
到GND抑制杂散
电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
5
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