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NM27C512 524 288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1994年2月
NM27C512
524 288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C512是一款高性能512K紫外线擦除
电可编程只读存储器（EPROM ），它
采用美国国家半导体的专有0 8微米制造
CMOS AMG
TM
EPROM技术，优良的combi-
速度与经济的国家，同时提供出色的可靠性
能力
该NM27C512提供基于微处理器的系统
存储容量为操作系统和应用程序的各部分
阳离子软件其90 ns的存取时间为NO-
采用高性能的CPU的等待状态操作
NM27C512提供的代码存储在单个芯片解决方案
100 ％基于固件的设备要求频
吸收的敷料使用的软件程序可以直接从执行
EPROM存储极大地提高系统实用程序
该NM27C512配置在标准的JEDEC
EPROM引脚排列这为提供了一种简便的升级途径
这是目前使用标准的EPROM系统
该NM27C512是一个高密度的EPROM的一个成员
家庭多达4兆位，其范围在密度
特点
Y
Y
Y
Y
高性能CMOS
90纳秒访问时间
快速关断微处理器兼容
厂商识别代码
JEDEC标准的引脚配置
28引脚DIP封装
32引脚芯片载体
框图
TL 10834 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
NSC800
TM
是美国国家半导体公司的商标。
AMG
TM
是WSI公司的商标
C
1995年全国半导体公司
TL 10834
RRD - B30M65印制在U S A
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C256
A
19
XX V
PP
XX V
PP
XX V
PP
A
16
A
16
A
16
A
16
A
15
A
15
A
15
A
15
V
PP
A
12
A
12
A
12
A
12
A
12
A
7
A
7
A
7
A
7
A
7
A
6
A
6
A
6
A
6
A
6
A
5
A
5
A
5
A
5
A
5
A
4
A
4
A
4
A
4
A
4
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
A
2
A
2
A
2
A
2
A
2
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
0
A
0
A
0
A
0
A
0
O
0
O
0
O
0
O
0
O
0
O
1
O
1
O
1
O
1
O
1
O
2
O
2
O
2
O
2
O
2
GND
GND
GND
GND
GND
DIP
NM27C512
27C256
27C010
27C020
27C040
27C080
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
XX XX PGM PGM
A
18
A
18
V
CC
XX
A
17
A
17
A
17
A
14
A
14
A
14
A
14
A
14
A
13
A
13
A
13
A
13
A
13
A
8
A
8
A
8
A
8
A
8
A
9
A
9
A
9
A
9
A
9
A
11
A
11
A
11
A
11
A
11
OE
OE
OE
OE
OE
VPP
A
10
A
10
A
10
A
10
A
10
CE PGM
CE
CE
CE CE PGM PGM
O
7
O
7
O
7
O
7
O
7
O
6
O
6
O
6
O
6
O
6
O
5
O
5
O
5
O
5
O
5
O
4
O
4
O
4
O
4
O
4
O
3
O
3
O
3
O
3
O
3
TL 10834 - 2
记
兼容EPROM的管脚配置示于邻近NM27C512销块
商用温度范围（ 0℃至
a
70 C)
参数订单号
NM27C512 Q V 90
NM27C512 Q V 120
NM27C512 Q V 150
NM27C512 Q V 200
访问时间（纳秒）
90
120
150
200
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C)
参数订单号
NM27C512 QE NE VE 90
NM27C512 QE NE VE 120
NM27C512 QE NE VE 150
NM27C512 QE NE VE 200
访问时间（纳秒）
90
120
150
200
军用温度范围（
b
55 ℃
a
125 C)
参数订单号
NM27C512 QM 200
访问时间（纳秒）
200
记
表面贴装PLCC封装，用于商业和扩展
只有温度范围
所有版本都保证正常的速度较慢
封装类型NM27C512 Q V XXX
Q
e
石英窗陶瓷DIP封装
N
e
OTP塑料DIP封装
V
e
PLCC封装
所有封装符合JEDEC标准
引脚名称
A0 –A15
CE
OE
O0–O7
PGM
XX
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
输出
节目
不在乎（在读）
PLCC
TL 10834 - 3
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN1
C
OUT
C
IN2
f
e
1兆赫（注2 ）
参数
输入电容
除了OE V
PP
输出电容
OE V
PP
输入
电容
条件
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
V
IN
e
0V
典型值
6
9
20
最大
12
12
25
单位
pF
pF
pF
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
0 45V 2 4V
定时测量参考电平（注9 ）
输入
0 8V和2V
输出
0 8V和2V
AC波形
（注6
7)
TL 10834 - 4
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
– t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
1 TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
100 pF的包括夹具电容
注9
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值）
4
编程特性
（注1及2 ）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
R
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
24
08
08
20
6
12 5
5
0
4
2
2
0 45
25
6 25
12 75
CE
e
V
IL
OE
e
V
PP
OE
e
V
IL
50
1
30
50
30
65
13
OE
e
V
IL
条件
民
1
1
1
1
0
1
0
95
1
250
100
60
105
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ms
ms
ns
ns
ms
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
编程波形
TL 10834 - 5
注1
美国国家半导体的标准产品保修适用于编程，本文所述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
CC
到GND抑制杂散
电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
5
NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1998年7月
NM27C512
524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C512是一款高性能512K紫外线擦除Electri-
美云可编程只读存储器（EPROM） 。它是制造
使用捕获的原始图像飞兆半导体专有的CMOS AMG EPROM技
术的速度和经济性的完美结合，而
提供出色的可靠性。
该NM27C512提供基于微处理器的系统存储
用于操作系统和应用程序的各部分容量软
洁具。其90 ns访问时间不提供与等待状态的操作
高性能的CPU。该NM27C512提供了一个单一的芯片
为100％ firmware-的代码存储需求的解决方案
基于设备。经常使用的软件程序都很快
从EPROM存储执行，极大地提高了系统的实用性。
该NM27C512配置在标准的JEDEC的EPROM
引出线这对于它们的系统提供了一种简便的升级途径
目前使用的标准的EPROM 。
该NM27C512是高密度EPROM家庭中的一员
其范围在密度高达4兆位。
特点
s
高性能CMOS
- 90 ns访问时间
s
快速关断微处理器兼容
s
厂商识别代码
s
JEDEC标准的引脚配置
28引脚PDIP封装
- 32引脚芯片载体
- 28引脚封装CERDIP
框图
VCC
GND
VPP
OE
CE / PGM
输出使能和
芯片使能逻辑
产量
缓冲器
数据输出O0 - O7
Y译码
..
524,288-Bit
细胞矩阵
A0 - A15
地址
输入
.......
X解码器
DS010834-1
AMG是WSI ， Inc.的商标。
1998仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C256
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
XX/
VPP
XX/
VPP
XX/
VPP
A16
A16
A16
A15
A15
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
DIP
NM27C512
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / VPP
A10
CE / PGM
O7
O6
O5
O4
O3
27C256 27C010 27C020 27C040 27C080
VCC
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE / PGM
O7
O6
O5
O4
O3
VCC
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
O7
O6
O5
O4
O3
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE /
VPP
A10
O7
O6
O5
O4
O3
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
XX / XX PGM / PGM
XX
A17
A14
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
CE / PGM CE / PGM
DS010834-2
兼容EPROM的管脚配置示于adjacement到NM27C512销的块。
商用温度范围（ 0
°
C至+70
°
C)
参数/订单号
NM27C512 Q， N，V 90
NM27C512 Q， N，V 120
NM27C512 Q， N，V 150
引脚名称
A0–A15
CE / PGM
OE
O0–O7
NC
地址
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
输出
不在乎（在读）
访问时间（纳秒）
90
120
150
工业温度范围（ -40
°
C至+ 85
°
C)
参数/订单号
NM27C512 QE ， NE ， VE 120
NM27C512 QE ， NE ， VE 150
Q =石英窗陶瓷DIP封装
N =塑料DIP封装
V = PLCC封装
所有封装符合JEDEC标准。
所有版本都保证正常的速度较慢。
PLCC
A7
A12
A15
NC
VCC
A14
A13
4
3
2
1 32 31 30
访问时间（纳秒）
120
150
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
A8
A9
A11
NC
OE / VPP
A10
CE / PGM
O7
O8
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
DS010834-3
2
www.fairchildsemi.com
NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面
V
PP
和A9的对地
V
CC
与电源电压
对于地面
-65 ° C至+ 150°C
ESD保护
（ MIL-STD 883 ，方法3015.2 ）
所有输出电压与
对于地面
>2000V
V
CC
+ 1.0V至GND -0.6V
-0.6V至+ 7V
-0.7V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
工作范围
范围
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
+5V
公差
±10%
±10%
读操作
DC电气特性
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流
V
CC
工作电流
V
CC
工作电流
CMOS输入
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
F = 5兆赫
3.5
100
1
40
35
10
V
CC
- 0.7
V
CC
1
10
A
mA
mA
mA
A
V
A
A
CE = GND ， F = 5兆赫
输入= V
CC
或GND ， I / O = 0毫安
C，E温度范围
V
PP
= V
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
AC电气特性
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
参数
民
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
0
90
最大
90
90
40
35
120
民
最大
120
120
50
25
0
150
民
最大
150
150
50
45
0
单位
ns
3
www.fairchildsemi.com
NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫（注2 ）
符号
C
IN1
C
OUT
C
IN2
参数
输入电容
除了OE / V
PP
输出电容
OE / V
PP
输入
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
典型值
6
9
20
最大
12
12
25
单位
pF
pF
pF
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
0.8V和2V
0.8V和2V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平（注9 ）
输入
输出
AC波形
（注6,7）
地址
2V
0.8V
地址有效
CE
2V
0.8V
t
CF
（注4,5）
OE
2V
0.8V
t
CE
t
OE
（注3）
t
DF
（注4,5）
有效的输出
产量
2V
0.8V
高阻
t
加
（注3）
高阻
t
OH
DS010834-4
注1 ：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
–t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI -STATE ，测得V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
4
www.fairchildsemi.com
NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程特性
（注10） （注11 ）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
R
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
OE = V
IL
0
45
1
50
60
105
ns
s
s
OE = V
IL
50
1
CE = V
IL
OE = V
PP
250
ns
ns
s
30
50
20
6.25
12.5
5
0
2.4
0.8
0.8
4
2
2
0.45
25
6.5
12.75
30
6.75
13
mA
mA
°C
V
V
ns
V
V
V
V
编程波形
节目
地址
2.0V
0.8V
T作为
2.0V
数据
0.8V
吨DS
12.75V
0.8V
TPRT
CE / PGM
吨OES
吨VPS
吨VCS
6.25V
牛逼OEH
吨VR
数据稳定
增加N
吨DH
高阻
2.0V
0.8V
吨DV
数据输出有效
增加N
吨CF
吨AH
地址n
程序校验
OE / VPP
吨PW
VCC
DS010834-5
注10 ：
飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注11 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注12 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
可能会损坏设备。
5
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NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
1998年7月
NM27C512
524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
概述
该NM27C512是一款高性能512K紫外线擦除Electri-
美云可编程只读存储器（EPROM） 。它是制造
使用捕获的原始图像飞兆半导体专有的CMOS AMG EPROM技
术的速度和经济性的完美结合，而
提供出色的可靠性。
该NM27C512提供基于微处理器的系统存储
用于操作系统和应用程序的各部分容量软
洁具。其90 ns访问时间不提供与等待状态的操作
高性能的CPU。该NM27C512提供了一个单一的芯片
为100％ firmware-的代码存储需求的解决方案
基于设备。经常使用的软件程序都很快
从EPROM存储执行，极大地提高了系统的实用性。
该NM27C512配置在标准的JEDEC的EPROM
引出线这对于它们的系统提供了一种简便的升级途径
目前使用的标准的EPROM 。
该NM27C512是高密度EPROM家庭中的一员
其范围在密度高达4兆位。
特点
s
高性能CMOS
- 90 ns访问时间
s
快速关断微处理器兼容
s
厂商识别代码
s
JEDEC标准的引脚配置
28引脚PDIP封装
- 32引脚芯片载体
- 28引脚封装CERDIP
框图
VCC
GND
VPP
OE
CE / PGM
输出使能和
芯片使能逻辑
产量
缓冲器
数据输出O0 - O7
Y译码
..
524,288-Bit
细胞矩阵
A0 - A15
地址
输入
.......
X解码器
DS010834-1
AMG是WSI ， Inc.的商标。
1998仙童半导体公司
1
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NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
连接图
27C080 27C040 27C020 27C010 27C256
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
XX/
VPP
XX/
VPP
XX/
VPP
A16
A16
A16
A15
A15
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
DIP
NM27C512
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / VPP
A10
CE / PGM
O7
O6
O5
O4
O3
27C256 27C010 27C020 27C040 27C080
VCC
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE / PGM
O7
O6
O5
O4
O3
VCC
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
O7
O6
O5
O4
O3
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE /
VPP
A10
O7
O6
O5
O4
O3
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
XX / XX PGM / PGM
XX
A17
A14
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
CE / PGM CE / PGM
DS010834-2
兼容EPROM的管脚配置示于adjacement到NM27C512销的块。
商用温度范围（ 0
°
C至+70
°
C)
参数/订单号
NM27C512 Q， N，V 90
NM27C512 Q， N，V 120
NM27C512 Q， N，V 150
引脚名称
A0–A15
CE / PGM
OE
O0–O7
NC
地址
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
输出
不在乎（在读）
访问时间（纳秒）
90
120
150
工业温度范围（ -40
°
C至+ 85
°
C)
参数/订单号
NM27C512 QE ， NE ， VE 120
NM27C512 QE ， NE ， VE 150
Q =石英窗陶瓷DIP封装
N =塑料DIP封装
V = PLCC封装
所有封装符合JEDEC标准。
所有版本都保证正常的速度较慢。
PLCC
A7
A12
A15
NC
VCC
A14
A13
4
3
2
1 32 31 30
访问时间（纳秒）
120
150
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
A8
A9
A11
NC
OE / VPP
A10
CE / PGM
O7
O8
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
DS010834-3
2
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NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
所有输入电压除与A9
对于地面
V
PP
和A9的对地
V
CC
与电源电压
对于地面
-65 ° C至+ 150°C
ESD保护
（ MIL-STD 883 ，方法3015.2 ）
所有输出电压与
对于地面
>2000V
V
CC
+ 1.0V至GND -0.6V
-0.6V至+ 7V
-0.7V至+ 14V
-0.6V至+ 7V
工作范围
范围
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
+5V
+5V
公差
±10%
±10%
读操作
DC电气特性
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2
参数
输入低电平
输入高电平
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流
V
CC
工作电流
V
CC
工作电流
CMOS输入
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入负载电流
输出漏电流
测试条件
民
-0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+1
0.4
单位
V
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -2.5毫安
CE = V
CC
±0.3V
CE = V
IH
CE = OE = V
IL
F = 5兆赫
3.5
100
1
40
35
10
V
CC
- 0.7
V
CC
1
10
A
mA
mA
mA
A
V
A
A
CE = GND ， F = 5兆赫
输入= V
CC
或GND ， I / O = 0毫安
C，E温度范围
V
PP
= V
CC
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5V或GND
-1
-10
AC电气特性
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
参数
民
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
0
90
最大
90
90
40
35
120
民
最大
120
120
50
25
0
150
民
最大
150
150
50
45
0
单位
ns
3
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NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1兆赫（注2 ）
符号
C
IN1
C
OUT
C
IN2
参数
输入电容
除了OE / V
PP
输出电容
OE / V
PP
输入
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
典型值
6
9
20
最大
12
12
25
单位
pF
pF
pF
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
= 100 pF的（注8 ）
≤5
ns
0.45V至2.4V
0.8V和2V
0.8V和2V
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
定时测量参考电平（注9 ）
输入
输出
AC波形
（注6,7）
地址
2V
0.8V
地址有效
CE
2V
0.8V
t
CF
（注4,5）
OE
2V
0.8V
t
CE
t
OE
（注3）
t
DF
（注4,5）
有效的输出
产量
2V
0.8V
高阻
t
加
（注3）
高阻
t
OH
DS010834-4
注1 ：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
该参数仅取样，而不是100％测试。
注3 ：
OE可能会延迟到t
加
–t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
.
注4 ：
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定：
高TRI -STATE ，测得V
OH1
（直流） - 0.10V ;
低TRI -STATE ，测得V
OL1
（直流）+ 0.10V 。
注5 ：
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现。
注6 ：
EPROM中的功率开关特性需要仔细的去耦装置。所以建议至少0.1
F
陶瓷电容在每个设备上使用
V之间
CC
和GND 。
注7 ：
的输出必须被限制到V
CC
+ 1.0V以避免闩锁和设备的损坏。
注8 ：
1 TTL门：我
OL
= 1.6毫安，我
OH
= -400
A.
C
L
： 100 pF的包括夹具电容。
注9 ：
输入和输出可以下冲至-2.0V为20 ns（最大值） 。
4
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NM27C512 524,288位（ 64K ×8 ）高性能CMOS EPROM
编程特性
（注10） （注11 ）
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
R
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入的上升，下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
条件
民
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
OE = V
IL
0
45
1
50
60
105
ns
s
s
OE = V
IL
50
1
CE = V
IL
OE = V
PP
250
ns
ns
s
30
50
20
6.25
12.5
5
0
2.4
0.8
0.8
4
2
2
0.45
25
6.5
12.75
30
6.75
13
mA
mA
°C
V
V
ns
V
V
V
V
编程波形
节目
地址
2.0V
0.8V
T作为
2.0V
数据
0.8V
吨DS
12.75V
0.8V
TPRT
CE / PGM
吨OES
吨VPS
吨VCS
6.25V
牛逼OEH
吨VR
数据稳定
增加N
吨DH
高阻
2.0V
0.8V
吨DV
数据输出有效
增加N
吨CF
吨AH
地址n
程序校验
OE / VPP
吨PW
VCC
DS010834-5
注10 ：
飞兆半导体的标准产品保修适用于编程，这里所描述的规格的设备。
注11 ：
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
。在EPROM中不能插入或从板除去
电压施加到V
PP
或V
CC
.
注12 ：
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚为14V 。切换V时，必须小心
PP
供应
防止过冲超出这个14V的最大规格。至少0.1
F
电容器两端V所需
CC
至GND，抑制杂散电压瞬变
可能会损坏设备。
5
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